Flash-ROM（閃存）已經成為了目前最成功、流行的一種固態內存，與 EEPROM 相比具有讀寫速度快，而與 SRAM 相比具有非易失、以及價廉等優勢。而基于 NOR 和 NAND 結構的閃存是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。 Intel 于 1988 年首先開發出 NOR flash 技術，徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統天下的局面。緊接著，1989 年東芝公司發表了 NAND flash 技術（后將該技術無償轉讓給韓國 Samsung 公司），強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。
標簽：
Flash-ROM
閃存
內存
上傳時間：
2015-08-06
上傳用戶：lanwei
