亚洲欧美第一页_禁久久精品乱码_粉嫩av一区二区三区免费野_久草精品视频

蟲蟲首頁| 資源下載| 資源專輯| 精品軟件
登錄| 注冊

???????????????????????????????|???????????????????????????????°???????????????????????????????£???????????????????????????????¥???????????????????????????????????????????????????????????????′(ch????????????????????????????????????????????????????????????????ng)???????????????????????????????¥???????????????????????????????????????????????????????????????§(n???????????????????????????????????????????????????????????????¨i)???????????????????????????????¥???????????????????????????????????????????????????????????????1???????????????????????????????ˉ???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????ˉ???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????¢???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????§???????????????????????????????????????????????????????????????±???????????????????????????????¤???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????§???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????§???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????§???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????§???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????¨???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????¤????????????????????????????????????????????????????????????????

  • 在單端應用中采用差分I/O放大器

      Recent advances in low voltage silicon germaniumand BiCMOS processes have allowed the design andproduction of very high speed amplifi ers. Because theprocesses are low voltage, most of the amplifi er designshave incorporated differential inputs and outputs to regainand maximize total output signal swing. Since many lowvoltageapplications are single-ended, the questions arise,“How can I use a differential I/O amplifi er in a single-endedapplication?” and “What are the implications of suchuse?” This Design Note addresses some of the practicalimplications and demonstrates specifi c single-endedapplications using the 3GHz gain-bandwidth LTC6406differential I/O amplifi er.

    標簽: 單端應用 差分 放大器

    上傳時間: 2013-11-23

    上傳用戶:rocketrevenge

  • 抑制△I噪聲的PCB設計方法

    抑制△I 噪聲一般需要從多方面著手, 但通過PCB 設計抑制△I 噪聲是有效的措施之一。如何通過PCB 設計抑制△I 噪聲是一個亟待深入研究的問題。在對△I 噪聲的產生、特點、主要危害等研究的基礎上, 討論了輻射干擾機理, 重點結合PCB 和EMC 研究的新進展, 研究了抑制△I 噪聲的PCB 設計方法。對通過PCB 設計抑制△I 噪聲的研究與應用具有指導作用。

    標簽: PCB 設計方法

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:時代電子小智

  • FR-E500-CH變頻用戶手冊

    本內容提供了FR-E500-CH變頻用戶手冊

    標簽: FR-E 500 CH 用戶手冊

    上傳時間: 2013-11-13

    上傳用戶:xhz1993

  • 變壓器差動保護整定-電力工程師須知

    差動保護整定范例一: 三圈變壓器參數如下表: 變壓器容量Se 31500KVA 變壓器接線方式 Yn,y,d11 變壓器變比Ue 110kV/35kV/10kV 110kV側TA變比nTA 300/5 35KV側TA變比nTA 1000/5 10KV側TA變比nTA 2000/5 TA接線 外部變換方式 一次接線 10kV側雙分支 調壓ΔU ±8×1.25% 電流互感器接線系數Kjx 當為Y接線時為1,當為Δ接線時為 區外三相最大短路電流 假設為1000A(此值需根據現場情況計算確定)   計算: 高壓側二次額定電流 中壓側二次額定電流 低壓側二次額定電流

    標簽: 變壓器 差動保護 工程師 整定

    上傳時間: 2013-11-01

    上傳用戶:edisonfather

  • 鋰離子正極電池材料技術及工藝簡述

    鋰離子正極電池材料   1. 目前主要的技術工藝制法: 1.1.   高溫固相反應法:高溫固相反應法是以FeC2O4·2H2O,(NH4)H2PO4,Li2CO3等為原料,按LiFePO4的化學組成配料研磨混合均勻,在惰性氣氛(如Ar,N2)的保護下高溫焙燒反應制得。目前,由于高溫固相反應法存在合成溫度高、粒徑分布大、顆粒粗大等缺點,極大地限制了L iFePO4的電化學性能。 1.2.   溶膠——凝膠合成法:溶膠——凝膠法以三價鐵的醋酸鹽或硝酸鹽為原料,按化學計量加入LiOH后加入檸檬酸,然后再將其加入到H3PO4中,用氨水調節pH,加熱至60℃得到凝膠,加熱使凝膠分解,高溫燒結得到LiFePO4。溶膠——凝膠法的優點是前驅體溶液化學均勻性好,凝膠熱處理溫度低,粉體顆粒粒徑小而且分布窄,粉體燒結性能好,反應過程易于控制,設備簡單;但是在干燥時收縮大,工業化生產難度較大,合成周期較長。

    標簽: 鋰離子 正極 工藝 電池材料

    上傳時間: 2013-11-16

    上傳用戶:blacklee

  • NIP型非晶硅薄膜太陽能電池的研究

    采用射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF2PECVD)技術制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結構為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調節電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優化了太陽能電池的制備工藝。結果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結構可以應用到電池上;當P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結構電池特性最好,效率達6. 40 %。通過調整P 型晶化硅薄膜的結構特征,將能進一步改善電池的性能。

    標簽: NIP 非晶硅 薄膜太陽能電池

    上傳時間: 2013-11-21

    上傳用戶:wanqunsheng

  • (N+X)熱插拔模塊并聯逆變電源應用前景

    隨著我國通信、電力事業的發展,通信、電力網絡的規模越來越大,系統越來越復雜。與之相應的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護越來越重要。在中國通信、電力網絡中,傳統的交流供電方案是以UPS或單機式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術的進步、完善,(N+X)熱插拔模塊并聯逆變電源已經非常成熟、可靠;在歐美的通信、電力發達的國家,各大通信運營商、電力供應商、軍隊均大量應用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較,(N+X)熱插拔模塊并聯逆變電源具有以下明顯的優點。

