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三極管<b>放大電路</b>

問題描述序列Z=<B

問題描述序列Z=<B，C，D，B>是序列X=<A，B，C，B，D，A，B>的子序列，相應(yīng)的遞增下標(biāo)序列為<2，3，5，7>。一般地，給定一個序列X=<x1,x2,…,xm>，則另一個序列Z=<z1,z2,…,zk>是X的子序列，是指存在一個嚴(yán)格遞增的下標(biāo)序列〈i1,i2,…,ik〉使得對于所有j=1,2,…,k使Z中第j個元素zj與X中第ij個元素相同。給定2個序列X和Y，當(dāng)另一序列Z既是X的子序列又是Y的子序列時，稱Z是序列X和Y的公共子序列。你的任務(wù)是：給定2個序列X、Y，求X和Y的最長公共子序列Z。

標(biāo)簽： lt 序列

上傳時間： 2014-01-25

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1.推動教育學(xué)發(fā)展的內(nèi)在動力是( D)的發(fā)展。A.教育規(guī)律 B.教育價值 C.教育現(xiàn)象 D.教育問題 2.提出“泛智”教育思想

1.推動教育學(xué)發(fā)展的內(nèi)在動力是( D)的發(fā)展。A.教育規(guī)律 B.教育價值 C.教育現(xiàn)象 D.教育問題 2.提出“泛智”教育思想，探討“把一切事物教給一切人類的全部藝術(shù)”的教育家是( B)A.培根 B.夸美紐斯 C.赫爾巴特 D.贊可夫

標(biāo)簽： A. B. C. D.

上傳時間： 2017-01-06

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pcf project dds sdfsd sdcsc sdcsc sdxcs gh fgb dfv fdgbvfg b fg fb fgbv gbfbf s bgtb fgbfv b fbv

pcf project dds sdfsd sdcsc sdcsc sdxcs gh fgb dfv fdgbvfg b fg fb fgbv gbfbf s bgtb fgbfv b fbvf v fbg b v fgg ffg fggfv.

標(biāo)簽： sdcsc fdgbvfg project fgbfv

上傳時間： 2014-12-19

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176-四路場效應(yīng)管模塊

四路場效應(yīng)管模塊；四路場效應(yīng)管模塊；四路場效應(yīng)管模塊

標(biāo)簽： 場效應(yīng)管

上傳時間： 2021-11-10

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抗干擾高穩(wěn)定性：VK2C23A/B I2C接口LCD控制顯示段碼屏驅(qū)動IC

產(chǎn)品型號：VK2C23A/B 產(chǎn)品品牌：VINKA/永嘉微/永嘉微電封裝形式：LQFP64/48 裸片:DICE（邦定COB）/COG（邦定玻璃用）產(chǎn)品年份：新年份聯(lián) 系人：許碩原廠直銷，工程服務(wù)，技術(shù)支持，價格最具優(yōu)勢！QT394 VK2C23A/B概述： VK2C23A/B是一個點陣式存儲映射的LCD驅(qū)動器，可支持最大224點（56SEGx4COM）或者最大416點（52SEGx8COM）的LCD屏。單片機可通過I2C接口配置顯示參數(shù)和讀寫顯示數(shù)據(jù)，也可通過指令進入省電模式。其高抗干擾，低功耗的特性適用于水電氣表以及工控儀表類產(chǎn)品。特點： ★ 工作電壓 2.4-5.5V ★ 內(nèi)置32 kHz RC振蕩器 ★ 偏置電壓（BIAS）可配置為1/3、1/4 ★ COM周期（DUTY）可配置為1/4、1/8 ★ 內(nèi)置顯示RAM為56x4位、52x8位 ★ 幀頻可配置為80Hz、160Hz ★ 省電模式（通過關(guān)顯示和關(guān)振蕩器進入）

標(biāo)簽： VK2C I2C LCD 23 抗干擾高穩(wěn)定接口控制驅(qū)動IC

上傳時間： 2022-04-16

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電路板維修相關(guān)技術(shù)資料

電路板故障分析維修方式介紹 ASA維修技術(shù) ICT維修技術(shù) 沒有線路圖,無從修起電路板太複雜,維修困難維修經(jīng)驗及技術(shù)不足無法維修的死板,廢棄可惜送電中作動態(tài)維修,危險性極高備份板太多,積壓資金送國外維修費用高,維修時間長對老化零件無從查起無法預(yù)先更換維修速度及效率無法提升,造成公司負擔(dān),客戶埋怨投資大量維修設(shè)備,操作複雜,績效不彰

