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C-W節(jié)約算法在車(chē)輛調(diào)度問(wèn)題中的應(yīng)用

C-W節(jié)約算法在車(chē)輛調(diào)度問(wèn)題中的應(yīng)用

標(biāo)簽： C-W 算法中的應(yīng)用調(diào)度

上傳時(shí)間： 2017-04-26

上傳用戶(hù)：gyq143
不完全LU分解

數(shù)值計(jì)算關(guān)于大型線性方程組不完全LU分解的源代碼，使用MATLAB

標(biāo)簽： 不完全LU分解

上傳時(shí)間： 2017-11-08

上傳用戶(hù)：天琊無(wú)悔
W雙路音頻功率放大器D6282說(shuō)明

該文檔為W雙路音頻功率放大器D6282說(shuō)明文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………

標(biāo)簽： 音頻功率放大器

上傳時(shí)間： 2021-12-03

上傳用戶(hù)：d1997wayne
壓力傳感器與彈性模量-w

壓力傳感器與彈性模量-w，有需要的可以參考！

標(biāo)簽： 壓力傳感器

上傳時(shí)間： 2022-01-18

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使用LinkSwitch-3的2 W非隔離反激式電源用于家庭和樓宇自動(dòng)化

使用LinkSwitch-3（LNK6404D）的2 W通用輸入（85 VAC-265 VAC）非隔離反激式（5 V，400 mA輸出）電源，用于家庭和樓宇自動(dòng)化

標(biāo)簽： LinkSwitch-3 樓宇自動(dòng)化

上傳時(shí)間： 2022-02-09

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60 W USB PD 3.0 采用InnoSwitch3-Pro PowiGaN和MinE-CAP

帶有PPS電源適配器的60 W USB PD 3.0具有PowiGaN的InnoSwitch3-Pro(INN3379C-H302); MinE-CAP(MIN1072M);威盛Labs VP302控制器輸入：90 VAC – 265 VAC可變輸出：5 V / 3 A; 9 V / 3 A; 15 V / 3 A; 20 V / 3 APPS輸出：3.3 V – 21 V / 3 A

標(biāo)簽： InnoSwitch3-Pro PowiGaN

上傳時(shí)間： 2022-03-24

上傳用戶(hù)：
使用InnoSwitch3-Pro PowiGaN PPS電源的65 W USB PD 3.0

使用InnoSwitch3-Pro PowiGaN和MinE-CAP的3.3 W-21 V PPS電源的65 W USB PD 3.0

標(biāo)簽： InnoSwitch3-Pro PowiGaN PPS電源

上傳時(shí)間： 2022-04-02

上傳用戶(hù)：kingwide
使用InnoSwitch3-CP和HiperPFS-4的100 W USB PD Type-C電源

使用InnoSwitch3-CP(具有PowiGaN技術(shù)的INN3270C-H215)和HiperPFS-4的100 W USB PD Type-C充電器(5 V / 3 A; 9 V / 3 A; 15 V / 3 A; 20 V / 5 A輸出) (PFS7628C)

標(biāo)簽： InnoSwitch3-CP HiperPFS-4

上傳時(shí)間： 2022-05-09

上傳用戶(hù)：XuVshu
傅里葉光學(xué)導(dǎo)論 J.W.顧德

傅里葉光學(xué)導(dǎo)論 J.W.顧德

標(biāo)簽： 傅里葉光學(xué)

上傳時(shí)間： 2022-06-01

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W公司手機(jī)芯片封裝質(zhì)量管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)

本文以質(zhì)量管理理論為基礎(chǔ)，針對(duì)手機(jī)芯片封裝行業(yè)過(guò)于繁瑣的海量質(zhì)量數(shù)據(jù)，建立以數(shù)據(jù)挖掘技術(shù)為基礎(chǔ)的質(zhì)量管理系統(tǒng)，通過(guò)對(duì)手機(jī)芯片封裝質(zhì)量數(shù)據(jù)的采集、分析和處理，對(duì)手機(jī)芯片的質(zhì)量缺陷和不合格產(chǎn)品進(jìn)行分析和統(tǒng)計(jì)，診斷造成產(chǎn)品不合格的原因。本文首先回顧了國(guó)內(nèi)外關(guān)于質(zhì)量管理的發(fā)展歷程及最新趨勢(shì)，并對(duì)手機(jī)芯片封裝質(zhì)量管理進(jìn)行了綜述。在對(duì)數(shù)據(jù)挖掘、合格率管理等方面進(jìn)行深入分析探討的基礎(chǔ)上，提出了手機(jī)芯片封裝質(zhì)量管理系統(tǒng)的設(shè)計(jì)目標(biāo)、設(shè)計(jì)思路和功能模塊。本文的研究工作主要有以下幾個(gè)方面：1、對(duì)手機(jī)芯片封裝的制造過(guò)程、系統(tǒng)模式進(jìn)行了分析，著重研究了合格率管理和數(shù)據(jù)挖掘在手機(jī)芯片封裝中的應(yīng)用；2、運(yùn)用數(shù)據(jù)挖掘的方法，針對(duì)影響芯片封裝質(zhì)量的多個(gè)相關(guān)因素，進(jìn)行各因素的權(quán)重判定，確定哪些因素是影響質(zhì)量的關(guān)鍵因素，針對(duì)影響質(zhì)量的關(guān)鍵因素，通過(guò)對(duì)低合格率數(shù)據(jù)的提取與分析，定位封裝過(guò)程中可能造成不合格產(chǎn)品的關(guān)鍵點(diǎn)，為質(zhì)量改善提供依據(jù)：3、搜集W公司2006年5月到8月的手機(jī)芯片封裝測(cè)試數(shù)據(jù)，進(jìn)行實(shí)證研究，驗(yàn)證了所提出的研究方法的準(zhǔn)確性。

標(biāo)簽： 手機(jī)芯片封裝質(zhì)量管理系統(tǒng)

上傳時(shí)間： 2022-06-21

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