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光功率計(jì)

高頻功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路及并聯(lián)特性研究

本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路和在動(dòng)態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡(jiǎn)要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動(dòng)態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了參數(shù)計(jì)算并且選擇應(yīng)用了實(shí)用可靠的驅(qū)動(dòng)電路。此外，對(duì)功率MOSFET在兆赫級(jí)并聯(lián)山于不同的參數(shù)影響而引起的電流分配不均衡問題做了仿真研究及分析。

標(biāo)簽： MOSFET 高頻功率驅(qū)動(dòng)電路

上傳時(shí)間： 2013-11-22

上傳用戶：lijinchuan
聲控開關(guān)和光控開關(guān)的制作

聲控開關(guān)和光控開關(guān)的制作

標(biāo)簽： 聲控開關(guān) 光控開關(guān)

上傳時(shí)間： 2013-10-27

上傳用戶：shaoyun666
成功實(shí)現(xiàn)超低光信號(hào)轉(zhuǎn)換的七個(gè)步驟

在用于光檢測(cè)的固態(tài)檢波器中，光電二極管仍然是基本選擇(圖1)。光電二極管廣泛用于光通信和醫(yī)療診斷。其他應(yīng)用包括色彩測(cè)量、信息處理、條形碼、相機(jī)曝光控制、電子束邊緣檢測(cè)、傳真、激光準(zhǔn)直、飛機(jī)著陸輔助和導(dǎo)彈制導(dǎo)。

標(biāo)簽： 光信號(hào) 轉(zhuǎn)換

上傳時(shí)間： 2013-10-26

上傳用戶：csgcd001
【PPT】數(shù)碼短板印刷方案介紹（清華紫光）

數(shù)碼短板印刷方案介紹（清華紫光）。

標(biāo)簽： 數(shù)碼方案清華紫光

上傳時(shí)間： 2014-01-13

上傳用戶：bibirnovis
pcb layout規(guī)則

LAYOUT REPORT .............. 1 目錄.................. 1 1. PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)......... 2 2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用............ 2 3. 基準(zhǔn)點(diǎn) (光學(xué)點(diǎn)) -for SMD:........... 4 4. 標(biāo)記 (LABEL ING)......... 5 5. VIA HOLE PAD................. 5 6. PCB Layer 排列方式...... 5 7.零件佈置注意事項(xiàng) (PLACEMENT NOTES)............... 5 8. PCB LAYOUT 設(shè)計(jì)............ 6 9. Transmission Line ( 傳輸線 )..... 8 10.General Guidelines – 跨Plane.. 8 11. General Guidelines – 繞線....... 9 12. General Guidelines – Damping Resistor. 10 13. General Guidelines - RJ45 to Transformer................. 10 14. Clock Routing Guideline........... 12 15. OSC & CRYSTAL Guideline........... 12 16. CPU

標(biāo)簽： layout pcb

上傳時(shí)間： 2013-12-20

上傳用戶：康郎
新型小型化超寬帶功率分配器的設(shè)計(jì)

利用四分之三波長(zhǎng)折疊微帶線與四分之一波長(zhǎng)微帶線級(jí)聯(lián)，并在輸入端口引入四分之一波長(zhǎng)短路線，設(shè)計(jì)出一種新型的超寬帶功率分配器。采用奇偶模的方法進(jìn)行理論分析，導(dǎo)出設(shè)計(jì)參數(shù)方程，并通過HFSS進(jìn)行仿真優(yōu)化。仿真和測(cè)量結(jié)果表明，輸入回波損耗從3 GHz~10.9 GHz均大于10 dB。插入損耗從2.6 GHz~9.5 GHz均小于1 dB，從9.5 GHz~10.8 GHz均小于1.3 dB。輸出端口的回波損耗和隔離度從3 GHz~12.7 GHz均大于10 dB。高頻的帶外抑制在14.2 GHz時(shí)達(dá)到20 dB。

標(biāo)簽： 超寬帶功率分配器

上傳時(shí)間： 2013-11-08

上傳用戶：1966649934
電傳動(dòng)車輛用高功率鋰離子電池性能分析研究

為研究功率型鋰離子電池性能，對(duì)某35 Ah功率型鋰離子電池單體進(jìn)行了充放電特性試驗(yàn)和分析，由此獲得功率型電池在不同溫度和不同倍率下的充放電特性、內(nèi)阻特性和溫升特性。研究結(jié)果表明，低溫下電池的充放電內(nèi)阻較大，充放電性能衰減顯著；常溫下電池的內(nèi)阻較小，充放電溫升較小，大電流充放電的容量穩(wěn)定性好，質(zhì)量比能量高，作為電傳動(dòng)車輛主要或輔助動(dòng)力源具有良好的應(yīng)用前景。

標(biāo)簽： 電傳性能分析高功率鋰離子電池

上傳時(shí)間： 2013-11-13

上傳用戶：清風(fēng)冷雨
開關(guān)電源中功率MOSFET管損壞模式及分析

結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測(cè)試過電流和過電壓的電路圖。同時(shí)分析了功率MOSFET管在動(dòng)態(tài)老化測(cè)試中慢速開通、在電池保護(hù)電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長(zhǎng)時(shí)間工作在線性區(qū)時(shí)損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實(shí)際應(yīng)用，論述了功率MOSFET通常會(huì)產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機(jī)理和過程。

標(biāo)簽： MOSFET 開關(guān)電源功率分

上傳時(shí)間： 2013-11-14

上傳用戶：dongqiangqiang
功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)技術(shù)

功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)技術(shù)

標(biāo)簽： MOSFET 功率保護(hù)技術(shù) 驅(qū)動(dòng)電路

上傳時(shí)間： 2013-10-22

上傳用戶：wutong
觸摸調(diào)光SM7232兩種方案

調(diào)光芯片

標(biāo)簽： 7232 SM 觸摸調(diào)光方案

上傳時(shí)間： 2013-12-25

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