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有機(jī)發(fā)光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作為下一代顯示器倍受關(guān)注，它具有輕、薄、高亮度、快速響應(yīng)、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優(yōu)點(diǎn)，完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件，OLED的最大優(yōu)越性是能夠與塑料晶體管技術(shù)相結(jié)合實(shí)現(xiàn)柔性顯示，應(yīng)用前景非常誘人。OLED如此眾多的優(yōu)點(diǎn)和廣闊的商業(yè)前景，吸引了全球眾多研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)參與其研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。然而，OLED也存在一些問(wèn)題，特別是在發(fā)光機(jī)理、穩(wěn)定性和壽命等方面還需要進(jìn)一步的研究。要達(dá)到這些目標(biāo)，除了器件的材料，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)外，封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現(xiàn)有的材料，從綠光OLED器件制作工藝、發(fā)光機(jī)理，結(jié)構(gòu)和封裝入手，首先，探討了作為陽(yáng)極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴(yán)重影響著光刻質(zhì)量和器件的最終性能；ITO表面經(jīng)過(guò)氧等離子處理后其表面功函數(shù)增大，明顯提高了器件的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。 其次，針對(duì)光刻、曝光工藝技術(shù)進(jìn)行了一系列相關(guān)實(shí)驗(yàn)，在光刻工藝中，光刻膠的厚度是影響光刻質(zhì)量的一個(gè)重要因素，其厚度在1.2μm左右時(shí)，光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過(guò)程中的曝光工藝，摸索出了最佳工藝參數(shù)。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結(jié)構(gòu)為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝，實(shí)驗(yàn)一中，在封裝玻璃的四周涂上UV膠，放入手套箱，在氮?dú)獗Ｗo(hù)氣氛下用紫外冷光源照射1min進(jìn)行一次封裝，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠，真空下用紫外冷光源照射1min，固化進(jìn)行二次封裝。實(shí)驗(yàn)二中，在各功能層蒸鍍完成后，又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層，然后再按實(shí)驗(yàn)一的方法進(jìn)行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對(duì)兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發(fā)光光譜及壽命等特性進(jìn)行了測(cè)試與討論。通過(guò)對(duì)比，研究發(fā)現(xiàn)增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長(zhǎng)，其中，Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了1.4倍，Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了兩倍多，Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了1.3倍，研究還發(fā)現(xiàn)薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標(biāo)等光電性能。最后，分別對(duì)三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進(jìn)行了研究。
標(biāo)簽：
機(jī)電
發(fā)光
顯示器件
上傳時(shí)間：
2013-07-11
上傳用戶：liuwei6419
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·作 者： 袁任光 I S B N： 7111144716 頁(yè) 數(shù)： 676 開(kāi) 本： 32開(kāi) 重 量： 460克 封面形式： 簡(jiǎn)裝本 出 版 社： 機(jī)械工業(yè)出版社 本社特價(jià)書(shū) 出版日期： 2004-7-1 定 價(jià)： 30元
標(biāo)簽：
258
電動(dòng)機(jī)
控制電路
上傳時(shí)間：
2013-07-05
上傳用戶：LouieWu
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基于布里淵散射的分布式光纖傳感器是當(dāng)前國(guó)內(nèi)外研究的熱點(diǎn)。本文介紹了基于布里淵散射的分布式光纖傳感器的的原理、應(yīng)用；布里淵時(shí)域反射技術(shù)(BOTDR)和布里淵時(shí)域分析技術(shù)(BOTDA)的原理。 受激布里淵散射(SBS)的過(guò)程中，入射光和散射光滿足耦合振幅方程組。我們對(duì)該方程組采用有限差分法進(jìn)行數(shù)值計(jì)算，并用Matlab模擬計(jì)算過(guò)程，對(duì)布里淵散射信號(hào)進(jìn)行分析。 根據(jù)布里淵散射信號(hào)的特點(diǎn)，我們采用基于Morlet小波變換的DSP信號(hào)算法來(lái)處理 BOTDR傳感信號(hào)。通過(guò)對(duì)該算法的核心單元——快速傅立葉變換(FFT)的硬件實(shí)現(xiàn)，我們?cè)赟tratix FPGA上實(shí)現(xiàn)了基于Morlet小波變換的DSP算法的硬件電路設(shè)計(jì)。 最后，在此基礎(chǔ)上，我們對(duì)電路功能進(jìn)行實(shí)際的仿真和驗(yàn)證，并和Matlab得到結(jié)果進(jìn)行比較和分析。
