<abbr id="q20aa"></abbr>
基本誤差 在相關國標、規程規定的參比條件下，輸出電流為50mA～120A裝置的最大允許誤差（含標準表）小于0.01％，輸出電流為1mA～50mA裝置的最大允許誤差（含標準表）小于0.015％。 可實現三只三相電能表的三相四線及三相三線的誤差測量；可測試無功電能基本誤差。 1.2.3.2 測量重復性 裝置的測量重復性用實驗標準差表征，在進行不少于10次的重復測量，其測量結果的標準偏差估計值s不超過0.001％。 1.2.3.3 輸出電量 1.2.3.3.1 電壓電流量程 輸出電壓范圍：3×（57.7V～380V）； 每檔電壓輸出瞬間及相位切換時不允許有尖峰。每檔電壓輸出上限達120%Un。 輸出電流范圍：3×（0.001A～100A）； 輸出電流范圍上限要求達到120A。每檔電流輸出瞬間及相位切換時不允許有尖峰。每檔電流輸出上限達120%In。 1.2.3.3.2 輸出負載容量 三表位：電壓輸出：每相≥150VA 電流輸出: 每相≥300VA 1.2.3.3.3 輸出電量調節 （1） 電壓、電流調節： 調節范圍：0%～120% 調節細度：優于0.005%。 （2） 相位調節： 調節范圍：0°～360° 調節細度：優于0.01°。 （3） 頻率調節： 調節范圍：45Hz～65Hz 調節細度：優于0.001Hz。 1.2.3.3.4 輸出功率穩定度：<0.005% / 3min . 穩定度按JJG597的5.2.3.13方法計算。 1.2.3.3.5 輸出電壓電流失真度 裝置輸出電壓電流失真度范圍：小于0.1%。 1.2.3.3.6起動電流：裝置具有起動電流調整、測量功能，能輸出0.5mA的起動電流。 起動電流的測量誤差≤ ?5%，起動功率的測量誤差 ≤ ?10%。 1.2.3.3.7三相電量對稱性 任一相（或線）電壓和相（或線）電壓平均值之差不大于±0.1%；各相電流與其平均值之差不大于±0.2%；任一相電壓與對應相電流間的相位角之差不大于0.5°；任一相電壓（電流）與另一相電壓（電流）間相位角與120°之差不大于0.5°。 1.2.3.4 多路隔離輸出的裝置各路輸出負載影響應符合JJG597—2005中 3.8條的規定。 1.2.3.5 確定同名端鈕間電位差應符合JJG597—2005中3.9條的規定。 1.2.3.6 多路輸出的一致性應符合JJG597—2005中3.7條的規定。 1.2.3.7 監視示值的誤差 監視儀表應有足夠的測量范圍，電壓示值誤差限為±0.2%，電流、功率示值誤差限為±0.2%，相位示值誤差限為±0.3°，頻率示值誤差限為±0.1%，啟動電流和啟動功率的監視示值誤差不超過5%（啟動電流為1mA時的監視示值誤差也不應超過5%）。各監視示值的分辨力應不超過其對應誤差限的1/5。 1.2.3.8 具有消除自激的功能。可自動消除開機或關機時產生的尖脈沖。 1.2.3.9 裝置的磁場 由裝置產生的在被檢表位置的磁感應強度不大于下列數值： I≤10A時，B≤0.0025mT； I=200A時，B≤0.05mT；10A到200A之間的磁感應強度極限值可按內插法求得。 1.2.3.10 電磁兼容性 （1）電磁騷擾的抗擾度 裝置的設計能保證在傳導和輻射的電磁騷擾以及靜電放電的影響下不損壞或不受實質性影響（如元器件損毀、控制系統死機、精度出現變化等影響正常檢定工作的現象），騷擾量為靜電放電、射頻電磁場。 （2）無線電干擾抑制 裝置不發生能干擾其他設備的傳導和輻射噪聲。 1.2.3.11 穩定性變差 （1）短期穩定性變差 裝置基本誤差合格的同時，在15min內的基本誤差最大變化值（連續測量7h），不大于裝置對應最大允許誤差的20％。 （2）檢定周期內變差 檢定周期內裝置基本誤差合格的同時，其最大變化值，不大于0.01％。 1.2.3.12 安全 裝置的絕緣強度試驗要求和與安全有關的結構要求符合GB 4793.1的規定。 1.2.3.13 脈沖輸出 同時檢測三路被檢脈沖：顯示當前誤差平均誤差和標準偏差；同時檢測的被檢脈沖的常數、工作方式和脈沖個數，可完全不同；誤差測量所需要的輸入參數的位數，應能覆蓋目前各種標準表和的檢測需要。對每一表位應有高頻、低頻脈沖信號的BNC接收端口，能接收≤600kHz的有/無源脈沖（5-30V脈沖幅值）。 1.2.3.14供電電源 供電電源在3×220V/380V?10?,50Hz?2Hz裝置正常工作。
上傳時間： 2021-06-15
