線性卷積和線性相關(guān)的FFT算法:一 實驗?zāi)康? 1:掌握FFT基2時間(或基2頻率)抽選法,理解其提高減少乘法運算次數(shù)提高運算速度的原理。 2:掌握FFT圓周卷積實現(xiàn)線性卷積的原理 二 實驗內(nèi)容及要求 1.對N=2048或4096點的離散時間信號x(n),試用Matlab語言編程分別以DFT和FFT計算N個頻率樣值X(k), 比較兩者所用時間的大小。 2.對N/2點長的x(n)和N/2點長的h(n),試用Matlab語言編程實現(xiàn)以圓周卷積代替線性卷積,并比較圓周卷積法和直接計算線性卷積兩者的運算速度。 三預(yù)做實驗 1.FFT與DFT計算時間的比較 (1)FFT提高運算速度的原理 (2)實驗數(shù)據(jù)與結(jié)論 2.圓周卷積代替線性卷積的有效性實驗 (1)圓周卷積代替線性卷積的原理 (2)實驗數(shù)據(jù)和結(jié)論 FFT提高運算速度的原理 FFT算法將長序列的DFT分解為短序列的DFT。N點的DFT先分解為2個N/2點的DFT,每個N/2點的DFT又分解為N/4點的DFT,等等。最小變換的點數(shù)即所謂的“基數(shù)”。因此,基數(shù)為2的FFT算法的最小變換(或稱蝶型)是2點的DFT。一般地,對N點FFT,對應(yīng)于N個輸入樣值,有N個頻域樣值與之對應(yīng)。
上傳時間: 2013-10-26
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傳統(tǒng)電源電路檢修 二、開關(guān)電源電路檢修 •首先應(yīng)檢查F601、F602兩個保險絲。 •若F601或F602熔斷,有可能是保險絲本身質(zhì)量不好,但換上新保險絲后再次熔斷,說明電路有電流過大故障. •若F601再次熔斷,有可能是整流管V601、V602擊穿。 •若F602再次熔斷,有可能是穩(wěn)壓輸出12V的負載過流,也可能是調(diào)整管V603、V605的c-e極擊穿。 •若保險絲好,再檢查18V直流電壓。無18V電壓,則有可能是電源變壓器繞組開路、或電源開關(guān)S601接觸不良,或V601、V602整流管都開路。 若18V正常,則無12V輸出電壓的原因可能是R601、R602開路,C604、C605擊穿,或V603、V605開路
上傳時間: 2013-11-18
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這里本站向大家介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應(yīng)管,普通電源變壓器構(gòu)成。它的輸出功率取決于MOS場效應(yīng)管和電源變壓器的功率,免除了煩瑣的變壓器繞制,適合電子愛好者業(yè)余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過程。
標(biāo)簽: MOS 電源變壓器 場效應(yīng)管 逆變器
上傳時間: 2013-11-08
上傳用戶:農(nóng)藥鋒6
采用雙極型開關(guān)管的逆變器,基極驅(qū)動電流基本上為開關(guān)電流的1/β,因此大電流開關(guān)電路必須采用多級放大,不僅使電路復(fù)雜化,可靠性也變差而且隨著輸出功率的增大,開關(guān)管驅(qū)動電流需大于集電極電流的1/β,致使普通驅(qū)動IC無法直接驅(qū)動。雖說采用多級放大可以達到目的,但是波形失真卻明顯增大,從而導(dǎo)致開關(guān)管的導(dǎo)通/截止損耗也增大。目前解決大功率逆變電源及UPS的驅(qū)動方案,大多采用MOS FET管作開關(guān)器件。
上傳時間: 2013-10-20
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符合全球標(biāo)準(zhǔn)的小巧電源•35~150 W容量支持5 V, 12 V和24 V輸出電壓(100 W, 150 W: 僅24 V型)• 支持DIN導(dǎo)軌安裝• 安全標(biāo)準(zhǔn) : UL 508/60950-1, EN 60950-1CSA C22.2 No. 60950-1
上傳時間: 2014-04-17
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AC通用輸入(100~240V AC)全球?qū)?yīng)型電源1
上傳時間: 2014-04-15
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穩(wěn)壓電源的分類方法繁多,按輸出電源的類型分有直流穩(wěn)壓電源和交流穩(wěn)壓電源;按穩(wěn)壓電路與負載的連接方式分有串聯(lián)穩(wěn)壓電源和并聯(lián)穩(wěn)壓電源;按調(diào)整管的工作狀態(tài)分有線性穩(wěn)壓電源和開關(guān)穩(wěn)壓電源;按電路類型分有簡單穩(wěn)壓電源和反饋型穩(wěn)壓電源,等等。如此繁多的分類方式往往讓初學(xué)者摸不著頭腦,不知道從哪里入手。其實應(yīng)該說這些看似繁多的分類方法之間有著一定的層次關(guān)系,只要理清了這個層次自然可以分清楚電源的種類了。
標(biāo)簽: 穩(wěn)壓電源
上傳時間: 2013-11-12
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采用射頻等離子體增強化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優(yōu)化了太陽能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達6. 40 %。通過調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進一步改善電池的性能。
上傳時間: 2013-11-21
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對差動保護進行相關(guān)檢查、試驗如下: 1、檢查BCH-2型差動繼電器與定值單相符,對差動繼電器進行檢查、檢驗合格。 2、檢查差動保護二次回路接線正確,二次回路絕緣符合規(guī)程要求。 3、35kV開關(guān)為DW2-35型,檢查油箱內(nèi)電流互感器為差動保護專用LRD型,變比為75/5,核對變比、極性正確;6kV電流互感器為LAJ-10 300/5,差動接在D級繞組上,核對變比、極性正確。 4、對差動保護按定值單傳動,各繼電器動作正確。 以上各項目正常,說明一、二次設(shè)備無缺陷,二次接線無錯誤,便恢復(fù)主變送電,送電后進行差動保護向量和差壓檢測正常
上傳時間: 2013-10-08
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了解高壓變頻系統(tǒng)共模電壓及其特點,對整個變頻系統(tǒng)的設(shè)計具有重要意義。文中較詳細地分析了級聯(lián)型多電平高壓變頻系統(tǒng)共模電壓的產(chǎn)生機理,對兩種電壓胞脈寬調(diào)制(PWM) 方法引起的共模電壓進行了比較,提出了采用電壓胞異相調(diào)制和3 次諧波注入法減小變頻系統(tǒng)共模電壓的策略。仿真計算表明,該方法既能減小變頻系統(tǒng)輸出共模電壓,又不致降低直流電壓利用率。
標(biāo)簽: 級聯(lián)型 共模電壓 分 高壓變頻
上傳時間: 2013-11-23
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