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使用ado 來自動管理資料庫,使用表單設計關念自動產生相對應資料庫.
標簽： ado
上傳時間： 2017-08-06
上傳用戶：onewq
這是一個簡單的小工具,有點類似我們使用form方式設計時,使用behaver方式讓各個form作轉場特效一樣,不過這個工具是針對各個movie clip,相信對一些Art設計師有一定的幫助囉, 使用的是Transition manager方式完成,相信不久會有利用tween class方式的程式產生器吧..其實我還蠻需要的...因為help檔沒有,有時要參考指令,都要上網查一次
標簽： form behaver movie clip
上傳時間： 2013-12-17
上傳用戶：hasan2015
利用SPI傳輸協定，調整MCP4921類比電壓產生器的輸出電壓，使其輸出一個0V到5V的類比鋸齒波電壓輸出
標簽： SPI
上傳時間： 2013-12-26
上傳用戶：diets
AMIS單晶片開發範本，弦波產生器使用bs250晶片，基本dsp編程。
標簽： AMIS 晶片
上傳時間： 2014-01-09
上傳用戶：xcy122677
編譯器設計 Analysis-Synthesis Model 分析Analysis: 原始程式轉換成階層結構稱為樹(tree)，語法樹(syntax tree) 合成Synthesis: 產生目標碼
標簽： Analysis-Synthesis Analysis Model tree
上傳時間： 2016-12-01
上傳用戶：dengzb84
look1為電子看板的第二個芯片，使用自制的握手信號與look通訊，可以進行數據傳送，以及控制16個數碼管顯示，此案例已成功用於生產現志，所用的元件很少，功能較大呢
標簽： look1 芯片
上傳時間： 2017-01-02
上傳用戶：han_zh
C語言的開發模式, 是編寫.c的Source Code, 再經由Compiler編譯成Object Code。所謂Object Code指的是和硬體相關的機器指令, 也就是說當我們想要把C程式移植到不同的硬體時, 必須要重新Compile,以產生新的執行檔。除了需要重新編譯外,新系統是否具備應用程式所需的程式庫,include的檔案是否相容, 也是程式能否在新機器上順利編譯和執行的條件之一。
標簽： Code Object Compiler Source
上傳時間： 2017-04-02
上傳用戶：yph853211
安裝塌所1、通凰良好少溫策及灰座之塌所。2、雜腐蝕性、引火性氛髓、油急、切削液、切前粉、戴粉等聚境。3、雜振勤的場所。4、雜水氟及踢光直射的場所。1、本距勤器探用自然封流冷御方式正隨安裝方向局垂直站立方式2、在配電箱中需考感溫升情況未連有效散熟及冷御效果需保留足豹的空固以取得充分的空氟。3、如想要使控制箱內溫度連到一致需增加凰扇等散熱毅倩。4、組裝睛廊注意避免贊孔屑及其他翼物掉落距勤器內。5、安裝睛請硫資以M5螺練固定。6、附近有振勤源時請使用振勤吸收器防振橡腥來作腐噩勤器的防振支撐。7、勤器附近有大型磁性陰嗣、熔接樓等雄部干援源睛，容易使距勤器受外界干攝造成誤勤作，此時需加裝雄部濾波器。但雍訊濾波器舍增加波漏電流，因此需在愿勤器的輸入端裝上經緣羹愿器（Transformer）。*配象材料依照使用電象規格]使用。*配象的喪度：指令輸入象3公尺以內。編碼器輸入綜20公尺以內。配象時請以最短距薄速接。*硫賞依照操單接象圈配象，未使用到的信貌請勿接出。*局連輸出端（端子U、V、W）要正硫的速接。否則伺服焉速勤作舍不正常。*隔雄綜必須速接在FG端子上。*接地請以使用第3砸接地（接地電阻值腐100Ω以下），而且必須罩黏接地。若希望易速輿械之周腐紀緣狀懲畸，請將連接地。*伺服距勤器的輸出端不要加裝電容器，或遇（突波）吸收器及雅訊濾波器。*裝在控制輸出信號的DC繼電器，其遏（突波）吸收用的二梗溜的方向要速接正硫，否則食造成故障，因而雜法輸出信猶，也可能影馨緊急停止的保渡迎路不座生作用。*腐了防止雍部造成的錯溪勤作，請探下列的威置：請在電源上加入經緣雯愿器及雅亂濾波器等裝置。請將勤力緣（雷源象、焉連緣等的蘊雷回路）奧信蔬緣相距30公分以上來配練，不要放置在同一配緣管內。
標簽： tsda
上傳時間： 2022-05-28
上傳用戶：zhanglei193
雪崩光電二極管 (APD) 接收器模塊在光纖通信繫統中被廣泛地使用。APD 模塊包含 APD 和一個信號調理放大器，但並不是完全獨立。它仍舊需要重要的支持電路，包括一個高電壓、低噪聲電源和一個用於指示信號強度的精準電流監視器
標簽： Gbits GPON APD 10
上傳時間： 2013-11-22
上傳用戶：zhangyigenius
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
標簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制
上傳時間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
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