    標簽: 熱插拔 模塊 并聯 應用前景

    上傳時間: 2014-03-24

    上傳用戶:alan-ee

  • 分比功率架構和V•I晶片靈活、優越的功率系統方案

    當今電子系統如高端處理器及記憶體,對電源的需求是趨向更低電壓、更高電流的應用。同時、對負載的反應速度也要提高。因此功率系統工程師要面對的挑戰,是要設計出符合系統要求的細小、價廉但高效率的電源系統。而這些要求都不是傳統功率架構能夠完全滿足的。Vicor提出的分比功率架構(Factorized Power Architecture FPA)以及一系列的整合功率元件,可提供革命性的功率轉換方案,應付以上提及的各項挑戰。這些功率元件稱為V•I晶片。

    標簽: 8226 功率架構 功率

    上傳時間: 2013-11-15

    上傳用戶:yan2267246

  • TLC2543 中文資料

    TLC2543是TI公司的12位串行模數轉換器,使用開關電容逐次逼近技術完成A/D轉換過程。由于是串行輸入結構,能夠節省51系列單片機I/O資源;且價格適中,分辨率較高,因此在儀器儀表中有較為廣泛的應用。 TLC2543的特點 (1)12位分辯率A/D轉換器; (2)在工作溫度范圍內10μs轉換時間; (3)11個模擬輸入通道; (4)3路內置自測試方式; (5)采樣率為66kbps; (6)線性誤差±1LSBmax; (7)有轉換結束輸出EOC; (8)具有單、雙極性輸出; (9)可編程的MSB或LSB前導; (10)可編程輸出數據長度。 TLC2543的引腳排列及說明    TLC2543有兩種封裝形式:DB、DW或N封裝以及FN封裝,這兩種封裝的引腳排列如圖1,引腳說明見表1 TLC2543電路圖和程序欣賞 #include<reg52.h> #include<intrins.h> #define uchar unsigned char #define uint unsigned int sbit clock=P1^0; sbit d_in=P1^1; sbit d_out=P1^2; sbit _cs=P1^3; uchar a1,b1,c1,d1; float sum,sum1; double  sum_final1; double  sum_final; uchar duan[]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,0x07,0x7f,0x6f}; uchar wei[]={0xf7,0xfb,0xfd,0xfe};  void delay(unsigned char b)   //50us {           unsigned char a;           for(;b>0;b--)                     for(a=22;a>0;a--); }  void display(uchar a,uchar b,uchar c,uchar d) {    P0=duan[a]|0x80;    P2=wei[0];    delay(5);    P2=0xff;    P0=duan[b];    P2=wei[1];    delay(5);   P2=0xff;   P0=duan[c];   P2=wei[2];   delay(5);   P2=0xff;   P0=duan[d];   P2=wei[3];   delay(5);   P2=0xff;   } uint read(uchar port) {   uchar  i,al=0,ah=0;   unsigned long ad;   clock=0;   _cs=0;   port<<=4;   for(i=0;i<4;i++)  {    d_in=port&0x80;    clock=1;    clock=0;    port<<=1;  }   d_in=0;   for(i=0;i<8;i++)  {    clock=1;    clock=0;  }   _cs=1;   delay(5);   _cs=0;   for(i=0;i<4;i++)  {    clock=1;    ah<<=1;    if(d_out)ah|=0x01;    clock=0; }   for(i=0;i<8;i++)  {    clock=1;    al<<=1;    if(d_out) al|=0x01;    clock=0;  }   _cs=1;   ad=(uint)ah;   ad<<=8;   ad|=al;   return(ad); }  void main()  {   uchar j;   sum=0;sum1=0;   sum_final=0;   sum_final1=0;    while(1)  {              for(j=0;j<128;j++)          {             sum1+=read(1);             display(a1,b1,c1,d1);           }            sum=sum1/128;            sum1=0;            sum_final1=(sum/4095)*5;            sum_final=sum_final1*1000;            a1=(int)sum_final/1000;            b1=(int)sum_final%1000/100;            c1=(int)sum_final%1000%100/10;            d1=(int)sum_final%10;            display(a1,b1,c1,d1);           }         } 

    標簽: 2543 TLC

    上傳時間: 2013-11-19

    上傳用戶:shen1230

  • 51單片機串口發N字節

    適用于51單片機的串口發n

    標簽: 51單片機 串口 字節

    上傳時間: 2014-12-25

    上傳用戶:qingzhuhu

主站蜘蛛池模板: 安平县| 远安县| 宁波市| 金门县| 敦化市| 宜兴市| 内丘县| 山丹县| 容城县| 且末县| 南京市| 丹东市| 威海市| 土默特右旗| 西华县| 阳朔县| 龙口市| 沙坪坝区| 贵溪市| 广汉市| 津市市| 安丘市| 宕昌县| 济宁市| 张家界市| 苍溪县| 哈密市| 自治县| 彝良县| 酉阳| 从江县| 楚雄市| 青阳县| 孟村| 南和县| 沅陵县| 共和县| 衡南县| 鄂温| 安泽县| 锡林浩特市|