標(biāo)簽： 電路板維修技術(shù)資料

上傳時間： 2013-10-26

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用MOSFET來替代“或”二極管以減少發(fā)熱和節(jié)省空間

高可用性電信繫統(tǒng)采用冗餘電源或電池供電來增強繫統(tǒng)的可靠性。人們通常采用分立二極管來把這些電源組合於負載點處

標(biāo)簽： MOSFET 二極管減發(fā)熱

上傳時間： 2013-10-29

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面向小面積和大面積光電二極管的低躁聲放大器

光電二極管可分為兩類：具高電容 (30pF 至 3000pF)的大面積光電二極管和具相對較低電容 (10pF 或更小)的較小面積光電二極管

標(biāo)簽： 光電二極管低躁聲放大器

上傳時間： 2013-11-21

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可替代整合型MOSFET的獨立元件

在電源設(shè)計中，工程人員時常會面臨控制 IC 驅(qū)動電流不足的問題，或者因為閘極驅(qū)動損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題，工程人員通常會採用外部驅(qū)動器。目前許多半導(dǎo)體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動器解決方案，但因為成本考量，工程師往往會選擇比較低價的獨立元件。

標(biāo)簽： MOSFET 獨立元件

上傳時間： 2013-11-19

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MSP430系列flash型超低功耗16位單片機

MSP430系列flash型超低功耗16位單片機MSP430系列單片機在超低功耗和功能集成等方面有明顯的特點。該系列單片機自問世以來，頗受用戶關(guān)注。在2000年該系列單片機又出現(xiàn)了幾個FLASH型的成員，它們除了仍然具備適合應(yīng)用在自動信號采集系統(tǒng)、電池供電便攜式裝置、超長時間連續(xù)工作的設(shè)備等領(lǐng)域的特點外，更具有開發(fā)方便、可以現(xiàn)場編程等優(yōu)點。這些技術(shù)特點正是應(yīng)用工程師特別感興趣的。《MSP430系列FLASH型超低功耗16位單片機》對該系列單片機的FLASH型成員的原理、結(jié)構(gòu)、內(nèi)部各功能模塊及開發(fā)方法與工具作詳細介紹。MSP430系列FLASH型超低功耗16位單片機目錄第1章引論1.1 MSP430系列單片機1.2 MSP430F11x系列1.3 MSP430F11x1系列1.4 MSP430F13x系列1.5 MSP430F14x系列第2章結(jié)構(gòu)概述2.1 引言2.2 CPU2.3 程序存儲器2.4 數(shù)據(jù)存儲器2.5 運行控制2.6 外圍模塊2.7 振蕩器與時鐘發(fā)生器第3章系統(tǒng)復(fù)位、中斷及工作模式3.1 系統(tǒng)復(fù)位和初始化3.1.1 引言3.1.2 系統(tǒng)復(fù)位后的設(shè)備初始化3.2 中斷系統(tǒng)結(jié)構(gòu)3.3 MSP430 中斷優(yōu)先級3.3.1 中斷操作--復(fù)位/NMI3.3.2 中斷操作--振蕩器失效控制3.4 中斷處理 3.4.1 SFR中的中斷控制位3.4.2 中斷向量地址3.4.3 外部中斷3.5 工作模式3.5.1 低功耗模式0、1（LPM0和LPM1）3.5.2 低功耗模式2、3（LPM2和LPM3）3.5.3 低功耗模式4（LPM4）22 3.6 低功耗應(yīng)用的要點23第4章存儲空間4.1 引言4.2 存儲器中的數(shù)據(jù)4.3 片內(nèi)ROM組織4.3.1 ROM 表的處理4.3.2 計算分支跳轉(zhuǎn)和子程序調(diào)用4.4 RAM 和外圍模塊組織4.4.1 RAM4.4.2 外圍模塊--地址定位4.4.3 外圍模塊--SFR4.5 FLASH存儲器4.5.1 FLASH存儲器的組織4.5.2 FALSH存儲器的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)4.5.3 FLASH存儲器的控制寄存器4.5.4 FLASH存儲器的安全鍵值與中斷4.5.5 經(jīng)JTAG接口訪問FLASH存儲器39第5章 16位CPU5.1 CPU寄存器5.1.1 程序計數(shù)器PC5.1.2 