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5000種場效應(yīng)管速查
標簽： 5000 場效應(yīng)管 速查
上傳時間： 2013-10-27
上傳用戶：wfl_yy
1N系列穩(wěn)壓管參數(shù)
標簽： 穩(wěn)壓管 參數(shù)
上傳時間： 2013-10-11
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主要介紹場效應(yīng)管H參數(shù)的模型
標簽： 場效應(yīng)管 h參數(shù) 等效模型
上傳時間： 2014-01-09
上傳用戶：1966649934
下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動以及應(yīng)用電路。
標簽： MOS 驅(qū)動電路
上傳時間： 2013-11-18
上傳用戶：文993
計數(shù)器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計N進制計數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計了3種36進制計數(shù)器，并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結(jié)果表明設(shè)計的計數(shù)器實現(xiàn)了36進制計數(shù)的功能。基于集成計數(shù)器的N進制計數(shù)器設(shè)計方法簡單、可行，運用Multisim 10進行電子電路設(shè)計和仿真具有省時、低成本、高效率的優(yōu)越性。
標簽： 歸零法 N進制計數(shù)器原
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在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實驗數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究
上傳時間： 2013-10-31
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2SJ系列場效應(yīng)管參數(shù)大全:
標簽： 2SJ 場效應(yīng)管 參數(shù)大全
上傳時間： 2013-11-24
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運用PROTEL DXP 2004設(shè)計的項目“單管放大”視頻教學，完整展現(xiàn)了從原理圖到PCB的過程
標簽： PCB 單管放大 原理圖
上傳時間： 2013-11-25
上傳用戶：龍飛艇
創(chuàng)建PCB元件管腳封裝
標簽： PCB 元件 管腳 封裝
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：chenjjer
結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態(tài)老化測試中慢速開通、在電池保護電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長時間工作在線性區(qū)時損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實際應(yīng)用，論述了功率MOSFET通常會產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。
標簽： MOSFET 開關(guān)電源 功率 分
上傳時間： 2013-11-14
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