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光子

  • 平行雙導線受力分析

    comsol仿真光子晶體 平行雙導線 受力分析 教程 

    標簽: 導線

    上傳時間: 2017-04-19

    上傳用戶:Sz199488

  • geant4 簡單代碼

    geant4 入門級代碼,簡單的探測器探測單能光子

    標簽: geant4 代碼

    上傳時間: 2019-04-25

    上傳用戶:cy203203

  • CST在光學方面的應用

    簡單介紹光應用例題,比如光電池,光子帶隙...

    標簽: CST 光學 方面

    上傳時間: 2019-05-06

    上傳用戶:18636233039

  • 電磁雙穩態計算程序

    此MATLAB程序用于計算一維光子晶體結構中的光學雙穩態現象,能夠非常快速的得到雙穩態曲線。

    標簽: 電磁 雙穩態 計算 程序

    上傳時間: 2020-06-17

    上傳用戶:zgggyh

  • 第一性原理研究MoS2的電子結構及光學性質

    為了系統深入地研究MoS2的電子能帶結構和光電性質,基于密度泛函理論的第一性原理平面波贗勢方 法,計算和分析了材料MoS2的電子結構及其光學性質,給出了MoS2 的能帶結構、光吸收譜、電子態密度、能 量損失譜、反射譜、介電函數譜等光學性質。計算結果表明:體材料MoS2的電子躍遷形式是非垂直躍遷,具有 間接帶隙的半導體材料,帶隙寬為1.126 eV;價帶和導帶的形成是由Mo和S 的價電子起作用產生的。通過分析 其光學性質,發現MoS2的介電函數的實部和虛部的峰值都出現在低能區,當光子能量的升高,介電函數值會緩 慢降低;材料MoS2對可見紫外區域的光子具有很強的吸收,最大吸收系數為3.17×105cm-1;MoS2在能量為18.33eV 位置出現了共振現象,其它區域內能量的損失值都趨于為0,說明電子之間共振非常微弱。這些光學性質奠定了 該材料在制作微電子和光電子器件方面的作用,尤其是在紫外探測器應用方面有著潛在的應用前景,為未來對 MoS2材料的進一步研究提供理論參考。

    標簽: MoS2 電子結構 光學

    上傳時間: 2020-11-08

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  • 新型寬帶天線

    介紹了分形 超導 方向回溯 微波光子晶體等形式天線,對各自特點進行了深入分析。

    標簽: 寬帶 天線

    上傳時間: 2022-02-05

    上傳用戶:zhanglei193

  • 腦控技術叢書太赫茲波光子學 英文版

    腦控技術叢書太赫茲波光子學 英文版腦控,太赫茲,電磁波,光子

    標簽: 腦控技術 太赫茲 電磁波

    上傳時間: 2022-06-08

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  • 激光雷達微弱信號檢測電路設計

    激光雷達(Lidar light detection and ranging,光探測和測距的縮寫)是利用激光作為探測源的1種探測雷達。與常見的微波雷達所采用的波源微波相比,激光具有單色性好、相干性強、方向性好的特點,而且光波的工作波長與微波相比小3~5個數量級,因而激光雷達有極高的時空分辨力和抗干擾能力。因此,激光雷達在測距、制導、導航、測繪和大氣遙感、大氣探測等軍用、民用領域有非常廣闊的發展前景1-1由于激光雷達的波源是激光,所以其回波信號的接收是1個光電轉換的過程。激光雷達工作過程中激光源與探測目標、大氣的相互作用以散射和吸收為主,十幾公里外的回波多則十幾少則幾個光子,信號非常弱,因此激光雷達微弱信號檢測、放大技術是激光雷達的關鍵技術之.。目前,國內外在激光雷達信號前置放大領域的研究不多,往往是直接應用市場成品于不同的激光雷達,實際使用效果有好有壞。國外研制PMT前置放大器的公司有EMI,PHIL IPS SCIEN-TIFIC等公司,然而,不同的激光雷達,其回波信號和系統參數往往不一樣,因此有必要根據實際的激光雷達系統參數對其前置放大器進行優化設計,這樣才能更好的對激光雷達信號進行檢測放大。

    標簽: 激光雷達 微弱信號檢測

    上傳時間: 2022-06-19

    上傳用戶:XuVshu

  • GaN基LED材料特性研究及芯片結構設計

    本文在介紹了氮化嫁材料的基本結構特征及物理化學特性之后,從氮化擦的外延結構的屬性和氮化擦基高性能芯片設計兩個方面對氮化家材料和器件結構展開了討論。其中材料屬性部分,介紹了透射電子顯微鏡的工作原理及其主要應用范圍,然后根據實驗分析了TEM圖片,包括GaN多量子阱,重點分析了V型缺陷和塊狀缺陷的高分辨圖形,分析了他們對材料屬性的影響。然后分析了多種氮化擦樣品的光致發光譜和電致發光譜,并解釋其光譜藍移和紅移現象。在屬性部分最后介紹了基于密度泛函理論和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料屬性上的應用。在芯片結構設計部分,本文提出了三種高效率LED芯片的設計結構,分別是基于雙光子晶體的LED芯片,基于微球模型的LED芯片,基于激光剝離襯底的大功率LED芯片。涉及到光子晶體理論,蒙特卡羅理論及激光剝離理論,本文分別介紹和分析了各類理論基礎,并在此基礎上提出新的設計結構,給出仿真分析結果。雙光子晶體可以提供較完善的反射層,出射層。微球LED可以利用大尺寸表面結構來大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剝離襯底的大功率LED可以實現較好散熱效果和功率。

    標簽: led

    上傳時間: 2022-06-25

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