NEC閃光胸牌電路板的構(gòu)成電路板是由單片機(jī)應(yīng)用電路部分和閃存編程器兩部分構(gòu)成的。■單片機(jī)應(yīng)用電路部分單片機(jī)應(yīng)用電路部分主要是由電池(1220),開(kāi)關(guān)和NEC 78K0/KB2(uPD78F0500)8位閃存單片機(jī)構(gòu)成。把程序?qū)懭雴纹瑱C(jī)內(nèi)置的閃存存儲(chǔ)器,就可以進(jìn)行各種控制了。■閃存編程器部分閃存編程器是把PC里的程序?qū)懭雴纹瑱C(jī)的閃存存儲(chǔ)器的裝置。您得到的電路板上的閃存編程器部分只有配線(xiàn)沒(méi)有零部件,要寫(xiě)入程序必須購(gòu)置零部件后焊接,您只要花費(fèi)很少的經(jīng)費(fèi)和精力即可完成。關(guān)于閃存編程器的制作方法下面會(huì)做詳細(xì)說(shuō)明。
標(biāo)簽: NEC 閃存編程器
上傳時(shí)間: 2013-10-31
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文中研究并實(shí)現(xiàn)了一種基于NAND型Flash的高速大容量固態(tài)存儲(chǔ)系統(tǒng),成果為實(shí)際研制應(yīng)用于星的基于閃存的大容量存儲(chǔ)器奠定了基礎(chǔ),具體較好的指導(dǎo)和借鑒意義。
標(biāo)簽: 閃存 大容量 存儲(chǔ)陣列
上傳時(shí)間: 2014-10-15
上傳用戶(hù):guanliya
STM32F10xxx閃存編程參考手冊(cè)
標(biāo)簽: STM 32F F10 xxx
上傳時(shí)間: 2013-11-06
上傳用戶(hù):zhaoke2005
開(kāi)發(fā)了一個(gè)基于閃存平臺(tái)的嵌入式文件系統(tǒng)。為保證閃存扇區(qū)的平均使用率和均衡擦寫(xiě)次數(shù),引入了損壞管理策略,在這種策略中采用了動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)空間管理模式和先入先出(FIFO)策略。所采用的冗余設(shè)計(jì)、快速計(jì)算和跟蹤策略還可以延長(zhǎng)核心扇區(qū)使用壽命,保證系統(tǒng)啟動(dòng)可靠的服務(wù)。
標(biāo)簽: 嵌入式系統(tǒng) 存儲(chǔ)管理 閃存 策略
上傳時(shí)間: 2014-12-30
上傳用戶(hù):lingzhichao
128Mb以上的串行閃存被認(rèn)為是電子產(chǎn)品滿(mǎn)足市場(chǎng)需求、增加更多功能的一個(gè)主要障礙,針對(duì)需要128Mb以上串行閃存的應(yīng)用要求,美光科技 (Micron Technology)推出一個(gè)簡(jiǎn)單的獨(dú)一無(wú)二的擴(kuò)容解決方案。這個(gè)解決方案可以把存儲(chǔ)容量輕松地?cái)U(kuò)大到4G或更大,完全兼容現(xiàn)有的串行外設(shè)接口(SPI)協(xié)議,無(wú)需重新設(shè)計(jì)主芯片的硬件。該解決方案優(yōu)于市場(chǎng)上現(xiàn)有的要求創(chuàng)建一個(gè)新的32位尋址模式的解決方案,因?yàn)閯?chuàng)建新的尋址模式可能強(qiáng)迫設(shè)計(jì)人員修改軟硬件。
標(biāo)簽: 串行閃存 大容量 存儲(chǔ)
上傳時(shí)間: 2013-12-20
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簡(jiǎn)單的進(jìn)銷(xiāo)存系統(tǒng)
標(biāo)簽: 進(jìn)銷(xiāo)存系統(tǒng)
上傳時(shí)間: 2013-11-30
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vfp的進(jìn)銷(xiāo)存系統(tǒng)
標(biāo)簽: vfp 進(jìn)銷(xiāo)存系統(tǒng)
上傳時(shí)間: 2015-01-06
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倉(cāng)庫(kù)進(jìn)銷(xiāo)存系統(tǒng)
標(biāo)簽: 倉(cāng)庫(kù) 進(jìn)銷(xiāo)存系統(tǒng)
上傳時(shí)間: 2015-01-09
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一通進(jìn)銷(xiāo)存源碼
標(biāo)簽: 進(jìn)銷(xiāo) 源碼
上傳時(shí)間: 2015-01-13
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公司進(jìn)銷(xiāo)存管理的實(shí)例
標(biāo)簽: 進(jìn)銷(xiāo)
上傳時(shí)間: 2014-01-09
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