摘要：從功率MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)和極間電容的電壓依賴關(guān)系出發(fā)，對(duì)功率MOSFET的開關(guān)現(xiàn)象及其原因進(jìn)行了較深入分析。從實(shí)際應(yīng)用的角度，對(duì)功率MOSFET開關(guān)過程的功率損耗和所需驅(qū)動(dòng)功率進(jìn)行了研究，提出了有關(guān)參數(shù)的計(jì)算方法，并對(duì)多種因素對(duì)開關(guān)特性的影響效果進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究，所得出的結(jié)論對(duì)于功率MOSFET的正確運(yùn)用和設(shè)計(jì)合理的MoSFET驅(qū)動(dòng)電路具有指導(dǎo)意義．
標(biāo)簽： MOSFET Power 實(shí)際應(yīng)用 條件下
上傳時(shí)間： 2013-11-10
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本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路和在動(dòng)態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動(dòng)態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了參數(shù)計(jì)算并且選擇應(yīng)用了實(shí)用可靠的驅(qū)動(dòng)電路。此外，對(duì)功率MOSFET在兆赫級(jí)并聯(lián)山于不同的參數(shù)影響而引起的電流分配不均衡問題做了仿真研究及分析。
標(biāo)簽： MOSFET 高頻 功率 驅(qū)動(dòng)電路
上傳時(shí)間： 2013-11-22
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．MS Access Database方式 設(shè)計(jì)過程中的全部文件都存儲(chǔ)在單一的數(shù)據(jù)庫中，同原來的Protel99文件方式。即所有的原理圖、PCB文件、網(wǎng)絡(luò)表、材料清單等等都存在一個(gè).ddb文件中，在資源管理器中只能看到唯一的.ddb文件。 2． Windows File System方式 在對(duì)話框底部指定的硬盤位置建立一個(gè)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫的文件夾，所有文件被自動(dòng)保存的文件夾中。可以直接在資源管理器中對(duì)數(shù)據(jù)庫中的設(shè)計(jì)文件如原理圖、PCB等進(jìn)行復(fù)制、粘貼等操作。 注：這種設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫的存儲(chǔ)類型，方便在硬盤對(duì)數(shù)據(jù)庫內(nèi)部的文件進(jìn)行操作，但不支持Design Team特性。 二、 方便的文件查找功能
上傳時(shí)間： 2013-10-13
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PCB 被動(dòng)組件的隱藏特性解析 傳統(tǒng)上，EMC一直被視為「黑色魔術(shù)（black magic）」。其實(shí)，EMC是可以藉由數(shù)學(xué)公式來理解的。不過，縱使有數(shù)學(xué)分析方法可以利用，但那些數(shù)學(xué)方程式對(duì)實(shí)際的EMC電路設(shè)計(jì)而言，仍然太過復(fù)雜了。幸運(yùn)的是，在大多數(shù)的實(shí)務(wù)工作中，工程師并不需要完全理解那些復(fù)雜的數(shù)學(xué)公式和存在于EMC規(guī)范中的學(xué)理依據(jù)，只要藉由簡單的數(shù)學(xué)模型，就能夠明白要如何達(dá)到EMC的要求。本文藉由簡單的數(shù)學(xué)公式和電磁理論，來說明在印刷電路板（PCB）上被動(dòng)組件（passivecomponent）的隱藏行為和特性，這些都是工程師想讓所設(shè)計(jì)的電子產(chǎn)品通過EMC標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，事先所必須具備的基本知識(shí)。導(dǎo)線和PCB走線導(dǎo)線（wire）、走線（trace）、固定架……等看似不起眼的組件，卻經(jīng)常成為射頻能量的最佳發(fā)射器（亦即，EMI的來源）。每一種組件都具有電感，這包含硅芯片的焊線（bond wire）、以及電阻、電容、電感的接腳。每根導(dǎo)線或走線都包含有隱藏的寄生電容和電感。這些寄生性組件會(huì)影響導(dǎo)線的阻抗大小，而且對(duì)頻率很敏感。依據(jù)LC 的值（決定自共振頻率）和PCB走線的長度，在某組件和PCB走線之間，可以產(chǎn)生自共振（self-resonance），因此，形成一根有效率的輻射天線。在低頻時(shí)，導(dǎo)線大致上只具有電阻的特性。但在高頻時(shí)，導(dǎo)線就具有電感的特性。因?yàn)樽兂筛哳l后，會(huì)造成阻抗大小的變化，進(jìn)而改變導(dǎo)線或PCB 走線與接地之間的EMC 設(shè)計(jì)，這時(shí)必需使用接地面（ground plane）和接地網(wǎng)格（ground grid）。導(dǎo)線和PCB 走線的最主要差別只在于，導(dǎo)線是圓形的，走線是長方形的。導(dǎo)線或走線的阻抗包含電阻R和感抗XL = 2πfL，在高頻時(shí)，此阻抗定義為Z = R + j XL j2πfL，沒有容抗Xc = 1/2πfC存在。頻率高于100 kHz以上時(shí)，感抗大于電阻，此時(shí)導(dǎo)線或走線不再是低電阻的連接線，而是電感。一般而言，在音頻以上工作的導(dǎo)線或走線應(yīng)該視為電感，不能再看成電阻，而且可以是射頻天線。
標(biāo)簽： PCB 被動(dòng)組件
上傳時(shí)間： 2013-10-09
上傳用戶：時(shí)代將軍
阻抗特性設(shè)計(jì)要求
標(biāo)簽： 阻抗特性
上傳時(shí)間： 2013-11-06
上傳用戶：woshinimiaoye
對(duì)於輸出電壓處於輸入電壓範(fàn)圍之內(nèi) (這在鋰離子電池供電型應(yīng)用中是一種很常見的情形) 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，可供采用的傳統(tǒng)解決方案雖有不少，但迄今為止都不能令人非常滿意
上傳時(shí)間： 2013-11-19
上傳用戶：urgdil
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。
上傳時(shí)間： 2014-09-08
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關(guān)天太陽能電池的特性 有用的哦
標(biāo)簽： 太陽能 電池特性 實(shí)驗(yàn) 講義
上傳時(shí)間： 2014-02-21
上傳用戶：HZB20416
根據(jù)太陽能光伏電池的等效電路特點(diǎn)，建立了相應(yīng)的光伏電池組件的仿真模型。該模型可以實(shí)現(xiàn)在不同光照強(qiáng)度和溫度下光伏組件的輸出特性，在此模型基礎(chǔ)上研究了光伏組件最大功率追蹤方法（MPPT）。在眾多最大功率追蹤方法中，擾動(dòng)法有著比較優(yōu)秀的控制效果。針對(duì)最常用的最大功率點(diǎn)跟蹤方法-擾動(dòng)觀察法，提出一種改進(jìn)型的擾動(dòng)法算法，通過仿真結(jié)果和實(shí)驗(yàn)證明該方法在一定程度上可解決光伏電池輸出非線性的問題，有效避免跟蹤偏差，提高光伏電池的輸出效率，且動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度快，使光伏系統(tǒng)具有良好的動(dòng)態(tài)和穩(wěn)態(tài)性能。
標(biāo)簽： 光伏電池 仿真分析 輸出特性 最大功率點(diǎn)跟蹤
上傳時(shí)間： 2013-10-31
上傳用戶：liaocs77
Q72型晶體管特性圖儀器使用說明書
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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