三次B樣條曲線源代碼,C語(yǔ)言編寫的三次B樣條曲線源代碼，希望大家喜歡。
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上傳時(shí)間： 2013-07-13
上傳用戶：chengli008
該系統(tǒng)是一款磁卡閱讀存儲(chǔ)器，根據(jù)用戶要求解決了普通閱讀器只能實(shí)時(shí)連接計(jì)算機(jī)，不能單獨(dú)使用的問(wèn)題。而且針對(duì)作為特殊用途的磁卡，要求三道磁道都記錄數(shù)據(jù)，并且第三磁道記錄格式與標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的記錄格式不同時(shí)，系統(tǒng)配套的應(yīng)用程序?qū)ζ渥隽苏_譯碼、顯示。 @@ 整個(gè)系統(tǒng)包括單片機(jī)控制的閱讀存儲(chǔ)器硬件部分，和配套使用的計(jì)算機(jī)界面應(yīng)用程序軟件部分。其中硬件電路包括磁條譯碼芯片、外部存儲(chǔ)器芯片、串口電平轉(zhuǎn)換芯片等等，所有的工作過(guò)程都是由單片機(jī)控制。我們這里選用紫外線擦除的87C52單片機(jī)，電路使用的集成電路芯片都是采用SMT封裝器件，極大縮小了讀存器的體積，使用簡(jiǎn)單，攜帶方便。 @@ 磁條譯碼芯片采用的是中青科技有限公司出品的M3-230.LQ F/2F解碼器集成電路。該IC實(shí)現(xiàn)了磁信號(hào)到電信號(hào)的轉(zhuǎn)換。外部存儲(chǔ)器則是使用的8K Bytes的24LC65集成芯片，擴(kuò)展8片，總?cè)萘窟_(dá)到8×8K。 @@ MAXIM公司出品的MAX232實(shí)現(xiàn)了單片機(jī)TTL電平到RS232接口電平的轉(zhuǎn)換，從而與計(jì)算機(jī)串口實(shí)現(xiàn)硬件連接。 @@ 計(jì)算機(jī)界面顯示程序采用當(dāng)今使用最廣的面向?qū)ο缶幊陶Z(yǔ)言Visual Basic 6.0版本(以后簡(jiǎn)稱VB)，并且使用VB帶有的串口通信控件MScomm，通過(guò)設(shè)置其屬性，使其和下位機(jī)單片機(jī)協(xié)議保持一致，進(jìn)而進(jìn)行正確的串口通信。關(guān)于磁道上數(shù)據(jù)記錄的譯碼，則是通過(guò)對(duì)每條磁道上數(shù)據(jù)記錄進(jìn)行多次實(shí)驗(yàn)，認(rèn)真分析，進(jìn)而得到了各條磁道各自的編碼規(guī)則，按照其規(guī)則對(duì)其譯碼顯示。這部分程序也是通過(guò)VB編程語(yǔ)言實(shí)現(xiàn)的。另外，計(jì)算機(jī)應(yīng)用程序部分還實(shí)現(xiàn)了對(duì)下位機(jī)讀存器的擦除控制。 @@關(guān)鍵詞：磁卡，閱讀存儲(chǔ)器，單片機(jī)，串口通信，track3數(shù)據(jù)譯碼
上傳時(shí)間： 2013-08-05
上傳用戶：黃華強(qiáng)
近年來(lái)，多電平逆變器在高壓大容量電能變換中得到廣泛應(yīng)用，而其控制策略和電路拓?fù)涞纫殉蔀榱搜芯繜狳c(diǎn)。相對(duì)傳統(tǒng)的兩電平逆變器，它具有效率高動(dòng)態(tài)性能好，對(duì)電動(dòng)機(jī)產(chǎn)生的諧波少，適合高壓大容量等優(yōu)點(diǎn)。但隨著電平數(shù)的增加，基本控制算法越來(lái)越復(fù)雜，同時(shí)還存在中點(diǎn)電壓不平衡等問(wèn)題。將DSP數(shù)字控制技術(shù)應(yīng)用于多電平逆變器不僅簡(jiǎn)化了系統(tǒng)的硬件控制電路，提高了系統(tǒng)性能，還可以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的優(yōu)化控制。 本文以二極管箝位式三電平逆變器為研究對(duì)象，首先介紹了三電平逆變器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和工作原理，對(duì)三電平逆變器的電路方程進(jìn)行了深入的分析，在開關(guān)函數(shù)的基礎(chǔ)上建立了三電平逆變器的數(shù)學(xué)模型。在此基礎(chǔ)上，對(duì)空間電壓矢量脈寬調(diào)制（SVPWM）算法進(jìn)行了改進(jìn)，并詳細(xì)推導(dǎo)了該調(diào)制算法的計(jì)算公式，結(jié)合中點(diǎn)電位控制來(lái)確定開關(guān)矢量的作用順序，使仿真和實(shí)現(xiàn)都比較容易。然后重點(diǎn)分析了三電平逆變器直流側(cè)電容電壓不平衡問(wèn)題產(chǎn)生的原因，提出了一種能控制逆變器直流側(cè)電容中點(diǎn)電位平衡的電壓空間矢量脈寬調(diào)制方法。最后采用MATLAB仿真軟件對(duì)所推導(dǎo)的三電平逆變器SVPWM調(diào)制算法和中點(diǎn)電位平衡控制方法進(jìn)行了仿真分析，證明了該調(diào)制算法的正確性和可行性。
