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高速電路設(shè)計(jì) 詳細(xì)基礎(chǔ)理論知識(shí)

設(shè)計(jì)高速電路必須考慮高速訊 號(hào)所引發(fā)的電磁干擾、阻抗匹配及串音等效應(yīng)，所以訊號(hào)完整性 (signal  integrity)將是考量設(shè)計(jì)電路優(yōu)劣的一項(xiàng)重要指標(biāo)，電路日異複雜必須仰賴可 靠的軟體來(lái)幫忙分析這些複雜的效應(yīng)，才比較可能獲得高品質(zhì)且可靠的設(shè)計(jì)， 因此熟悉軟體的使用也將是重要的研究項(xiàng)目之一。另外了解高速訊號(hào)所引發(fā)之 各種效應(yīng)(反射、振鈴、干擾、地彈及串音等)及其克服方法也是研究高速電路 設(shè)計(jì)的重點(diǎn)之一。目前高速示波器的功能越來(lái)越多，使用上很複雜，必須事先 進(jìn)修學(xué)習(xí)，否則無(wú)法全盤(pán)了解儀器之功能，因而無(wú)法有效發(fā)揮儀器的量測(cè)功能。 其次就是高速訊號(hào)量測(cè)與介面的一些測(cè)試規(guī)範(fàn)也必須熟悉，像眼圖分析，探針 效應(yīng)，抖動(dòng)(jitter)測(cè)量規(guī)範(fàn)及高速串列介面量測(cè)規(guī)範(fàn)等實(shí)務(wù)技術(shù)，必須充分 了解研究學(xué)習(xí)，進(jìn)而才可設(shè)計(jì)出優(yōu)良之教學(xué)教材及教具。

標(biāo)簽： 高速電路

上傳時(shí)間： 2021-11-02

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芯片的設(shè)計(jì)制造過(guò)程

完整講解芯片的制造過(guò)程：溫洗、光刻、離子注入、干蝕刻、溫蝕刻、等離子沖洗、熱處理、化學(xué)氣相淀積等

標(biāo)簽： 芯片設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2021-11-15

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基于運(yùn)算放大器的壓控恒流源

恒流源（vCCS）的研究歷經(jīng)數(shù)十年，從早期的晶體管恒流源到現(xiàn)在的集成電路恒流源恒定電流在各個(gè)領(lǐng)域的廣泛使用激發(fā)起人們對(duì)恒流源的研究不斷深入和多樣化。穩(wěn)恒電流在加速器中的使用是加速器結(jié)構(gòu)改善的一個(gè)標(biāo)志。從早期的單一依靠磁場(chǎng)線圈到加入勻場(chǎng)環(huán)，到校正線圈的使用，束流輸運(yùn)系統(tǒng)的改進(jìn)有效地提高了束流的品質(zhì)，校正線圈是光刻于印制電路板上的導(dǎo)線圈，將其按照方位角放置在加速腔內(nèi)，通電后，載流導(dǎo)線產(chǎn)生的橫向磁場(chǎng)就可以起到校正偏心束流的作用。顯然，穩(wěn)定可調(diào)的恒流源是校正線圈有效工作的必要條件。針對(duì)現(xiàn)在加速粒子能量的提高，對(duì)校正線圈提出了新的供電需求，本文就這一需求研究了基于功率運(yùn)算放大器的兩種壓控恒流源，為工程應(yīng)用做技術(shù)儲(chǔ)備。1設(shè)計(jì)思路用于校正線圈的恒流源供聚焦和補(bǔ)償時(shí)使用輸出功率不大，但要求調(diào)節(jié)精度高，穩(wěn)定性好，紋波小。具體技術(shù)參數(shù)為：輸出電流0~5A調(diào)節(jié)范圍0.1~5.0A；調(diào)節(jié)精度5mA；負(fù)載電阻35；紋波穩(wěn)定度優(yōu)于1（相對(duì)5A）；基準(zhǔn)電壓模塊型號(hào)為REFo1而常用作恒流電源的電真空器件穩(wěn)定電流建立時(shí)間長(zhǎng)，場(chǎng)效應(yīng)管夾斷電壓高、擊穿電壓低恒流區(qū)域窄，因此，我們選取了體積小效率高電流調(diào)節(jié)范圍寬的放大器恒流源作為研究方向?qū)嶒?yàn)基本的設(shè)計(jì)思路是通過(guò)電源板將市電降壓、整流、濾波后送入高精度電壓基準(zhǔn)源得到直流電壓，輸入功率運(yùn)算放大器，在輸出端得到放大的電流輸出，如圖1所示。