標(biāo)簽：
Morlet
BOTDR
小波分析
信號(hào)處理
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2013-07-22
上傳用戶：牛布牛
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特點(diǎn)： 精確度0.1%滿刻度 可作各式數(shù)學(xué)演算式功能如:A+B/A-B/AxB/A/B/A&B(Hi or Lo)/|A|/ 16 BIT類比輸出功能 輸入與輸出絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘(input/output/power) 寬范圍交直流兩用電源設(shè)計(jì) 尺寸小,穩(wěn)定性高
標(biāo)簽：
微電腦
數(shù)學(xué)演算
隔離傳送器
上傳時(shí)間：
2014-12-23
上傳用戶：ydd3625
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特點(diǎn)(FEATURES) 精確度0.1%滿刻度 (Accuracy 0.1%F.S.) 可作各式數(shù)學(xué)演算式功能如:A+B/A-B/AxB/A/B/A&B(Hi or Lo)/|A| (Math functioA+B/A-B/AxB/A/B/A&B(Hi&Lo)/|A|/etc.....) 16 BIT 類比輸出功能(16 bit DAC isolating analog output function) 輸入/輸出1/輸出2絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘(Dielectric strength 2KVac/1min. (input/output1/output2/power)) 寬范圍交直流兩用電源設(shè)計(jì)(Wide input range for auxiliary power) 尺寸小,穩(wěn)定性高(Dimension small and High stability)
標(biāo)簽：
微電腦
數(shù)學(xué)演算
輸出
隔離傳送器
上傳時(shí)間：
2013-11-24
上傳用戶：541657925
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光敏耦合器
標(biāo)簽：
S11
MD5
11
MD
上傳時(shí)間：
2014-01-03
上傳用戶：huanglang
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/*--------- 8051內(nèi)核特殊功能寄存器 -------------*/
sfr ACC = 0xE0; //累加器
sfr B = 0xF0; //B 寄存器
sfr PSW = 0xD0; //程序狀態(tài)字寄存器
sbit CY = PSW^7; //進(jìn)位標(biāo)志位
sbit AC = PSW^6; //輔助進(jìn)位標(biāo)志位
sbit F0 = PSW^5; //用戶標(biāo)志位0
sbit RS1 = PSW^4; //工作寄存器組選擇控制位
sbit RS0 = PSW^3; //工作寄存器組選擇控制位
sbit OV = PSW^2; //溢出標(biāo)志位
sbit F1 = PSW^1; //用戶標(biāo)志位1
sbit P = PSW^0; //奇偶標(biāo)志位
sfr SP = 0x81; //堆棧指針寄存器
sfr DPL = 0x82; //數(shù)據(jù)指針0低字節(jié)
sfr DPH = 0x83; //數(shù)據(jù)指針0高字節(jié)
/*------------ 系統(tǒng)管理特殊功能寄存器 -------------*/
sfr PCON = 0x87; //電源控制寄存器
sfr AUXR = 0x8E; //輔助寄存器
sfr AUXR1 = 0xA2; //輔助寄存器1
sfr WAKE_CLKO = 0x8F; //時(shí)鐘輸出和喚醒控制寄存器
sfr CLK_DIV = 0x97; //時(shí)鐘分頻控制寄存器
sfr BUS_SPEED = 0xA1; //總線速度控制寄存器
/*----------- 中斷控制特殊功能寄存器 --------------*/
sfr IE = 0xA8; //中斷允許寄存器
sbit EA = IE^7; //總中斷允許位
sbit ELVD = IE^6; //低電壓檢測(cè)中斷控制位
8051
標(biāo)簽：
80C51
特殊功能寄存器
地址
上傳時(shí)間：
2013-10-30
上傳用戶：yxgi5
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TLC2543是TI公司的12位串行模數(shù)轉(zhuǎn)換器，使用開(kāi)關(guān)電容逐次逼近技術(shù)完成A/D轉(zhuǎn)換過(guò)程。由于是串行輸入結(jié)構(gòu)，能夠節(jié)省51系列單片機(jī)I/O資源；且價(jià)格適中，分辨率較高，因此在儀器儀表中有較為廣泛的應(yīng)用。
TLC2543的特點(diǎn)
（1）12位分辯率A/D轉(zhuǎn)換器；
（2）在工作溫度范圍內(nèi)10μs轉(zhuǎn)換時(shí)間；
（3）11個(gè)模擬輸入通道；
（4）3路內(nèi)置自測(cè)試方式；
（5）采樣率為66kbps；
（6）線性誤差±1LSBmax；
（7）有轉(zhuǎn)換結(jié)束輸出EOC；
（8）具有單、雙極性輸出；
（9）可編程的MSB或LSB前導(dǎo)；
（10）可編程輸出數(shù)據(jù)長(zhǎng)度。
TLC2543的引腳排列及說(shuō)明
TLC2543有兩種封裝形式：DB、DW或N封裝以及FN封裝，這兩種封裝的引腳排列如圖1，引腳說(shuō)明見(jiàn)表1
TLC2543電路圖和程序欣賞
#include<reg52.h>
#include<intrins.h>
#define uchar unsigned char
