隨著GIS的小型化和三相共箱化,GIS用盤式絕緣子的電氣性能也越來越受到設(shè)計(jì)者的關(guān)注。為了給盤式絕緣子工程的實(shí)際絕緣配合設(shè)計(jì)提供必要的數(shù)據(jù)和理論支持,采用有限元法對(duì)126 kV GIS盤式絕緣子表面的電場(chǎng)和電位分布進(jìn)行了數(shù)值仿真。計(jì)算不同施壓方式下GIS盤式絕緣子凸形和凹形表面的電場(chǎng)分布情況以及相應(yīng)的電場(chǎng)強(qiáng)度最大值并分析它的電場(chǎng)強(qiáng)度分布規(guī)律,獲得了影響GIS盤式絕緣子表面絕緣的主要因素。在此基礎(chǔ)上對(duì)進(jìn)行電場(chǎng)逆問題求解,實(shí)現(xiàn)了絕緣子表面和導(dǎo)體屏蔽均壓罩的結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)。
