5種經典開關電源拓撲結構
v開關電源拓撲結構綜述 v開關電源分類 v非隔離式拓撲舉例 BUCK BOOST BUCK-BOOST v隔離式拓撲舉例 正激式 反激式...
任正非技術資料
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任正非，男，漢族，1944年10月25日出生于貴州省鎮寧縣，祖籍浙江省浦江縣，畢業于重慶大學[44]，中國共產黨黨員，[1]華為技術有限公司主要創始人兼總裁。[2]
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查看全部4501個資源 ?NIP型非晶硅薄膜太陽能電池的研究
采用射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF2PECVD)技術制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結構為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶...
一種旋轉部件非接觸供電方法
人們經常需要從旋轉部件和其它運動機件上獲取各類技術參數。隨著電子技術的發展, 非接觸測量技術越來越顯示其優越性, 雖已在工程領域獲得了廣泛應用, 但是普遍存在供電問題, 目前非接觸供電常用的有四種形式...
利用推挽正激技術設計DCDC開關電源
利用推挽正激變換技術設計了DC /DC開關電源。提出了基于推挽正激變換技術的電源電路拓撲和結構,闡述了該開關電源的工作及控制原理,并利用PSp ice軟件對該電路拓撲進行了仿真。實驗結果表明,該開關電源輸出穩定、波形理想。...
PCCM下推挽正激變換器的研究與實現
提出了一種24V/15A 直流變換器的設計方法。主電路采用推挽正激電路，通過在傳統推挽電路的基礎上增加一個箝位電容，起到抑制偏磁和開關管關斷電壓尖峰的作用?？刂撇捎梅逯惦娏骺刂品绞剑≒eak CurrentControlled Model，簡稱PCCM），為了克服其對占空比要求的限制，加入了斜坡補償...
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