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CD40系列CD45系列集成芯片DATASHEET數據手冊170個芯片技術手冊資料合集:4000 CMOS 3輸入雙或非門1反相器.pdf4001 CMOS 四2輸入或非門.pdf4002 CMOS 雙4輸入或非門.pdf4006 CMOS 18級靜態移位寄存器.pdf4007 CMOS 雙互補對加反相器.pdf4008 CMOS 4位二進制并行進位全加器.pdf4009 CMOS 六緩沖器-轉換器（反相）.pdf4010 CMOS 六緩沖器-轉換器（同相）.pdf40100 CMOS 32位雙向靜態移位寄存器.pdf40101 CMOS 9位奇偶發生器-校驗器.pdf40102 CMOS 8位BCD可預置同步減法計數器.pdf40103 CMOS 8位二進制可預置同步減法計數器.pdf40104 CMOS 4位三態輸出雙向通用移位寄存器.pdf40105 CMOS 先進先出寄存器.pdf40106 CMOS 六施密特觸發器.pdf40107 CMOS 2輸入雙與非緩沖-驅動器.pdf40108 CMOS 4×4多端寄存.pdf40109 CMOS 四三態輸出低到高電平移位器.pdf4011 CMOS 四2輸入與非門.pdf40110 CMOS 十進制加減計數-譯碼-鎖存-驅動.pdf40117 CMOS 10線—4線BCD優先編碼器.pdf4012 CMOS 雙4輸入與非門.pdf4013 CMOS 帶置位-復位的雙D觸發器.pdf4014 CMOS 8級同步并入串入-串出移位寄存器.pdf40147 CMOS 10線—4線BCD優先編碼器.pdf4015 CMOS 雙4位串入-并出移位寄存器.pdf4016 CMOS 四雙向開關.pdf40160 CMOS 非同步復位可預置BCD計數器.pdf40161 CMOS 非同步復位可預置二進制計數器.pdf40162 CMOS 同步復位可預置BCD計數器.pdf40163 CMOS 同步復位可預置二進制計數器.pdf4017 CMOS 十進制計數器-分頻器.pdf40174 CMOS 六D觸發器.pdf40175 CMOS 四D觸發器.pdf4018 CMOS 可預置 1分N 計數器.pdf40181 CMOS 4位算術邏輯單元.pdf40182 CMOS 超前進位發生器.pdf4019 CMOS 四與或選譯門.pdf40192 CMOS 可預制四位BCD計數器.pdf40193 CMOS 可預制四位二進制計數器.pdf40194 CMOS 4位雙向并行存取通用移位寄存器.pdf4020 CMOS 14級二進制串行計數-分頻器.pdf40208 CMOS 4×4多端寄存器.pdf4021 CMOS 異步8位并入同步串入-串出寄存器.pdf4022 CMOS 八進制計數器-分頻器.pdf4023 CMOS 三3輸入與非門.pdf4024 CMOS 7級二進制計數器.pdf4025 CMOS 三3輸入或非門.pdf40257 CMOS 四2線-1線數據選擇器-多路傳輸.pdf4026 CMOS 7段顯示十進制計數-分頻器.pdf4027 CMOS 帶置位復位雙J-K主從觸發器.pdf4028 CMOS BCD- 十進制譯碼器.pdf4029 CMOS 可預制加-減（十-二進制）計數器.pdf4030 CMOS 四異或門.pdf4031 CMOS 64級靜態移位寄存器.pdf4032 CMOS 3位正邏輯串行加法器.pdf4033 CMOS 十進制計數器-消隱7段顯示.pdf4034 CMOS 8位雙向并、串入-并出寄存器.pdf4035 CMOS 4位并入-并出移位寄存器.pdf4038 CMOS 3位串行負邏輯加法器.pdf4040 CMOS 12級二進制計數-分頻器.pdf4041 CMOS 四原碼-補碼緩沖器.pdf4042 CMOS 四時鐘控制 D 鎖存器.pdf4043 CMOS 四三態或非 R-S 鎖存器.pdf4044 CMOS 四三態與非 R-S 鎖存器.pdf4045 CMOS 21位計數器.pdf4046 CMOS PLL 鎖相環電路.pdf4047 CMOS 單穩態、無穩態多諧振蕩器.pdf4048 CMOS 8輸入端多功能可擴展三態門.pdf4049 CMOS 六反相緩沖器-轉換器.pdf4050 CMOS 六同相緩沖器-轉換器.pdf4051 CMOS 8選1雙向模擬開關.pdf4051,2,3.pdf4052 CMOS 雙4選1雙向模擬開關.pdf4053 CMOS 三2選1雙向模擬開關.pdf4054 C
上傳時間： 2021-11-09