#define uint unsigned int
sbit clock=P1^0; sbit d_in=P1^1;
sbit d_out=P1^2;
sbit _cs=P1^3;
uchar a1,b1,c1,d1;
float sum,sum1;
double sum_final1;
double sum_final;
uchar duan[]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,0x07,0x7f,0x6f};
uchar wei[]={0xf7,0xfb,0xfd,0xfe};
void delay(unsigned char b) //50us
{
unsigned char a;
for(;b>0;b--)
for(a=22;a>0;a--);
}
void display(uchar a,uchar b,uchar c,uchar d)
{
P0=duan[a]|0x80;
P2=wei[0];
delay(5);
P2=0xff;
P0=duan[b];
P2=wei[1];
delay(5);
P2=0xff;
P0=duan[c];
P2=wei[2];
delay(5);
P2=0xff;
P0=duan[d];
P2=wei[3];
delay(5);
P2=0xff;
}
uint read(uchar port)
{
uchar i,al=0,ah=0;
unsigned long ad;
clock=0;
_cs=0;
port<<=4;
for(i=0;i<4;i++)
{
d_in=port&0x80;
clock=1;
clock=0;
port<<=1;
}
d_in=0;
for(i=0;i<8;i++)
{
clock=1;
clock=0;
}
_cs=1;
delay(5);
_cs=0;
for(i=0;i<4;i++)
{
clock=1;
ah<<=1;
if(d_out)ah|=0x01;
clock=0;
}
for(i=0;i<8;i++)
{
clock=1;
al<<=1;
if(d_out) al|=0x01;
clock=0;
}
_cs=1;
ad=(uint)ah;
ad<<=8;
ad|=al;
return(ad);
}
void main()
{
uchar j;
sum=0;sum1=0;
sum_final=0;
sum_final1=0;
while(1)
{
for(j=0;j<128;j++)
{
sum1+=read(1);
display(a1,b1,c1,d1);
}
sum=sum1/128;
sum1=0;
sum_final1=(sum/4095)*5;
sum_final=sum_final1*1000;
a1=(int)sum_final/1000;
b1=(int)sum_final%1000/100;
c1=(int)sum_final%1000%100/10;
d1=(int)sum_final%10;
display(a1,b1,c1,d1);
}
}
標(biāo)簽：
2543
TLC
上傳時(shí)間：
2013-11-19
上傳用戶：shen1230
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#include<iom16v.h>
#include<macros.h>
#define uint unsigned int
#define uchar unsigned char
uint a,b,c,d=0;
void delay(c)
{ for for(a=0;a<c;a++)
for(b=0;b<12;b++);
};
uchar tab[]={
0xc0,0xf9,0xa4,0xb0,0x99,0x92,0x82,0xf8,0x80,0x90,
標(biāo)簽：
AVR
單片機(jī)
數(shù)碼管
上傳時(shí)間：
2013-10-21
上傳用戶：13788529953
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摘要: 串行傳輸技術(shù)具有更高的傳輸速率和更低的設(shè)計(jì)成本, 已成為業(yè)界首選, 被廣泛應(yīng)用于高速通信領(lǐng)域。提出了一種新的高速串行傳輸接口的設(shè)計(jì)方案, 改進(jìn)了Aurora 協(xié)議數(shù)據(jù)幀格式定義的弊端, 并采用高速串行收發(fā)器Rocket I/O, 實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)率為2.5 Gbps的高速串行傳輸。關(guān)鍵詞: 高速串行傳輸; Rocket I/O; Aurora 協(xié)議
為促使FPGA 芯片與串行傳輸技術(shù)更好地結(jié)合以滿足市場(chǎng)需求, Xilinx 公司適時(shí)推出了內(nèi)嵌高速串行收發(fā)器RocketI/O 的Virtex II Pro 系列FPGA 和可升級(jí)的小型鏈路層協(xié)議———Aurora 協(xié)議。Rocket I/O支持從622 Mbps 至3.125 Gbps的全雙工傳輸速率, 還具有8 B/10 B 編解碼、時(shí)鐘生成及恢復(fù)等功能, 可以理想地適用于芯片之間或背板的高速串行數(shù)據(jù)傳輸。Aurora 協(xié)議是為專有上層協(xié)議或行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的上層協(xié)議提供透明接口的第一款串行互連協(xié)議, 可用于高速線性通路之間的點(diǎn)到點(diǎn)串行數(shù)據(jù)傳輸, 同時(shí)其可擴(kuò)展的帶寬, 為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了所需要的靈活性[4]。但該協(xié)議幀格式的定義存在弊端,會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)資源的浪費(fèi)。本文提出的設(shè)計(jì)方案可以改進(jìn)Aurora 協(xié)議的固有缺陷,提高系統(tǒng)性能, 實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)率為2.5 Gbps 的高速串行傳輸, 具有良好的可行性和廣闊的應(yīng)用前景。
標(biāo)簽：
Rocket
2.5
高速串行
收發(fā)器
上傳時(shí)間：
2013-11-06
上傳用戶：smallfish