系統(tǒng)堆棧指針SP5.1.3 狀態(tài)寄存器SR5.1.4 常數(shù)發(fā)生寄存器CG1和CG25.2 尋址模式5.2.1 寄存器模式5.2.2 變址模式5.2.3 符號模式5.2.4 絕對模式5.2.5 間接模式5.2.6 間接增量模式5.2.7 立即模式5.2.8 指令的時鐘周期與長度5.3 指令組概述5.3.1 雙操作數(shù)指令5.3.2 單操作數(shù)指令5.3.3 條件跳轉(zhuǎn)5.3.4 模擬指令的簡短格式5.3.5 其他指令第6章硬件乘法器6.1 硬件乘法器6.2 硬件乘法器操作6.2.1 無符號數(shù)相乘(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.2.2 有符號數(shù)相乘(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.2.3 無符號數(shù)乘加(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.2.4 有符號數(shù)乘加(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.3 硬件乘法器寄存器6.4 硬件乘法器的軟件限制6.4.1 尋址模式6.4.2 中斷程序6.4.3 MACS第7章基礎(chǔ)時鐘模塊7.1 基礎(chǔ)時鐘模塊7.2 LFXT1與XT27.2.1 LFXT1振蕩器7.2.2 XT2振蕩器7.2.3 振蕩器失效檢測7.2.4 XT振蕩器失效時的DCO7.3 DCO振蕩器7.3.1 DCO振蕩器的特性7.3.2 DCO調(diào)整器7.4 時鐘與運行模式7.4.1 由PUC啟動7.4.2 基礎(chǔ)時鐘調(diào)整7.4.3 用于低功耗的基礎(chǔ)時鐘特性7.4.4 選擇晶振產(chǎn)生MCLK7.4.5 時鐘信號的同步7.5 基礎(chǔ)時鐘模塊控制寄存器7.5.1 DCO時鐘頻率控制7.5.2 振蕩器與時鐘控制寄存器7.5.3 SFR控制位第8章輸入輸出端口8.1 引言8.2 端口P1、P28.2.1 P1、P2的控制寄存器8.2.2 P1、P2的原理8.2.3 P1、P2的中斷控制功能8.3 端口P3、P4、P5和P68.3.1 端口P3、P4、P5和P6的控制寄存器8.3.2 端口P3、P4、P5和P6的端口邏輯第9章看門狗定時器WDT9.1 看門狗定時器9.2 WDT寄存器9.3 WDT中斷控制功能9.4 WDT操作第10章 16位定時器Timer_A10.1 引言10.2 Timer_A的操作10.2.1 定時器模式控制10.2.2 時鐘源選擇和分頻10.2.3 定時器啟動10.3 定時器模式10.3.1 停止模式10.3.2 增計數(shù)模式10.3.3 連續(xù)模式10.3.4 增/減計數(shù)模式10.4 捕獲/比較模塊10.4.1 捕獲模式10.4.2 比較模式10.5 輸出單元10.5.1 輸出模式10.5.2 輸出控制模塊10.5.3 輸出舉例10.6 Timer_A的寄存器10.6.1 Timer_A控制寄存器TACTL10.6.2 Timer_A寄存器TAR10.6.3 捕獲/比較控制寄存器CCTLx10.6.4 Timer_A中斷向量寄存器10.7 Timer_A的UART應(yīng)用第11章 16位定時器Timer_B11.1 引言11.2 Timer_B的操作11.2.1 定時器長度11.2.2 定時器模式控制11.2.3 時鐘源選擇和分頻11.2.4 定時器啟動11.3 定時器模式11.3.1 停止模式11.3.2 增計數(shù)模式11.3.3 連續(xù)模式11.3.4 增/減計數(shù)模式11.4 捕獲/比較模塊11.4.1 捕獲模式11.4.2 比較模式11.5 輸出單元11.5.1 輸出模式11.5.2 輸出控制模塊11.5.3 輸出舉例11.6 Timer_B的寄存器11.6.1 Timer_B控制寄存器TBCTL11.6.2 Timer_B寄存器TBR11.6.3 捕獲/比較控制寄存器CCTLx11.6.4 Timer_B中斷向量寄存器第12章 USART通信模塊的UART功能12.1 異步模式12.1.1 異步幀格式12.1.2 異步通信的波特率發(fā)生器12.1.3 異步通信格式12.1.4 線路空閑多機模式12.1.5 地址位多機通信格式12.2 中斷和中斷允許12.2.1 USART接收允許12.2.2 USART發(fā)送允許12.2.3 USART接收中斷操作12.2.4 USART發(fā)送中斷操作12.3 控制和狀態(tài)寄存器12.3.1 USART控制寄存器UCTL12.3.2 發(fā)送控制寄存器UTCTL12.3.3 接收控制寄存器URCTL12.3.4 