標(biāo)簽： 運(yùn)算放大器

上傳時(shí)間： 2022-04-24

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eMMC詳細(xì)介紹

一． eMMC的概述eMMC (Embedded MultiMedia Card) 為MMC協(xié)會(huì)所訂立的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，主要是針對(duì)手機(jī)產(chǎn)品為主。eMMC的一個(gè)明顯優(yōu)勢(shì)是在封裝中集成了一個(gè)控制器， 它提供標(biāo)準(zhǔn)接口并管理閃存， 使得手機(jī)廠商就能專注于產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的其它部分，并縮短向市場(chǎng)推出產(chǎn)品的時(shí)間。這些特點(diǎn)對(duì)于希望通過(guò)縮小光刻尺寸和降低成本的NAND供應(yīng)商來(lái)說(shuō)，具有同樣的重要性。二． eMMC的優(yōu)點(diǎn)eMMC目前是最當(dāng)紅的移動(dòng)設(shè)備本地存儲(chǔ)解決方案，目的在于簡(jiǎn)化手機(jī)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)，由于NAND Flash 芯片的不同廠牌包括三星、KingMax、東芝(Toshiba) 或海力士(Hynix) 、美光(Micron) 等，入時(shí)，都需要根據(jù)每家公司的產(chǎn)品和技術(shù)特性來(lái)重新設(shè)計(jì)，過(guò)去并沒(méi)有哪個(gè)技術(shù)能夠通用所有廠牌的NAND Flash 芯片。而每次NAND Flash 制程技術(shù)改朝換代，包括70 納米演進(jìn)至50 納米，再演進(jìn)至40 納米或30 納米制程技術(shù)，手機(jī)客戶也都要重新設(shè)計(jì)， 但半導(dǎo)體產(chǎn)品每1 年制程技術(shù)都會(huì)推陳出新， 存儲(chǔ)器問(wèn)題也拖累手機(jī)新機(jī)種推出的速度，因此像eMMC這種把所有存儲(chǔ)器和管理NAND Flash 的控制芯片都包在1 顆MCP上的概念，逐漸風(fēng)行起來(lái)。eMMC的設(shè)計(jì)概念，就是為了簡(jiǎn)化手機(jī)內(nèi)存儲(chǔ)器的使用，將NAND Flash 芯片和控制芯片設(shè)計(jì)成1 顆MCP芯片，手機(jī)客戶只需要采購(gòu)eMMC芯片，放進(jìn)新手機(jī)中，不需處理其它繁復(fù)的NAND Flash 兼容性和管理問(wèn)題，最大優(yōu)點(diǎn)是縮短新產(chǎn)品的上市周期和研發(fā)成本，加速產(chǎn)品的推陳出新速度。閃存Flash 的制程和技術(shù)變化很快，特別是TLC 技術(shù)和制程下降到20nm階段后，對(duì)Flash 的管理是個(gè)巨大挑戰(zhàn)，使用eMMC產(chǎn)品，主芯片廠商和客戶就無(wú)需關(guān)注Flash 內(nèi)部的制成和產(chǎn)品變化，只要通過(guò)eMMC的標(biāo)準(zhǔn)接口來(lái)管理閃存就可以了。這樣可以大大的降低產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的難度和加快產(chǎn)品上市時(shí)間。eMMC可以很好的解決對(duì)MLC 和TLC 的管理， ECC 除錯(cuò)機(jī)制(Error Correcting Code) 、區(qū)塊管理(BlockManagement)、平均抹寫(xiě)儲(chǔ)存區(qū)塊技術(shù) (Wear Leveling) 、區(qū)塊管理（ Command Managemen）t，低功耗管理等。eMMC核心優(yōu)點(diǎn)在于生產(chǎn)廠商可節(jié)省許多管理NAND Flash 芯片的時(shí)間，不必關(guān)心NAND Flash 芯片的制程技術(shù)演變和產(chǎn)品更新?lián)Q代，也不必考慮到底是采用哪家的NAND Flash 閃存芯片，如此， eMMC可以加速產(chǎn)品上市的時(shí)間，保證產(chǎn)品的穩(wěn)定性和一致性。

標(biāo)簽： emmc

上傳時(shí)間： 2022-06-20

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DS18B20原理及應(yīng)用實(shí)例(源程序+原理圖+Proteus仿真)

