采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優(yōu)化了太陽能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達(dá)6. 40 %。通過調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進(jìn)一步改善電池的性能。
標(biāo)簽：
NIP
非晶硅
薄膜太陽能電池
上傳時間：
2013-11-21
上傳用戶：wanqunsheng
太陽能蓄電池與光照時間的關(guān)系
例如:有一塊單晶硅電池的組件,最大的輸出功率Pm(額定功率)為25W,峰值電壓(額定電壓)Ump為17.2V,峰值電流(額定電流)為1.45A,開路電壓為21V,短路電流為Isc為1.5A,某地區(qū)有效光照時間為12小時,求太陽能電池一天的發(fā)電量和所需的蓄電池的容量。
已知:Pm=25w ,h=12h ,U=17.2V ,太陽能電池的發(fā)電效率為:u=0.7,蓄電池的補(bǔ)償值為n=1.4
太陽能電池的發(fā)電量:M=Pm×h×u=25×12×0.7=210W
按上訴公式:C=Ph/U=25×12/17.2=17.44Ah
那么實(shí)際的蓄電池的有效容量要在C=17.44/1.40=12.46Ah以上
所以在實(shí)際中我們可以選擇14Ah左右容量的蓄電池。
標(biāo)簽：
太陽能
光照
蓄電池
上傳時間：
2013-11-08
上傳用戶：life840315
