<li id="ewgu2"></li> 首先介紹一下原理，其實很簡單，磁力對懸浮物的控制，其基本原理是：霍爾傳感器在浮子的正下方，當檢測到浮子向左運動時，兩邊的線圈一個吸一個拉，把它推向右；反之如果浮子想右運動，那么兩個線圈的電流都反向，總共兩組共四個這樣的線圈，就可以把浮子限制在二維平面之內了。但是線圈產生的力是比較小的，因此只能夠推動浮子在水平面移動，要克服浮子的重力讓它懸浮起來，就要在四個線圈下面再加一個大的環形磁鐵提供斥力。為了讓懸浮更加穩定，我們采用了PID控制的平衡算法，對PID算法的了解有助于我們對整個實驗原理的理解，借用網上對PID的一段介紹：在工程實際中，PID控制是應用最為廣泛的調節器控制機制。PID控制中得P代表比例，即proportion；I代表積分，即integral；D代表微分，即differential；因此，PID控制，即比例-積分-微分控制。當被控對象的結構和參數不能完全掌握，或者得不到精確的數學模型時，其他的控制方法難以采用，那么控制器的結構和參數必須結合經驗和現場調試來決定，在這種情況下采用PID調節最為方便。首先，比例控制是一種最簡單的控制方式，就像胡克公式中的比例系數一樣，當控制器的輸出與輸入信號成比例關系，那么就可以得到一個比例系數。其次，積分控制是指控制器的輸出與輸入的誤差信號的積分有關。就如同電路中的電感元件，某個時刻的電壓與電流的積分有關。類似的，有時候信號的輸出必須綜合之前信號的輸入，而這種綜合往往是求和關系，因此使用積分控制簡單易行。最后，微分控制是指控制器的輸出與輸入信號的微分有關。最簡單的微分關系就是速度是位矢的微分。我們在控制懸浮物的平衡時，光知道懸浮物偏離平衡位置的位移從而采用比例控制是不夠的，對于同樣的偏離位移，懸浮物可能有不同的速度，那么要求我們對懸浮物有不同的處理方法，而恰恰速度是位矢的微分，于是我們可以通過對位移輸入數據進行微分操作，來實現對懸浮物的精確實時控制。可見，PID控制器是一種那個動態的控制機制。 以上就是實現下推式磁懸浮的基本原理，借助以上的基本原理，結合一定的軟件算法實現，我們就可以對懸浮物進行動態控制。
上傳時間： 2022-06-07
上傳用戶：canderile
隨著現代光電子技術的迅速發展，各類光電轉換器件的不斷出現，光電檢測技術的應用領域越來越廣泛，尤其是微弱光信號檢測技術的應用發展。微弱光信號檢測中，常常由于信號動態范圍寬、背景噪聲大給信號檢測帶來較大的困難。本文根據微弱光信號檢測技術原理，設計了一種基于單片機的微弱光信號檢測系統。首先，本文探討了微弱光信號檢測技術的研究背景和國內外研究現狀，對比了在微弱光信號檢測中常用的幾種方法。其次，對于微弱光信號檢測系統的放大電路模塊、電路控制模塊、電源電路、信號采集與傳輸模塊進行了詳細的介紹和討論。其中，重點分析了放大電路部分，利用對數放大器的信號壓縮功能，結合積分放大器原理實現寬動態、大噪聲信號的壓縮和變換，使信號平穩變換輸出，有效的被提取出來。對于系統的軟件部分采用單片機C語言編寫程序。然后，利用兩種光電二極管（PN型和PIN型）對微弱光信號檢測系統的入射光功率特性和入射光頻率特性進行了討論和分析，并測量了實際的發光二極管的光譜。最后，對系統電路測量結果和輸出特性進行了總結，并提出了該課題下一步研究工作。微弱光信號檢測系統電路的測量結果表明，該系統在微弱光信號檢測中達到較理想的效果。系統電路成本較低、速度較快、操作靈活，可以用于多種場合下的微弱信號的檢測。關鍵字：微弱光檢測，對數放大器，數據采集，光譜測量
標簽： 微弱光信號檢測系統
上傳時間： 2022-06-18
上傳用戶：默默
這是888立方燈的資料，可以讓你了解888立方的工作原理，資料非常詳細，歡迎觀看
標簽： 光立方
上傳時間： 2022-06-19
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采用NCP1399和L6564的LED驅動方案，可實現3合1調光。
標簽： LED
上傳時間： 2022-06-23
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1、引言SFP光模塊的數字診斷監測主要是對光模塊的供電電壓、模塊溫度、偏置電流、接收光功率、發射光功率等5個模擬參量和各種監控信號實時監測。通過分析數字化測量結果判斷光模塊的通信工作狀況，這有利于光通信鏈路的維護目前大部分設計方案是采用MAXIM公司的DS1859，該芯片完全兼容SFF-8472協議，功能齊全，軟件編程簡便，但是該芯片價格比較貴，同樣很多空間已固定，不靈活，擴展性不好，對于以后版本的升級不方便。本方案采用一片MCU，EEPROM，數字控制電位器（DCP）替代DS1859，使用軟件編程達到滿足SFF-8472協議要求，用FLASH存儲A2H地址內容以及內外部校準相結合的新校準思想，具有性價比高，可靠性好，擴展性好，校準快速簡便等優點本文首先介紹五個模擬量的一種新校準原理，接若分析DDM系統的控制器MCU、限幅放大器、激光驅動器、存儲單元、DCP的原理與作用，然后給出軟件的設計思路和實現方案，最后通過實驗數據驗證該方案的可行性。2、參量校準原理根據SFF-8472協議，光模塊的供電電壓等五個模擬參量有內部校準和外部校準兩種方式，內部校準的參數固化在程序里面，雖然可以通過外部界面設置改變，但是不同型號激光器PD響應度不一樣，內部校準就很不靈活。外部校準，克服了內部校準的缺點，但是，由于要測量slope和offet兩個參數，需人工手調，在批量生產的情況下，測量效率低下。而使用內外部校準相結合的校準方式可以克服上述的缺點