上傳時(shí)間： 2013-05-20
上傳用戶：PresidentHuang
近年來(lái)，在電氣傳動(dòng)領(lǐng)域中三電平變頻器得到了廣泛的應(yīng)用。三電平逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的出現(xiàn)為高電壓、大功率變頻器的實(shí)現(xiàn)提供了一個(gè)有效的途徑。研究和開發(fā)三電平大功率變頻器，無(wú)論在技術(shù)上還是在實(shí)際應(yīng)用上都有十分重要的意義。本文圍繞三電平大功率通用變頻器的實(shí)用化技術(shù)進(jìn)行了深入分析和研究。 論文首先介紹了三電平逆變器主電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、控制要求、基本原理、特性和PWM控制策略以及調(diào)試中存在的問(wèn)題和相關(guān)的解決方法。 中點(diǎn)電位不平衡是三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的一個(gè)固有問(wèn)題。針對(duì)這一問(wèn)題，本論文分析了中點(diǎn)電壓不平衡的根本原因，采用了一種基于滯環(huán)控制的電壓平衡控制方法。該方法根據(jù)負(fù)載電流方向的不同組合，通過(guò)調(diào)整小矢量的冗余狀態(tài)和作用時(shí)間，并充分考慮到中矢量對(duì)中點(diǎn)平衡的影響，動(dòng)態(tài)調(diào)整兩個(gè)電容器上的電壓，同時(shí)，詳細(xì)地分析了當(dāng)參考電壓矢量落到具有一種或兩種冗余小矢量的小三角形區(qū)間時(shí)開關(guān)狀態(tài)的選擇、開關(guān)序列的順序以及作用時(shí)間的分配。 基于載波的調(diào)制策略是三電平變頻器采用的主要調(diào)制方式之一。本論文對(duì)所采用的基于載波的調(diào)制策略，作了深入分析，得出了相應(yīng)的諧波特性。基于諧波總含量，對(duì)調(diào)制特性的優(yōu)劣進(jìn)行了比較，同時(shí)得出了不同載波調(diào)制策略輸出電壓諧波含量與調(diào)制度變化的對(duì)應(yīng)關(guān)系，并通過(guò)實(shí)驗(yàn)和仿真對(duì)相關(guān)結(jié)果進(jìn)行了驗(yàn)證。 主電路和控制電路的硬件設(shè)計(jì)將直接影響到變頻器的運(yùn)行性能。本論文介紹了在現(xiàn)場(chǎng)實(shí)際運(yùn)行中變頻器的主回路及其控制回路的硬件設(shè)計(jì)，采用理論計(jì)算與實(shí)踐驗(yàn)證相結(jié)合的方法得出器件相關(guān)參數(shù)，并且針對(duì)變頻器內(nèi)外RCD緩沖電路在工作時(shí)所產(chǎn)生的電壓不平衡作了分析，詳細(xì)的給出了其緩沖吸收電路算法。 最后，把本文的部分研究結(jié)果應(yīng)用于實(shí)際工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)中，研制了690V/600kW的大功率中壓變頻器，給出了現(xiàn)場(chǎng)運(yùn)行結(jié)果。運(yùn)行結(jié)果表明該變頻器輸出波形良好，性能滿足要求。
上傳時(shí)間： 2013-08-04
上傳用戶：kirivir
高頻電子線路(第三版)，高等教育出版社。經(jīng)典教材
標(biāo)簽： 高頻電子線路
上傳時(shí)間： 2013-05-17
上傳用戶：Amos