基于Proteus仿真前言：本文詳細(xì)介紹了DS18B20原理，并在后面舉例說(shuō)明了其在單片機(jī)中的應(yīng)用，所舉例子包含Proteus仿真電路圖，源程序，程序注釋詳細(xì)清楚。1、DS18B20簡(jiǎn)介：DS18B20溫度傳感器是DALLAS公司生產(chǎn)的1-wire式單總線器件，具有線路簡(jiǎn)單，體積小的特點(diǎn)，用它組成的溫度測(cè)量系統(tǒng)線路非常簡(jiǎn)單，只要求一個(gè)端口即可實(shí)現(xiàn)通信。溫度測(cè)量范圍在一55℃~+125℃之間，分辨率可以從9~12位選擇，內(nèi)部還有溫度上、下限報(bào)警設(shè)置。每個(gè)DS18B20芯片都有唯一的序列號(hào)，所以可以利用多個(gè)DS18B20同時(shí)連接在同一條總線上，組成多點(diǎn)測(cè)溫系統(tǒng)。但最多只能連接8個(gè)，如果數(shù)量過(guò)多，會(huì)使供電電源電壓過(guò)低，從而造成信號(hào)傳輸?shù)牟环€(wěn)定。2、DS18B20結(jié)構(gòu)：如右圖所示，DS18B20有三只引腳，VCC、DQ和GND。DQ為數(shù)字信號(hào)輸入/輸出端（DQ一般接控制器（單片機(jī)）的一個(gè)1/0口上，由于單總線為開(kāi)漏所以需要外接一個(gè)4.7K的上拉電阻）；GND為電源地；VDD為外接供電電源輸入端（在寄生電源接線方式時(shí)接地）。DS18B20內(nèi)部結(jié)構(gòu)主要由四部分組成：64位光刻ROM、溫度傳感器、非揮發(fā)的溫度報(bào)警觸發(fā)器TH和TL、配置寄存器。光刻ROM中的64位序列號(hào)是出廠前被光刻好的，它可以看作是該DS18B20的地址序列碼。64位光刻ROM的排列是：開(kāi)始8位是產(chǎn)品類型標(biāo)號(hào)，接著的48位是該DS1B20自身的序列號(hào)，最后8位是前面56位的CRC校驗(yàn)碼（循環(huán)冗余校驗(yàn)碼）。光刻ROM的作用是使每一個(gè)DS18B20都各不相同，這樣就可以實(shí)現(xiàn)一根總線上掛接多個(gè)DS18B20的目的。溫度傳感器可完成對(duì)溫度的測(cè)量，以12位轉(zhuǎn)化為例，用16位符號(hào)擴(kuò)展的二進(jìn)制補(bǔ)碼讀數(shù)形式提供。

標(biāo)簽： ds18b2 proteus

上傳時(shí)間： 2022-07-02

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芯片制造 半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程 第5版

本書(shū)是一部介紹半導(dǎo)體集成電路和器件技術(shù)的專業(yè)書(shū)籍。其英文版在半導(dǎo)體領(lǐng)域享有很高的聲譽(yù)．被列為業(yè)界最暢銷的書(shū)籍之一，第五版的出版就是最好的證明。 本書(shū)的范圍包括半導(dǎo)體工藝的每個(gè)階段．從原材料制備到封裝、測(cè)試以及傳統(tǒng)和現(xiàn)代工藝。每章包含有習(xí)題和復(fù)習(xí)總結(jié)，并輔以豐富的術(shù)語(yǔ)表。本書(shū)主要特點(diǎn)是簡(jiǎn)潔明了，避開(kāi)了復(fù)雜的數(shù)學(xué)理論．非常便于讀者理解。本書(shū)與時(shí)俱進(jìn)地加入了半導(dǎo)體業(yè)界的最新成果．可使讀者了解工藝技術(shù)發(fā)展的最新趨勢(shì)。本書(shū)可作為離等院校電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)和職業(yè)技術(shù)培訓(xùn)的教材，也可作為半導(dǎo)體專業(yè)人員的參考書(shū)。本版新增內(nèi)容? 納米技術(shù)? "綠色”工藝和器件? 300 mm 昆圖 工藝? 新的制造技術(shù)提升? 下一代光刻技術(shù)

標(biāo)簽： 芯片制造 半導(dǎo)體工藝制程

上傳時(shí)間： 2022-07-16

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芯片制造技術(shù)-半導(dǎo)體拋光類技術(shù)資料合集： 300mm硅單晶及拋光片標(biāo)準(zhǔn).pdf 6-英寸重?fù)缴楣鑶尉?/a>