上傳時間： 2022-06-26
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基于Proteus仿真前言：本文詳細介紹了DS18B20原理，并在后面舉例說明了其在單片機中的應用，所舉例子包含Proteus仿真電路圖，源程序，程序注釋詳細清楚。1、DS18B20簡介：DS18B20溫度傳感器是DALLAS公司生產的1-wire式單總線器件，具有線路簡單，體積小的特點，用它組成的溫度測量系統線路非常簡單，只要求一個端口即可實現通信。溫度測量范圍在一55℃~+125℃之間，分辨率可以從9~12位選擇，內部還有溫度上、下限報警設置。每個DS18B20芯片都有唯一的序列號，所以可以利用多個DS18B20同時連接在同一條總線上，組成多點測溫系統。但最多只能連接8個，如果數量過多，會使供電電源電壓過低，從而造成信號傳輸的不穩定。2、DS18B20結構：如右圖所示，DS18B20有三只引腳，VCC、DQ和GND。DQ為數字信號輸入/輸出端（DQ一般接控制器（單片機）的一個1/0口上，由于單總線為開漏所以需要外接一個4.7K的上拉電阻）；GND為電源地；VDD為外接供電電源輸入端（在寄生電源接線方式時接地）。DS18B20內部結構主要由四部分組成：64位光刻ROM、溫度傳感器、非揮發的溫度報警觸發器TH和TL、配置寄存器。光刻ROM中的64位序列號是出廠前被光刻好的，它可以看作是該DS18B20的地址序列碼。64位光刻ROM的排列是：開始8位是產品類型標號，接著的48位是該DS1B20自身的序列號，最后8位是前面56位的CRC校驗碼（循環冗余校驗碼）。光刻ROM的作用是使每一個DS18B20都各不相同，這樣就可以實現一根總線上掛接多個DS18B20的目的。溫度傳感器可完成對溫度的測量，以12位轉化為例，用16位符號擴展的二進制補碼讀數形式提供。
上傳時間： 2022-07-02
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近年來，隨著通信技術的迅猛發展，光纖通信己成為當今信息社會不可或缺的通信系統。光電子器件以及光模塊是光通信系統中將電信號轉換成光信號或將光信號轉換成電信號的關鍵部件，是光傳輸系統的心臟。本課題研究從有源光器件的工作特性入手，描述了光收發合一模塊的工作原理、器件結構、耦合封裝、高速數字信號布線以及各種光模塊的現狀和發展。分析了半導體激光驅動器的輸入輸出結構及其高速調制特性，并對光模塊中高速電路傳輸線理論進行了詳細的分析。本文在理論上對光有源器件的特性、光模塊以及光收發器的工藝問題作了深入的探討。對傳輸線理論作了深入的研究，并將其應用于高速電路的布線上。所研究的光模塊具有性價比高、實用性強、接口標準實用面寬的特點，并且構成了系列產品，能廣泛應用于不同的場合。
上傳時間： 2022-07-09
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本書是納米氧化鈦光催化材料及應用的一個專著。書中從氧化鈦晶體結構和光催化基本原理入手，深入淺出地討論了納米氧化鈦品晶相、能帶結構和譜學特性等多種與材料及光催化活性密切相關的科學問題。用較多篇幅介紹了多種制備氧化鈦納米晶薄膜、介孔材料上修飾氧化認納米晶、骨架為結晶態的氧化鈦及氧化鈦復合光催化材料的方法以及如何通過控制合成條件制備高活性氧化鈦光催化材料。書中還結合實例介紹了光催化技術及氧化仗光催化材料在污水處理窄氣凈化、太陽能利用抗菌防霧、自清潔功能等方面的應用技術。本書對從事納米氧化怯光催化材料制備和應用研究的科技工作者有重要參考價值。
標簽： 光催化材料
上傳時間： 2022-07-10