多電平逆變器在大容量、高壓場(chǎng)合得到了廣泛的應(yīng)用。在多電平逆變器的多種控制策略中，空間矢量脈寬調(diào)制(SVPWM)算法具有調(diào)制比大、能夠優(yōu)化輸出電壓波形、易于數(shù)字實(shí)現(xiàn)、母線電壓利用率高等優(yōu)點(diǎn)，成為人們關(guān)注的熱點(diǎn)。 本文首先對(duì)電力電子技術(shù)的發(fā)展前景和多電平逆變器控制技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r進(jìn)行了綜述。在分析兩電平逆變器工作原理的基礎(chǔ)上對(duì)三電平逆變器進(jìn)行了研究，綜合比較了三電平逆變電路三種典型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點(diǎn)；介紹了二極管箝位型三電平逆變器，分析了二極管箝位型三電平逆變器相對(duì)于傳統(tǒng)兩電平逆變器的優(yōu)點(diǎn)，體現(xiàn)了課題研究的重要意義。其次，本文以中點(diǎn)箝位式三電平逆變器的基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，著重分析了三電平空間電壓矢量調(diào)制基本原理，提出了一種將最近的三個(gè)矢量合成參考矢量的空間矢量脈寬調(diào)制算法，給出大扇區(qū)和小三角形區(qū)域判斷規(guī)則以及合成參考電壓矢量的相應(yīng)輸出作用順序，并優(yōu)化了開關(guān)矢量的作用順序，利于實(shí)現(xiàn)對(duì)中點(diǎn)電壓的控制，使算法易于實(shí)現(xiàn)。再次，論文分析了三電平逆變器直流側(cè)電容電壓不平衡產(chǎn)生的原因，分析了大、中、小矢量對(duì)中點(diǎn)電位的影響，提出了能夠影響中點(diǎn)電位波動(dòng)的關(guān)鍵矢量，并通過(guò)分配成對(duì)小矢量的作用時(shí)間實(shí)現(xiàn)了對(duì)中點(diǎn)電位的控制。最后，采用MATLAB軟件對(duì)所推導(dǎo)的三電平逆變器SVPWM調(diào)制算法進(jìn)行了仿真分析，結(jié)果證明了算法的可行性。
上傳時(shí)間： 2013-08-01
上傳用戶：icarus
有機(jī)發(fā)光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作為下一代顯示器倍受關(guān)注，它具有輕、薄、高亮度、快速響應(yīng)、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優(yōu)點(diǎn)，完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件，OLED的最大優(yōu)越性是能夠與塑料晶體管技術(shù)相結(jié)合實(shí)現(xiàn)柔性顯示，應(yīng)用前景非常誘人。OLED如此眾多的優(yōu)點(diǎn)和廣闊的商業(yè)前景，吸引了全球眾多研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)參與其研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。然而，OLED也存在一些問(wèn)題，特別是在發(fā)光機(jī)理、穩(wěn)定性和壽命等方面還需要進(jìn)一步的研究。要達(dá)到這些目標(biāo)，除了器件的材料，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)外，封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現(xiàn)有的材料，從綠光OLED器件制作工藝、發(fā)光機(jī)理，結(jié)構(gòu)和封裝入手，首先，探討了作為陽(yáng)極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴(yán)重影響著光刻質(zhì)量和器件的最終性能；ITO表面經(jīng)過(guò)氧等離子處理后其表面功函數(shù)增大，明顯提高了器件的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。 其次，針對(duì)光刻、曝光工藝技術(shù)進(jìn)行了一系列相關(guān)實(shí)驗(yàn)，在光刻工藝中，光刻膠的厚度是影響光刻質(zhì)量的一個(gè)重要因素，其厚度在1.2μm左右時(shí)，光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過(guò)程中的曝光工藝，摸索出了最佳工藝參數(shù)。