波特率選擇和調(diào)整控制寄存器12.3.5 USART接收數(shù)據(jù)緩存URXBUF12.3.6 USART發(fā)送數(shù)據(jù)緩存UTXBUF12.4 UART模式，低功耗模式應(yīng)用特性12.4.1 由UART幀啟動接收操作12.4.2 時鐘頻率的充分利用與UART的波特率12.4.3 多處理機模式對節(jié)約MSP430資源的支持12.5 波特率計算第13章 USART通信模塊的SPI功能13.1 USART同步操作13.1.1 SPI模式中的主模式13.1.2 SPI模式中的從模式13.2 中斷與控制功能 13.2.1 USART接收/發(fā)送允許位及接收操作13.2.2 USART接收/發(fā)送允許位及發(fā)送操作13.2.3 USART接收中斷操作13.2.4 USART發(fā)送中斷操作13.3 控制與狀態(tài)寄存器13.3.1 USART控制寄存器13.3.2 發(fā)送控制寄存器UTCTL13.3.3 接收控制寄存器URCTL13.3.4 波特率選擇和調(diào)制控制寄存器13.3.5 USART接收數(shù)據(jù)緩存URXBUF13.3.6 USART發(fā)送數(shù)據(jù)緩存UTXBUF第14章比較器Comparator_A14.1 概述14.2 比較器A原理14.2.1 輸入模擬開關(guān)14.2.2 輸入多路切換14.2.3 比較器14.2.4 輸出濾波器14.2.5 參考電平發(fā)生器14.2.6 比較器A中斷電路14.3 比較器A控制寄存器14.3.1 控制寄存器CACTL114.3.2 控制寄存器CACTL214.3.3 端口禁止寄存器CAPD14.4 比較器A應(yīng)用14.4.1 模擬信號在數(shù)字端口的輸入14.4.2 比較器A測量電阻元件14.4.3 兩個獨立電阻元件的測量系統(tǒng)14.4.4 比較器A檢測電流或電壓14.4.5 比較器A測量電流或電壓14.4.6 測量比較器A的偏壓14.4.7 比較器A的偏壓補償14.4.8 增加比較器A的回差第15章模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC1215.1 概述15.2 ADC12的工作原理及操作15.2.1 ADC內(nèi)核15.2.2 參考電平15.3 模擬輸入與多路切換15.3.1 模擬多路切換15.3.2 輸入信號15.3.3 熱敏二極管的使用15.4 轉(zhuǎn)換存儲15.5 轉(zhuǎn)換模式15.5.1 單通道單次轉(zhuǎn)換模式15.5.2 序列通道單次轉(zhuǎn)換模式15.5.3 單通道重復(fù)轉(zhuǎn)換模式15.5.4 序列通道重復(fù)轉(zhuǎn)換模式15.5.5 轉(zhuǎn)換模式之間的切換15.5.6 低功耗15.6 轉(zhuǎn)換時鐘與轉(zhuǎn)換速度15.7 采樣15.7.1 采樣操作15.7.2 采樣信號輸入選擇15.7.3 采樣模式15.7.4 MSC位的使用15.7.5 采樣時序15.8 ADC12控制寄存器15.8.1 控制寄存器ADC12CTL0和ADC12CTL115.8.2 轉(zhuǎn)換存儲寄存器ADC12MEMx15.8.3 控制寄存器ADC12MCTLx15.8.4 中斷標(biāo)志寄存器ADC12IFG.x和中斷允許寄存器ADC12IEN.x15.8.5 中斷向量寄存器ADC12IV15.9 ADC12接地與降噪第16章 FLASH型芯片的開發(fā)16.1 開發(fā)系統(tǒng)概述16.1.1 開發(fā)技術(shù)16.1.2 MSP430系列的開發(fā)16.1.3 MSP430F系列的開發(fā)16.2 FLASH型的FET開發(fā)方法16.2.1 MSP430芯片的JTAG接口16.2.2 FLASH型仿真工具16.3 FLASH型的BOOT ROM16.3.1 標(biāo)準(zhǔn)復(fù)位過程和進入BSL過程16.3.2 BSL的UART協(xié)議16.3.3 數(shù)據(jù)格式16.3.4 退出BSL16.3.5 保護口令16.3.6 BSL的內(nèi)部設(shè)置和資源附錄A 尋址空間附錄B 指令說明B.1 指令匯總B.2 指令格式B.3 不增加ROM開銷的模擬指令B.4 指令說明（字母順序）B.5 用幾條指令模擬的宏指令附錄C MSP430系列單片機參數(shù)表附錄D MSP430系列單片機封裝形式附錄E MSP430系列器件命名

標(biāo)簽： flash MSP 430 超低功耗

上傳時間： 2014-04-28

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