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產品型號：VK3604/VK3604A 產品品牌：VINKA/永嘉微電/永嘉微 封裝形式：SOP16/TSSOP16 產品年份：新年份 聯 系 人：許先生 深圳市永嘉微電科技有限公司，原廠直銷，原裝現貨更有優勢！工程服務，技術支持，讓您的生產高枕無憂！QT178 量大價優，保證原裝正品。您有量，我有價！ 1.概述 VK3604具有4個觸摸按鍵，可用來檢測外部觸摸按鍵上人手的觸摸動作。該芯片具有較高的 集成度，僅需極少的外部組件便可實現觸摸按鍵的檢測。 提供了4路輸出功能，可通過IO腳選擇輸出電平，輸出模式，輸出腳結構，單鍵/多鍵和最 長輸出時間。芯片內部采用特殊的集成電路，具有高電源電壓抑制比，可減少按鍵檢測錯誤的 發生，此特性保證在不利環境條件的應用中芯片仍具有很高的可靠性。 此觸摸芯片具有自動校準功能，低待機電流，抗電壓波動等特性，為各種觸摸按鍵+IO輸 出的應用提供了一種簡單而又有效的實現方法。 特點 ? 工作電壓 2.4-5.5V ? 待機電流7uA/3.3V,14uA/5V ? 上電復位功能（POR） ? 低壓復位功能（LVR） ? 觸摸輸出響應時間：工作模式 48mS ，待機模式160mS ? 通過AHLB腳選擇輸出電平：高電平有效或者低電平有效 ? 通過TOG腳選擇輸出模式：直接輸出或者鎖存輸出 ? 通過SOD腳選擇輸出方式：CMOS輸出或者開漏輸出 ? 通過SM腳選擇輸出：多鍵有效或者單鍵有效 ? 通過MOT腳有效鍵最長輸出時間：無窮大或者16S ? 通過CS腳接對地電容調節整體靈敏度(1-47nF） ? 各觸摸通道單獨接對地小電容微調靈敏度（0-50pF）. ? 上電0.25S內為穩定時間，禁止觸摸 ? 上電后4S內自校準周期為64mS，4S無觸摸后自校準周期為1S ? 封裝 SOP16(150mil)(9.9mm x 3.9mm PP=1.27mm)
標簽： 3604A 3604 CMOS 輸出 VK 按鍵 開漏輸出 觸控芯片 方式 鎖存
上傳時間： 2021-12-25
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臺灣數能NU510ES是 一款低壓線性恒流驅動芯片，高達30V耐壓，高精度恒流，低壓差，功率電流可外掛電阻任意調節電流至最大350mA,NU510恒流芯片主要應用場景如下： 一般 LED 照明 LCD 背光 商業照明 燈條、燈帶 RGB 裝飾燈 LED 手電筒 RGB 顯示器/指示燈/裝飾燈 LED車燈照明/轉向流星燈備註：雙色溫調光調色主要是通過改變 C1、C2 容量的大小，造成 VDD 的上電時間延時不同。多顆電容順序增大，就能產流量燈效果。 NU510提供SOT23-6封裝、SOP-8封裝兩種形式，用戶可以根據實際情況靈活選用，通常150mA 以下采用SOT23-6封裝，150-350mA采用SOP-8封裝。
上傳時間： 2022-01-07
上傳用戶：shjgzh
量產的移動電源硬件設計PDF原理圖+PADS9.3 PCB文件，可直接量產1、原理圖：pdf格式；2、PCB：PADS文件；3、源程序：無；4、主要元器件單片機：不確定充電管理芯片：ME40565V升壓：ME2109電池保護：DW01+、8205A
上傳時間： 2022-01-25
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首先下載軟件，解壓軟件，安裝在程序中找到SEGGER,選里面的J-FLASH，進入界面，剛開始的那個界面可以忽略，不用建project也可以；單擊菜單欄的“Options---Project settings”打開設置，進行jlink配置;正在General選項，選擇“USB”，一般都是默認配置，確認一下即可;然后在CPU選項，選擇芯片型號，先選擇“Device”才能選擇芯片型號，芯片型號，要根據你使用的芯片進行選擇;在Target interface選項 里面選擇SWD模式;首先Target里面選“Connection”連接目標芯片，然后 Target--Auto進行程序燒寫;首先Target里面選擇“Connection”連接目標芯片，然后 Target--Auto進行程序燒寫.SEGGER J-Links are the most widely used line of debug probes available today. They've proven their value for more than 10 years in embedded development. This popularity stems from the unparalleled performance, extensive feature set, large number of supported CPUs, and compatibility with all popular development environments.
