系統地分析了5kW恒流逆變器中輔助電源電磁干擾產生的來源和干擾方式以及對整個變流器系統性能的影響。結合工作實踐給出了一系列提高電源系統電磁兼容性(EMC)的設計方
上傳時間: 2014-01-14
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在對具有多路輸出的反激變換器進行理論分析的基礎上,進行了模型仿真及試驗。其結果揭示了由于各路輸出時間常數的不同,而導致變換器在連續工作模式下出現假斷續狀態,此分析結果為反激變換器的輸出參數設計提供了很好的依據。
上傳時間: 2013-11-17
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隨著變頻器的廣泛使用,系統的抗干擾技術變得越來越重要,其中接地是抑制干擾,提高系統電磁兼容性能的重要手段之一。正確的接地可以使系統有效地抑制外來的干擾,同時又能有效地降低系統本身對外的電磁騷擾。在實際應用中,由于系統電源的零線(中線)、地線(保護接地線和系統接地線)不分,系統的屏蔽地(控制信號的屏蔽地和主電路導線的屏蔽地)連接混亂,大大降低了系統的穩定性和可靠性。
上傳時間: 2013-11-10
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前言城市中低壓配電網是電力系統的重要組成部分,是城市建設的重要基礎設施。為滿足城市建設、經濟發展和人民生活用電的需要,指導全國城市中低壓配電網改造工作,使之達到安全可靠、技術先進、經濟合理的要求,根據原能源部司局電供[1991]131號文和原能源部電力司提出的《關于加強城市中低壓配電網改造的若干意見》,由全國電力系統城市供電專業工作網負責,在廣泛征求意見的基礎上,總結了北京、上海、長沙、南京、沈陽、廣州、武漢、福州、重慶、昆明、烏魯木齊、遼陽、包頭供電局(電業局)城市中低壓配電網改造方面的經驗,由北京供電局具體起草了本技術導則。本標準由電力工業部安全監察及生產協調司提出并歸口。本標準由全國電力系統城市供電專業工作網、北京供電局起草。本標準主要起草人:寧岐、陳光華、關誠、伍秋熹、牛益民。
上傳時間: 2013-10-28
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介紹了雙反星形可控硅整流電路中的平衡電抗器及其在電路中所起的作用,即保證兩組三相半波整流電路同時導電和電路輸出電流的平衡,并例舉了該電抗器在運行過程中發生的故障及處理事例。
上傳時間: 2013-11-22
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系統介紹逆變器中IGBT 的驅動與保護技術, 給出了IGBT 對驅動電路的要求, 介紹了三菱公司的IGBT 驅動電路M 57962L 以及IGBT 的過壓、過流、過熱保護等措施。這些措施實用性強, 保護效果好。
上傳時間: 2013-10-10
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DH1718E(G)型雙路穩壓穩流電源是一種帶有雙3位數字面板表顯示的恒壓(CV)與恒流(CC)自動轉換的高精度電源。DH1718E(G)型可同時顯示輸出電壓及電流。本機設有輸出電壓、電流預調電路及輸出開關電路。輸出開關是一種電子開關,不會產生機械振動及噪聲,當輸出開關關閉時,電壓表指示的值與調節電壓旋鈕的位置相對應,以便于電壓的預調節,電流表指示的值與調節電流旋鈕的位置相對應,以便于電流的預調節,按下輸出開關,在輸出接線柱上便有電壓輸出。本電源還具有主、從路電壓跟蹤功能。左邊為主路,右邊為從路,在跟蹤狀態下,從路的輸出電壓隨主路而變化(變化量可調節從路的電壓調節電位器)。這對于需要對稱且可調雙極性電源的場合特別適用。DH1718G直流穩壓電源是在DH 1718E兩路可調電源基礎上增加一路固定(5V/3A)電源組成。其可調部分的功能、性能指標同DH1718E系列相應型號。
上傳時間: 2013-10-21
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摘要:在一種通訊解決方案中,由于用到各種不同的集成IC,往往需要多種不同的供電電壓,出于成本考慮以及系統集成,電源不能用多種不同電壓的直流電源來供電,因此需要特定的DC/DC芯片來解決這些問題,以實現電源電壓的升或者降,來提供不同的輸出電源,供各種芯片使用,本文講述的是3.3V到12V的升壓實現方案。關鍵詞:DC/DC,LM3224,PWM,開關