標(biāo)簽： 芯片制造 硅單晶 拋光片

上傳時(shí)間： 2021-11-02

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半導(dǎo)體拋光、切片、清洗、研磨資料合集

半導(dǎo)體切片 保存到我的百度網(wǎng)盤(pán) 下載 芯片封裝詳細(xì)圖解.ppt 5.1M2019-10-08 11:29 切片機(jī)張刀對(duì)切片質(zhì)量的影響-45所.doc 152KB2019-10-08 11:29 內(nèi)圓切片機(jī)設(shè)計(jì).pdf 1.3M2019-10-08 11:29 厚硅片的高速激光切片研究.pdf 931KB2019-10-08 11:29 多晶硅片生產(chǎn)工藝介紹.ppt 7M2019-10-08 11:29 第四章半導(dǎo)體集成電路(最終版).ppt 9.7M2019-10-08 11:29 第三章-半導(dǎo)體晶體的切割及磨削加工.pdf 2.3M2019-10-08 11:29 第2章--半導(dǎo)體材料.ppt 2.2M2019-10-08 11:29 冰凍切片的制備.docx 23KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)4.ppt 1.2M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體全制程介紹.doc 728KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體晶圓切割.docx 21KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體晶圓切割 - 副本.docx 21KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體晶片加工.ppt 20KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體工藝技術(shù).ppt 6.4M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體工業(yè)簡(jiǎn)介-簡(jiǎn)體中文...ppt 半導(dǎo)體清洗 新型半導(dǎo)體清洗劑的清洗工藝.pdf 230KB2019-10-08 11:29 向65nm工藝提升中的半導(dǎo)體清洗技術(shù).pdf 197KB2019-10-08 11:29 硅研磨片超聲波清洗技術(shù)的研究.pdf 317KB2019-10-08 11:29 第4章-半導(dǎo)體制造中的沾污控制.ppt 5.3M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體制造工藝第3章-清-洗-工-藝.ppt 841KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體制程培訓(xùn)清洗.pptx.ppt 14.5M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體制程RCA清洗IC.ppt 19.7M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體清洗技術(shù)面臨變革.pdf 20KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體晶圓自動(dòng)清洗設(shè)備.pdf 972KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體晶圓的污染雜質(zhì)及清洗技術(shù).pdf 412KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體工藝-晶圓清洗.doc 44KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體第五講硅片清洗(4課時(shí)).ppt 5.1M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體IC清洗技術(shù).pdf 52KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體IC清洗技術(shù).doc 半導(dǎo)體拋光 直徑12英寸硅單晶拋光片-.pdf 57KB2019-10-08 11:29 拋光技術(shù)及拋光液.docx 16KB2019-10-08 11:29 化學(xué)機(jī)械拋光液(CMP)氧化鋁拋光液具.doc 114KB2019-10-08 11:29 化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)及SiO2拋光漿料研究進(jìn)展.pdf 447KB2019-10-08 11:29 化學(xué)機(jī)械拋光CMP技術(shù)的發(fā)展應(yīng)用及存在問(wèn)題.pdf 104KB2019-10-08 11:29 硅片腐蝕和拋光工藝的化學(xué)原理.doc 29KB2019-10-08 11:29 硅拋光片-CMP-市場(chǎng)和技術(shù)現(xiàn)狀-張志堅(jiān).pdf 350KB2019-10-08 11:29 表面活性劑在半導(dǎo)體硅材料加工技術(shù)中的應(yīng)用.pdf 166KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體制程培訓(xùn)CMP和蝕刻.pptx.ppt 6.2M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體工藝化學(xué).ppt 18.7M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體工藝.ppt 943KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體單晶拋光片清洗工藝分析.pdf 88KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體-第十四講-CMP.ppt 732KB2019-10-08 11:29 666化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)的研究進(jìn)展.pdf 736KB2019-10-08 11:29 6-英寸重?fù)缴楣鑶尉Ъ皰伖馄?pdf 205KB2019-10-08 11:29 300mm硅單晶及拋光片標(biāo)準(zhǔn).pdf 半導(dǎo)體研磨 半導(dǎo)體制造工藝第10章-平-坦-化.ppt 2M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體晶圓的生產(chǎn)工藝流程介紹.docx 18KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體硅材料研磨液研究進(jìn)展.pdf 321KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體封裝制程及其設(shè)備介紹.ppt 6.7M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體IC工藝流程.doc 81KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體CMP工藝介紹.ppt 623KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體-第十六講-新型封裝.ppt 18.5M2019-10-08 11:29 Semiconductor-半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí).pdf

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模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)（第四版）課件 康華光主編 PPT格式

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)（第四版）課件 康華光主編 PPT格式

標(biāo)簽： 模擬電子 技術(shù)基礎(chǔ)

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光測(cè)原理和技術(shù)

光測(cè)原理和技術(shù)

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