標簽： JLINK
上傳時間： 2022-03-22
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目前cPU+ Memory等系統集成的多芯片系統級封裝已經成為3DSiP（3 Dimension System in Package，三維系統級封裝）的主流，非常具有代表性和市場前景，SiP作為將不同種類的元件，通過不同技術，混載于同一封裝內的一種系統集成封裝形式，不僅可搭載不同類型的芯片，還可以實現系統的功能。然而，其封裝具有更高密度和更大的發熱密度和熱阻，對封裝技術具有更大的挑戰。因此，對SiP封裝的工藝流程和SiP封裝中的濕熱分布及它們對可靠性影響的研究有著十分重要的意義本課題是在數字電視（DTV）接收端子系統模塊設計的基礎上對CPU和DDR芯片進行芯片堆疊的SiP封裝。封裝形式選擇了適用于小型化的BGA封裝，結構上采用CPU和DDR兩芯片堆疊的3D結構，以引線鍵合的方式為互連，實現小型化系統級封裝。本文研究該SP封裝中芯片粘貼工藝及其可靠性，利用不導電膠將CPU和DDR芯片進行了堆疊貼片，分析總結了SiP封裝堆疊貼片工藝最為關鍵的是涂布材料不導電膠的體積和施加在芯片上作用力大小，對制成的樣品進行了高溫高濕試驗，分析濕氣對SiP封裝的可靠性的影響。論文利用有限元軟件 Abaqus對SiP封裝進行了建模，模型包括熱應力和濕氣擴散模型。模擬分析了封裝體在溫度循環條件下，受到的應力、應變、以及可能出現的失效形式：比較了相同的熱載荷條件下，改變塑封料、粘結層的材料屬性，如楊氏模量、熱膨脹系數以及芯片、粘結層的厚度等對封裝體應力應變的影響。并對封裝進行了濕氣吸附分析，研究了SiP封裝在85℃RH85%環境下吸濕5h、17h、55和168h后的相對濕度分布情況，還對SiP封裝在濕熱環境下可能產生的可靠性問題進行了實驗研究。在經過168小時濕氣預處理后，封裝外部的基板和模塑料基本上達到飽和。模擬結果表明濕應力同樣對封裝的可靠性會產生重要影響。實驗結果也證實了，SiP封裝在濕氣環境下引入的濕應力對可靠性有著重要影響。論文還利用有限元分析方法對超薄多芯片SiP封裝進行了建模，對其在溫度循環條件下的應力、應變以及可能的失效形式進行了分析。采用二水平正交試驗設計的方法研究四層芯片、四層粘結薄膜、塑封料等9個封裝組件的厚度變化對芯片上最大應力的影響，從而找到最主要的影響因子進行優化設計，最終得到更優化的四層芯片疊層SiP封裝結構。
標簽： sip封裝
上傳時間： 2022-04-08
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內容為STM32操作ATT7022E芯片進行初始化、數據讀取的例子。ATT7022E是一款三相電量檢測芯片，用于電網狀態檢測。
上傳時間： 2022-04-11
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基于 STM32F105VCT6 芯片，設計了一款支持觸摸/刷卡操作、電能計量和 4G 通信等功能的三相交流充電樁控制系統。首先提出了三相交流充電樁控制系統的主體結構，對其進行了功能模塊劃分，然后設計了控制系統的硬件電路和軟件程序，主要包括控制導引狀態檢測電路、三相電壓和電流測量等電路，并且采用Keil μVision5 軟件開發系統對控制系統進行軟件開發，設計了控制導引電路和狀態檢測電路等軟件程序。最終的樣機測試表明，本文設計的三相交流充電樁控制系統能夠實現充電樁與車輛的正確響應，可以用于電動汽車充電領域。
上傳時間： 2022-04-29
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基于TMS320F28035芯片為控制核心的空間矢量異步電機變頻器 我們設計的異步電機變頻調速器以TMS320F28035芯片為控制核心，通過輸出三相PWM波控制智能功率模塊IPM驅動三相異步電機。我們使用空間矢量SVPWM算法，并對其進行了優化。采用檢測反電勢的方法省去了昂貴的光電編碼器，大大節省了成本。同時開創性的研發了自動根據運行環境調節的自適應變頻算法，使我們的變頻調速器可以在電網條件惡劣的鄉村山區工作，由此該變頻器已被一家民用水泵生產企業預訂。關鍵字 變頻器 TMS320f28035 IPM SVPWM In our design, the asynchronous machine inverter based on the chip of TMS320F28035 drives the three-Phase asynchronous machine by sending three-phase PWM waves to the IPM, which is short for the Intelligent-Power-Module. The SVPWM (space vector pulse width modulation) strategy is applied to our control algorithm and we optimize it mainly in two aspects. Firstly the inverter detects the speed by measuring the Back EMF instead of installing an expensive photoelectric encoder for costs reduction.
標簽： tms320f28035 芯片
上傳時間： 2022-05-08
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