上傳時間: 2014-01-18
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摘要:針對便攜式智能溫度儀中輔助電源設計,考慮其產品體積要求與溫度、濕度等多路測量精度要求,選擇FLYBACK(反激式DC/DC變換器)為設計基礎,就其體積要求很小所帶來的一系列的干擾給出了一些有用的抑制方法.通過優化變壓器設計,電路結構設計PCB板設計以及保護控制電路,提出一種具有嘗試性的變換器設計方案.實驗結果證明,該設計方案可以很好的滿足溫度測量要求.關鍵詞:反激式直流變換器;開關電源;抗干擾;智能溫度儀
上傳時間: 2013-11-17
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同步整流技術簡單介紹大家都知道,對于開關電源,在次級必然要有一個整流輸出的過程。作為整流電路的主要元件,通常用的是整流二極管(利用它的單向導電特性),它可以理解為一種被動式器件:只要有足夠的正向電壓它就開通,而不需要另外的控制電路。但其導通壓降較高,快恢復二極管(FRD)或超快恢復二極管(SRD)可達1.0~1.2V,即使采用低壓降的肖特基二極管(SBD),也會產生大約0.6V的壓降。這個壓降完全是做的無用功,并且整流二極管是一種固定壓降的器件,舉個例子:如有一個管子壓降為0.7V,其整流為12V時它的前端要等效12.7V電壓,損耗占0.7/12.7≈5.5%.而當其為3.3V整流時,損耗為0.7/4(3.3+0.7)≈17.5%。可見此類器件在低壓大電流的工作環境下其損耗是何等地驚人。這就導致電源效率降低,損耗產生的熱能導致整流管進而開關電源的溫度上升、機箱溫度上升--------有時系統運行不穩定、電腦硬件使用壽命急劇縮短都是拜這個高溫所賜。隨著電腦硬件技術的飛速發展,如GeForce 8800GTX顯卡,其12V峰值電流為16.2A。所以必須制造能提供更大輸出電流(如多核F1,四路12V,每路16A;3.3V和5V輸出電流各高達24A)的電源轉換器。而當前世界的能源緊張問題的凸現,為廣大用戶提供更高轉換效率(如多核R80,完全符合80PLUS標準)的電源轉換器就是我們整個開關電源行業的不可回避的社會責任了。如何解決這些問題?尋找更好的整流方式、整流器件。同步整流技術和通態電阻(幾毫歐到十幾毫歐)極低的專用功率MOSFET就是在這個時刻走上開關電源技術發展的歷史舞臺了!作為取代整流二極管以降低整流損耗的一種新器件,功率MOSFET屬于電壓控制型器件,它在導通時的伏安特性呈線性關系。因為用功率MOSFET做整流器時,要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能,故稱之為同步整流。它可以理解為一種主動式器件,必須要在其控制極(柵極)有一定電壓才能允許電流通過,這種復雜的控制要求得到的回報就是極小的電流損耗。在實際應用中,一般在通過20-30A電流時才有0.2-0.3V的壓降損耗。因為其壓降等于電流與通態電阻的乘積,故小電流時,其壓降和恒定壓降的肖特基不同,電流越小壓降越低。這個特性對于改善輕載效率(20%)尤為有效。這在80PLUS產品上已成為一種基本的解決方案了。對于以上提到的兩種整流方案,我們可以通過灌溉農田來理解:肖特基整流管可以看成一條建在泥土上沒有鋪水泥的灌溉用的水道,從源頭下來的水源在中途滲漏了很多,十方水可能只有七、八方到了農田里面。而同步整流技術就如同一條鑲嵌了光滑瓷磚的引水通道,除了一點點被太陽曬掉的損失外,十方水能有9.5方以上的水真正用于澆灌那些我們日日賴以生存的糧食。我們的多核F1,多核R80,其3.3V整流電路采用了通態電阻僅為0.004歐的功率MOSFET,在通過24A峰值電流時壓降僅為20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作時的3.3V電流為10A,則其壓降損耗僅為10*0.004=0.04V,損耗比例為0.04/4=1%,比之于傳統肖特基加磁放大整流技術17.5%的損耗,其技術的進步已不僅僅是一個量的變化,而可以說是有了一個質的飛躍了。也可以說,我們為用戶修建了一條嚴絲合縫的灌溉電腦配件的供電渠道。
標簽: 同步整流
上傳時間: 2013-10-27
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