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半導體切片 保存到我的百度網盤 下載 芯片封裝詳細圖解.ppt 5.1M2019-10-08 11:29 切片機張刀對切片質量的影響-45所.doc 152KB2019-10-08 11:29 內圓切片機設計.pdf 1.3M2019-10-08 11:29 厚硅片的高速激光切片研究.pdf 931KB2019-10-08 11:29 多晶硅片生產工藝介紹.ppt 7M2019-10-08 11:29 第四章半導體集成電路(最終版).ppt 9.7M2019-10-08 11:29 第三章-半導體晶體的切割及磨削加工.pdf 2.3M2019-10-08 11:29 第2章--半導體材料.ppt 2.2M2019-10-08 11:29 冰凍切片的制備.docx 23KB2019-10-08 11:29 半導體芯片制造技術4.ppt 1.2M2019-10-08 11:29 半導體全制程介紹.doc 728KB2019-10-08 11:29 半導體晶圓切割.docx 21KB2019-10-08 11:29 半導體晶圓切割 - 副本.docx 21KB2019-10-08 11:29 半導體晶片加工.ppt 20KB2019-10-08 11:29 半導體工藝技術.ppt 6.4M2019-10-08 11:29 半導體工業簡介-簡體中文...ppt 半導體清洗 新型半導體清洗劑的清洗工藝.pdf 230KB2019-10-08 11:29 向65nm工藝提升中的半導體清洗技術.pdf 197KB2019-10-08 11:29 硅研磨片超聲波清洗技術的研究.pdf 317KB2019-10-08 11:29 第4章-半導體制造中的沾污控制.ppt 5.3M2019-10-08 11:29 半導體制造工藝第3章-清-洗-工-藝.ppt 841KB2019-10-08 11:29 半導體制程培訓清洗.pptx.ppt 14.5M2019-10-08 11:29 半導體制程RCA清洗IC.ppt 19.7M2019-10-08 11:29 半導體清洗技術面臨變革.pdf 20KB2019-10-08 11:29 半導體晶圓自動清洗設備.pdf 972KB2019-10-08 11:29 半導體晶圓的污染雜質及清洗技術.pdf 412KB2019-10-08 11:29 半導體工藝-晶圓清洗.doc 44KB2019-10-08 11:29 半導體第五講硅片清洗(4課時).ppt 5.1M2019-10-08 11:29 半導體IC清洗技術.pdf 52KB2019-10-08 11:29 半導體IC清洗技術.doc 半導體拋光 直徑12英寸硅單晶拋光片-.pdf 57KB2019-10-08 11:29 拋光技術及拋光液.docx 16KB2019-10-08 11:29 化學機械拋光液(CMP)氧化鋁拋光液具.doc 114KB2019-10-08 11:29 化學機械拋光技術及SiO2拋光漿料研究進展.pdf 447KB2019-10-08 11:29 化學機械拋光CMP技術的發展應用及存在問題.pdf 104KB2019-10-08 11:29 硅片腐蝕和拋光工藝的化學原理.doc 29KB2019-10-08 11:29 硅拋光片-CMP-市場和技術現狀-張志堅.pdf 350KB2019-10-08 11:29 表面活性劑在半導體硅材料加工技術中的應用.pdf 166KB2019-10-08 11:29 半導體制程培訓CMP和蝕刻.pptx.ppt 6.2M2019-10-08 11:29 半導體工藝化學.ppt 18.7M2019-10-08 11:29 半導體工藝.ppt 943KB2019-10-08 11:29 半導體單晶拋光片清洗工藝分析.pdf 88KB2019-10-08 11:29 半導體-第十四講-CMP.ppt 732KB2019-10-08 11:29 666化學機械拋光技術的研究進展.pdf 736KB2019-10-08 11:29 6-英寸重摻砷硅單晶及拋光片.pdf 205KB2019-10-08 11:29 300mm硅單晶及拋光片標準.pdf 半導體研磨 半導體制造工藝第10章-平-坦-化.ppt 2M2019-10-08 11:29 半導體晶圓的生產工藝流程介紹.docx 18KB2019-10-08 11:29 半導體硅材料研磨液研究進展.pdf 321KB2019-10-08 11:29 半導體封裝制程及其設備介紹.ppt 6.7M2019-10-08 11:29 半導體IC工藝流程.doc 81KB2019-10-08 11:29 半導體CMP工藝介紹.ppt 623KB2019-10-08 11:29 半導體-第十六講-新型封裝.ppt 18.5M2019-10-08 11:29 Semiconductor-半導體基礎知識.pdf
上傳時間： 2013-06-14
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顯示器電路原理與維修
上傳時間： 2013-04-15
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