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光催化材料

光催化材料是指通過該材料、在光的作用下發生的光化學反應所需的一類半導體催化劑材料,世界上能作為光催化材料的有很多,包括二氧化鈦、氧化鋅、氧化錫、二氧化鋯、硫化鎘等多種氧化物硫化物半導體,其中二氧化鈦(TitaniumDioxide)因其氧化能力強,化學性質穩定無毒,成為世界上最當紅的納米光觸媒材料。
  • 納米氧化鈦光催化材料及應用

    本書是納米氧化鈦光催化材料及應用的一個專著。書中從氧化鈦晶體結構和光催化基本原理入手,深入淺出地討論了納米氧化鈦品晶相、能帶結構和譜學特性等多種與材料及光催化活性密切相關的科學問題。用較多篇幅介紹了多種制備氧化鈦納米晶薄膜、介孔材料上修飾氧化認納米晶、骨架為結晶態的氧化鈦及氧化鈦復合光催化材料的方法以及如何通過控制合成條件制備高活性氧化鈦光催化材料。書中還結合實例介紹了光催化技術及氧化仗光催化材料在污水處理窄氣凈化、太陽能利用抗菌防霧、自清潔功能等方面的應用技術。本書對從事納米氧化怯光催化材料制備和應用研究的科技工作者有重要參考價值。

    標簽: 光催化材料

    上傳時間: 2022-07-10

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  • 有機電致發光顯示器件新型封裝技術及材料的研究.rar

    有機發光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes,OLEDs)作為下一代顯示器倍受關注,它具有輕、薄、高亮度、快速響應、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優點,完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件,OLED的最大優越性是能夠與塑料晶體管技術相結合實現柔性顯示,應用前景非常誘人。OLED如此眾多的優點和廣闊的商業前景,吸引了全球眾多研究機構和企業參與其研發和產業化。然而,OLED也存在一些問題,特別是在發光機理、穩定性和壽命等方面還需要進一步的研究。要達到這些目標,除了器件的材料,結構設計外,封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現有的材料,從綠光OLED器件制作工藝、發光機理,結構和封裝入手,首先,探討了作為陽極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴重影響著光刻質量和器件的最終性能;ITO表面經過氧等離子處理后其表面功函數增大,明顯提高了器件的發光亮度和發光效率。 其次,針對光刻、曝光工藝技術進行了一系列相關實驗,在光刻工藝中,光刻膠的厚度是影響光刻質量的一個重要因素,其厚度在1.2μm左右時,光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過程中的曝光工藝,摸索出了最佳工藝參數。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結構為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm):C545T(2.1%摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝,實驗一中,在封裝玻璃的四周涂上UV膠,放入手套箱,在氮氣保護氣氛下用紫外冷光源照射1min進行一次封裝,然后取出OLED片,在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠,真空下用紫外冷光源照射1min,固化進行二次封裝。實驗二中,在各功能層蒸鍍完成后,又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層,然后再按實驗一的方法進行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發光光譜及壽命等特性進行了測試與討論。通過對比,研究發現增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長,其中,Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.4倍,Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了兩倍多,Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.3倍,研究還發現薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標等光電性能。最后,分別對三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進行了研究。

    標簽: 機電 發光 顯示器件

    上傳時間: 2013-07-11

    上傳用戶:liuwei6419

  • GPON光模塊規格書

    GPON收發一體光模塊材料技術選型規格書

    標簽: GPON光模塊

    上傳時間: 2016-01-14

    上傳用戶:TDPA

  • 基于單片機的便攜式空氣凈化器

    為解決空氣污染問題,設計了一種便攜式的空氣凈化器。采用了活性炭、光催化技術相結合的空氣過濾裝置。該空氣凈化器主要由單片機、空氣污染傳感器、語音電路、液晶顯示屏、引風機等五部分組成。該裝置體積小、攜帶方便,當空氣污染濃度超標時,可及時供給個人清新無污染的空氣。

    標簽: 單片機 便攜式 空氣凈化器

    上傳時間: 2013-11-10

    上傳用戶:葉立炫95

  • 單層MoS2的研究概述

    單層的MoS2作為一種新型半導體材 料,在場效應晶體管、光發射二極管、 光伏器件和光催化等領域具有極大的潛 在應用價值。本文對單層的MoS2的制 備、應用及理論研究進行簡單的概述。

    標簽: MoS2

    上傳時間: 2020-11-08

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  • 磁光材料和磁光器件 劉湘林.pdf

    磁光材料和磁光器件 劉湘林.pdf磁光材料和磁光器件 劉湘林.pdf

    標簽: 磁光材料

    上傳時間: 2022-01-10

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  • 光纖與光接入網知識匯總

    第一講 光纖的分類  一, 光纖的分類  光纖是光導纖維(OF:Optical Fiber)的簡稱。但光通信系統中常常將 Optical Fibe(光纖)又簡化為 Fiber,例如:光纖放大器(Fiber Amplifier)或光纖干線(Fiber Backbone)等等。有人忽略了Fiber雖有纖維的含義,但在光系統中卻是指光纖而言的。因此,有些光產品的說明中,把fiber直譯成“纖維”,顯然是不可取的。  光纖實際是指由透明材料作成的纖芯和在它周圍采用比纖芯的折射率稍低的材料作成的包層所被覆,并將射入纖芯的光信號,經包層界面反射,使光信號在纖芯中傳播前進的媒體。  光纖的種類很多,根據用途不同,所需要的功能和性能也有所差異。但對于有線電視和通信用的光纖,其設計和制造的原則基本相同,諸如:①損耗小;②有一定帶寬且色散小;③接線容易;④易于成統;⑤可靠性高;⑥制造比較簡單;⑦價廉等。

    標簽: 光纖 光接入網

    上傳時間: 2013-10-27

    上傳用戶:llandlu

  • 光導型InAsSb紅外探測器的研制

    針對室溫(293 K)條件下使用要求,采用InAsSb單晶材料加浸沒透鏡制作成2~9 μm波段高靈敏度光導型InAsSb紅外探測器。實測光譜響應值出現在1.656 5~8.989 μm。在光譜響應波段范圍內,最大響應度值為對比組C2、C3組。初步實現了室溫(293 K)使用要求,響應光譜2~9 μm波段光導型InAsSb紅外探測器設計目的。

    標簽: InAsSb 光導 紅外探測器

    上傳時間: 2013-11-23

    上傳用戶:xiaohanhaowei

  • 基于太赫茲時域光譜的半導體材料參數測量

    提出了一個考慮FP 效應的半導體材料參數測量方案。利用該方案可以在時域波形中,截取多個反射回峰,以提高材料參數提取的精確度。另外,考慮到多重反射對樣品厚度的準確性要求較高,提出了一種有效的厚度優化方法。以GaAs 為待測樣品,利用上述方法精確提取了其折射率與消光系數譜.

    標簽: 太赫茲 光譜 半導體材料 參數測量

    上傳時間: 2013-12-16

    上傳用戶:alan-ee

  • Mie散射數值計算的Delphi代碼,用來計算粒子的光散射

    Mie散射數值計算的Delphi代碼,用來計算粒子的光散射,在粒子檢測,材料測試上有廣泛的應用。

    標簽: Delphi Mie 散射 代碼

    上傳時間: 2014-01-09

    上傳用戶:miaochun888

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