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結(jié)構(gòu)為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝，實(shí)驗(yàn)一中，在封裝玻璃的四周涂上UV膠，放入手套箱，在氮?dú)獗Ｗo(hù)氣氛下用紫外冷光源照射1min進(jìn)行一次封裝，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠，真空下用紫外冷光源照射1min，固化進(jìn)行二次封裝。實(shí)驗(yàn)二中，在各功能層蒸鍍完成后，又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層，然后再按實(shí)驗(yàn)一的方法進(jìn)行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對(duì)兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發(fā)光光譜及壽命等特性進(jìn)行了測(cè)試與討論。通過(guò)對(duì)比，研究發(fā)現(xiàn)增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長(zhǎng)，其中，Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了1.4倍，Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了兩倍多，Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了1.3倍，研究還發(fā)現(xiàn)薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標(biāo)等光電性能。最后，分別對(duì)三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進(jìn)行了研究。
上傳時(shí)間： 2013-07-11
上傳用戶：liuwei6419
近年來(lái)在運(yùn)動(dòng)控制領(lǐng)域三電平中壓變頻器的開發(fā)研究得到了廣泛關(guān)注，三電平逆變器使得電壓型逆變器的大容量化、高性能化成為可能，研究和開發(fā)三電平逆變器，無(wú)論在技術(shù)上還是在實(shí)際應(yīng)用上都有十分重要的意義。 本文首先論述了三電平逆變器的原理，詳細(xì)分析了一種控制策略—空間電壓矢量法，給出PWM波的計(jì)算公式和開關(guān)動(dòng)作次序，并仿真出波形。 其次闡述了三電平逆變器的主電路構(gòu)成、功率器件MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)和基于DSP2407A控制系統(tǒng)硬件電路設(shè)計(jì)，并據(jù)此設(shè)計(jì)出了一套小容量三電平逆交器實(shí)驗(yàn)裝置。 最后介紹了三電平空間電壓矢量控制算法的實(shí)現(xiàn)和軟件設(shè)計(jì)，給出了實(shí)驗(yàn)裝置的運(yùn)行結(jié)果，并分析了設(shè)計(jì)中存在的問(wèn)題。
上傳時(shí)間： 2013-04-24
上傳用戶：tfyt
高壓變頻調(diào)速技術(shù)節(jié)能效果顯著，多電平逆變器是其常用的一種電路拓?fù)湫问?。三電平逆變器能降低功率器件耐壓要求、降低諧波含量，普遍地采用電壓空間矢量脈寬調(diào)制的控制策略。將DSP數(shù)字控制技術(shù)應(yīng)用于三電平逆變器不僅簡(jiǎn)化了系統(tǒng)的硬件結(jié)構(gòu)，提高系統(tǒng)性能，還可以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的優(yōu)化控制。 本文首先簡(jiǎn)要介紹了三電平逆變器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和控制策略，并闡述了二極管箝位式三電平逆變器電路結(jié)構(gòu)和電壓空間矢量脈寬調(diào)制控制策略的實(shí)現(xiàn)方法。在此基礎(chǔ)上，通過(guò)對(duì)逆變器的工作過(guò)程分析，建立了逆變器的數(shù)學(xué)模型。并提出了一種能控制逆變器直流側(cè)電容中點(diǎn)電位平衡并且能降低開關(guān)損耗的電壓空間矢量脈寬調(diào)制方法。 