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傳輸特性

實際應用條件下Power+MOSFET開關特性研究

摘要：從功率MOSFET內部結構和極間電容的電壓依賴關系出發，對功率MOSFET的開關現象及其原因進行了較深入分析。從實際應用的角度，對功率MOSFET開關過程的功率損耗和所需驅動功率進行了研究，提出了有關參數的計算方法，并對多種因素對開關特性的影響效果進行了實驗研究，所得出的結論對于功率MOSFET的正確運用和設計合理的MoSFET驅動電路具有指導意義．

標簽： MOSFET Power 實際應用條件下

上傳時間： 2013-11-10

上傳用戶：wfeel
高頻功率MOSFET驅動電路及并聯特性研究

本文主要研究高頻功率MOSFET的驅動電路和在動態開關模式下的并聯均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態及動態特性，然后根據功率MOSFET對驅動電路的要求，對驅動電路進行了參數計算并且選擇應用了實用可靠的驅動電路。此外，對功率MOSFET在兆赫級并聯山于不同的參數影響而引起的電流分配不均衡問題做了仿真研究及分析。

標簽： MOSFET 高頻功率驅動電路

上傳時間： 2013-11-22

上傳用戶：lijinchuan
protel99新手上路特性手冊

．MS Access Database方式設計過程中的全部文件都存儲在單一的數據庫中，同原來的Protel99文件方式。即所有的原理圖、PCB文件、網絡表、材料清單等等都存在一個.ddb文件中，在資源管理器中只能看到唯一的.ddb文件。 2． Windows File System方式在對話框底部指定的硬盤位置建立一個設計數據庫的文件夾，所有文件被自動保存的文件夾中。可以直接在資源管理器中對數據庫中的設計文件如原理圖、PCB等進行復制、粘貼等操作。注：這種設計數據庫的存儲類型，方便在硬盤對數據庫內部的文件進行操作，但不支持Design Team特性。二、方便的文件查找功能

標簽： protel 99

上傳時間： 2013-10-13

上傳用戶：fujiura
PCB被動組件的隱藏特性解析

PCB 被動組件的隱藏特性解析傳統上，EMC一直被視為「黑色魔術（black magic）」。其實，EMC是可以藉由數學公式來理解的。不過，縱使有數學分析方法可以利用，但那些數學方程式對實際的EMC電路設計而言，仍然太過復雜了。幸運的是，在大多數的實務工作中，工程師并不需要完全理解那些復雜的數學公式和存在于EMC規范中的學理依據，只要藉由簡單的數學模型，就能夠明白要如何達到EMC的要求。本文藉由簡單的數學公式和電磁理論，來說明在印刷電路板（PCB）上被動組件（passivecomponent）的隱藏行為和特性，這些都是工程師想讓所設計的電子產品通過EMC標準時，事先所必須具備的基本知識。導線和PCB走線導線（wire）、走線（trace）、固定架……等看似不起眼的組件，卻經常成為射頻能量的最佳發射器（亦即，EMI的來源）。每一種組件都具有電感，這包含硅芯片的焊線（bond wire）、以及電阻、電容、電感的接腳。每根導線或走線都包含有隱藏的寄生電容和電感。這些寄生性組件會影響導線的阻抗大小，而且對頻率很敏感。依據LC 的值（決定自共振頻率）和PCB走線的長度，在某組件和PCB走線之間，可以產生自共振（self-resonance），因此，形成一根有效率的輻射天線。在低頻時，導線大致上只具有電阻的特性。但在高頻時，導線就具有電感的特性。因為變成高頻后，會造成阻抗大小的變化，進而改變導線或PCB 走線與接地之間的EMC 設計，這時必需使用接地面（ground plane）和接地網格（ground grid）。導線和PCB 走線的最主要差別只在于，導線是圓形的，走線是長方形的。導線或走線的阻抗包含電阻R和感抗XL = 2πfL，在高頻時，此阻抗定義為Z = R + j XL j2πfL，沒有容抗Xc = 1/2πfC存在。頻率高于100 kHz以上時，感抗大于電阻，此時導線或走線不再是低電阻的連接線，而是電感。一般而言，在音頻以上工作的導線或走線應該視為電感，不能再看成電阻，而且可以是射頻天線。

標簽： PCB 被動組件

上傳時間： 2013-10-09

上傳用戶：時代將軍
阻抗特性設計要求

阻抗特性設計要求

標簽： 阻抗特性

上傳時間： 2013-11-06

上傳用戶：woshinimiaoye
降壓-升壓型控制器簡化手持式產品的DCDC轉換器設計

對於輸出電壓處於輸入電壓範圍之內 (這在鋰離子電池供電型應用中是一種很常見的情形) 的 DC/DC 轉換器設計，可供采用的傳統解決方案雖有不少，但迄今為止都不能令人非常滿意

標簽： DCDC 降壓升壓型控制器

上傳時間： 2013-11-19

上傳用戶：urgdil
透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI

經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。

標簽： MOSFET EMI 電壓電流控制

上傳時間： 2014-09-08

上傳用戶：swing
太陽能電池特性實驗講義

關天太陽能電池的特性有用的哦

標簽： 太陽能電池特性實驗講義

上傳時間： 2014-02-21

上傳用戶：HZB20416
光伏電池輸出特性與最大功率點跟蹤的仿真分析

根據太陽能光伏電池的等效電路特點，建立了相應的光伏電池組件的仿真模型。該模型可以實現在不同光照強度和溫度下光伏組件的輸出特性，在此模型基礎上研究了光伏組件最大功率追蹤方法（MPPT）。在眾多最大功率追蹤方法中，擾動法有著比較優秀的控制效果。針對最常用的最大功率點跟蹤方法-擾動觀察法，提出一種改進型的擾動法算法，通過仿真結果和實驗證明該方法在一定程度上可解決光伏電池輸出非線性的問題，有效避免跟蹤偏差，提高光伏電池的輸出效率，且動態響應速度快，使光伏系統具有良好的動態和穩態性能。

標簽： 光伏電池仿真分析輸出特性最大功率點跟蹤

上傳時間： 2013-10-31

上傳用戶：liaocs77
Q72型晶體管特性圖儀器使用說明書

Q72型晶體管特性圖儀器使用說明書

標簽： Q72 晶體管儀器使用說明書

上傳時間： 2014-12-24

上傳用戶：sk5201314