本文在綜述人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的基礎(chǔ)上，提出一種基于復(fù)合人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的電壓空間矢量脈寬調(diào)制算法，充分利用人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的快速并行處理能力、學(xué)習(xí)能力，縮短了計(jì)算時(shí)間，降低了由控制延時(shí)引起的諧波成分。最后在MATIAB/Simulink環(huán)境下，結(jié)合ANN工具箱建立了仿真模型。仿真結(jié)果證明了基于復(fù)合人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法的可行性。 本文進(jìn)行了三電平逆變器的主電路、開關(guān)器件驅(qū)動(dòng)電路、電流電壓檢測(cè)電路和保護(hù)電路等的設(shè)計(jì)。根據(jù)三電平逆變器主電路功率開關(guān)多，驅(qū)動(dòng)信號(hào)不能共地的特點(diǎn)，本文設(shè)計(jì)一種利用光耦隔離驅(qū)動(dòng)功率開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，降低電磁干擾，并在過(guò)流等異常情況下實(shí)時(shí)保護(hù)功率開關(guān)器件。最后以TMS320LF2407DSP為數(shù)字控制平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)了三電平逆變器的電壓空間矢量脈寬調(diào)制控制策略。
上傳時(shí)間： 2013-07-07
上傳用戶：natopsi
固態(tài)硬盤是一種以FLASH為存儲(chǔ)介質(zhì)的新型硬盤。由于它不像傳統(tǒng)硬盤一樣以高速旋轉(zhuǎn)的磁盤為存儲(chǔ)介質(zhì)，不需要浪費(fèi)大量的尋道時(shí)間，因此它有著傳統(tǒng)硬盤不可比擬的順序和隨機(jī)存儲(chǔ)速度。同時(shí)由于固態(tài)硬盤不存在機(jī)械存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，因此還具有高抗震性、無(wú)工作噪音、可適應(yīng)惡劣工作環(huán)境等優(yōu)點(diǎn)。隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的高速發(fā)展，固態(tài)硬盤技術(shù)已經(jīng)成為未來(lái)存儲(chǔ)介質(zhì)技術(shù)發(fā)展的必然趨勢(shì)。 本文以設(shè)計(jì)固態(tài)硬盤控制芯片IDE接口部分為項(xiàng)目背景，通過(guò)可編程邏輯器件FPGA，基于ATA協(xié)議并使用硬件編程語(yǔ)言verilog，設(shè)計(jì)了一個(gè)位于設(shè)備端的IDE控制器。該IDE控制器的主要作用在于解析主機(jī)所發(fā)送的IDE指令并控制硬盤設(shè)備進(jìn)行相應(yīng)的狀態(tài)遷移和指令操作，從而完成硬盤設(shè)備端與主機(jī)端之間基本的狀態(tài)通信以及數(shù)據(jù)通信。論文主要完成了幾個(gè)方面的內(nèi)容。第一：論文從固態(tài)硬盤的基本結(jié)構(gòu)出發(fā)，分析了固態(tài)硬盤IDE控制器的功能性需求以及寄存器傳輸、PIO傳輸和UDMA傳輸三種ATA協(xié)議主要傳輸模式所必須遵循的時(shí)序要求，并概括了IDE控制器設(shè)計(jì)的要點(diǎn)和難點(diǎn)；第二：論文設(shè)計(jì)了IDE控制器的總體功能框架，將IDE控制器從功能上分為寄存器部分、頂層控制模塊、異步FIFO模塊、PIO控制模塊、UDMA控制模塊以及CRC校驗(yàn)?zāi)K六大子功能模塊，并分析了各個(gè)子功能模塊的基本工作原理和具體功能設(shè)計(jì)；第三：論文以設(shè)計(jì)狀態(tài)機(jī)流程和主要控制信號(hào)的方式實(shí)現(xiàn)了各個(gè)具體子功能模塊并列舉了部分關(guān)鍵代碼，同時(shí)給出了主要子功能模塊的時(shí)序仿真圖；最后，論文給出了基于PIO傳輸模式和基于UDMA傳輸模式的具體指令操作流程實(shí)現(xiàn)，并通過(guò)SAS邏輯分析儀和QuartusⅡ?qū)DE控制器進(jìn)行了功能測(cè)試和分析，驗(yàn)證了本論文設(shè)計(jì)的正確性。
上傳時(shí)間： 2013-07-31
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