專輯類-單片機專輯-258冊-4.20G 華邦用系列單片機資料3-22頁-0.3M.pdf
上傳時間： 2013-08-06
上傳用戶：1757122702
專輯類-單片機專輯-258冊-4.20G 256色液晶取模軟件.exe
上傳時間： 2013-07-17
上傳用戶：user08x
用12C508實現(xiàn)LED三路七彩調(diào)光的程序。······
上傳時間： 2013-06-16
上傳用戶：yw14205
中大尺寸液晶電視AC-DC電源架構及最新LED背光方案
上傳時間： 2013-07-01
上傳用戶：liu_yuankang
低壓電器電弧運動過程三維成像理論及運動機理研究在國內(nèi)外取得了一定的進展，但作為一種新型電弧研究方法，特別是對電弧運動可視化方面的研究尚處于起步階段，其技術涉及到電器學、數(shù)值計算、圖像處理、計算機科學等眾多學科領域，加之電弧復雜的非線性特性及其瞬時特性，導致測量研究的困難，在電弧機理、性能分析和模型設計等方面都還不夠成熟、完善。所以，在電弧模型理論研究、電器電磁機構的三維有限元分析、電器的計算機輔助設計、電弧動態(tài)特性研究等方面，存在大量的工作要做。對這些問題的深入研究，可以更好地認識電器觸頭在整個運動過程中極其復雜的電、熱、磁、機械等一系列現(xiàn)象。 為了從不同角度觀察分析電弧在滅弧室中的動態(tài)運動過程，本文在研究開關電器電弧圖像增強及運動過程三維可視化的基礎上，分析電弧形成機理、電弧特性和運動形態(tài)的基本理論，進一步考慮其模型特性和電弧等離子體磁壓縮效應，建立其運動數(shù)學模型。電弧圖像需要的處理主要有：圖像數(shù)字化、圖像平滑、圖像分割、圖像邊緣檢測、圖像增強。本文提出一種基于小波變換的圖像增強和直方圖的圖像增強算法，在保留電弧弧柱強特征的同時，突出顯示電器動觸頭圖像特征使增強后的電弧圖像適合人類的視覺特征，為電弧動態(tài)過程分析和電弧可視化模型的構建提供有效的分析基礎，并取得良好的電弧圖像增強效果。本文構造了基于比色測溫原理的電弧輻射拾取、圖像采集、同步控制、數(shù)據(jù)處理等硬件裝置，對試驗采集裝置進行了標定；將醫(yī)學上成功應用的計算機層析成像理論，應用于對電弧進行三維溫度場重建的研究，構造可單面陣CCD采集三組六路投影輻射強度的實驗裝置，通過對觸頭邊緣檢測的手段精確定位于不同光路中電弧的位置，對輻射拾取光路進行校準，編制了系統(tǒng)軟件，實現(xiàn)電弧三維溫度場的重建。研究數(shù)學模擬計算方法，提出了適合低壓電器電弧數(shù)學模型計算的方法。用計算機求解獲得以前依靠實驗才能獲得的開斷波形及運動過程，將理論分析、試驗研究和計算機仿真有機結合起來，使產(chǎn)品設計更加科學和準確，可以大大減少設計周期，減少試驗的盲目性和費用，有利于提高電器產(chǎn)品的技術性能，對于新產(chǎn)品開發(fā)，優(yōu)化滅弧室設計及模擬實驗，具有十分重要的意義。
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：cngeek
隨著綠色工程的實施，在照明領域，已將電力電子技術廣泛應用到電氣照明中去，所以尋找綠色、高效、長壽命、光色好等優(yōu)點的照明設備已成為必然。高強度氣體放電燈(High-Intensity-Discharge)由于光效高而節(jié)能，已經(jīng)在照明領域取得廣泛的應用。但傳統(tǒng)的電感鎮(zhèn)流器存在諸多缺點，故與之配套的HID燈電子鎮(zhèn)流器的開發(fā)成為研究的熱點，本文對基于數(shù)字控制的HID燈電子鎮(zhèn)流器進行了研究與設計。 本文第二章闡述了氣體放電的基礎知識和電光源的基本參數(shù)。比較了電子電感鎮(zhèn)流器的優(yōu)缺點，針對HID燈對電子鎮(zhèn)流器的要求，介紹了電子鎮(zhèn)流器基本原理和發(fā)展趨勢。第三章對高強度氣體放電燈的關鍵技術進行了研究。首先是對電子鎮(zhèn)流器的拓撲結構進行分析與比較，選定了傳統(tǒng)的三級結構進行設計，其次是對電子鎮(zhèn)流器的核心-逆變器的結構進行了分析，選定了全橋逆變結構，再次是對HID燈的各種點火電路的結構進行分析，本文選定了用單片機進行控制的點火的方式；最后是對燈的聲諧振進行了各種方式的比較與分析，給出通過數(shù)字調(diào)頻的方式來抑制聲諧振理論分析。第四章主要通過比較各種功率因數(shù)校正的優(yōu)缺點，并采取了基于boost結構的臨界功率因數(shù)校正。第五章對HID燈啟動工作過程進行了分析，提出了三段線性控制的策略，給出了控制的理論分析;比較了間接和直接兩種控制恒功率的方法，選定間接控制方式。第六章主要對數(shù)字控制的250W金鹵燈的樣機的實現(xiàn)中的部分電路(保護、驅(qū)動、逆變)進行分析與設計并給出了部分電路圖和軟件設計的流程圖以及部分仿真與試驗波形。最后在第七章對試驗結果進行分析，對本文的設計進行小結以及對未來的展望。
標簽： 氣體 電子鎮(zhèn)流器
上傳時間： 2013-07-16
上傳用戶：heart_2007
氙燈作為高強度氣體放電燈，其較好的顯色性，高光效等優(yōu)點大大超過傳統(tǒng)的鹵鎢燈，越來越受到市場的青睞，與其配套的電子鎮(zhèn)流器的研制也成了熱點。鑒于氙燈復雜的啟動特性，與模擬控制相比，數(shù)字控制因其較大的靈活性在此控制方面顯示了較大的優(yōu)勢。本文將以數(shù)字控制的汽車頭燈電子鎮(zhèn)流器為研究課題，對其一些關鍵的問題加以研究和探討。 論文的緒論部分將首先介紹汽車頭燈的發(fā)展歷史，接著對汽車頭燈電子鎮(zhèn)流器存在的難點問題做簡要的分析，指出目前其所處的現(xiàn)狀，并結合汽車頭燈未來發(fā)展趨勢談談本次課題的可行性和必要性。 第二章首先給出了目前氙燈電子鎮(zhèn)流器的基本電路結構，考慮到第一級直流升壓變流電路的重要性，較詳細討論了目前具備升壓功能的幾個典型電路的特點。鑒于氙燈較高的點火要求，對幾種典型的點火電路做了分析比較，最后討論了控制模式及其具體的控制方式。 第三章對汽車頭燈電子鎮(zhèn)流器進行了全面的設計。依據(jù)汽車頭燈電子鎮(zhèn)流器的主要技術指標，較詳細給出了主電路的設計過程，并還對其做了相應的損耗分析及效率估計。接著介紹了單級電壓遞升式點火電路設計，模數(shù)控制方式的原理，及控制回路中典型控制電路的設計，最后通過實際樣機的制作，論證其設計的合理性。 第四章詳細分析了高強度氣體放電燈的啟動特性，并根據(jù)金鹵燈和氙燈各自啟動特點及相應要求，分別提出了適合各自啟動要求的控制方法。此外，在大量文獻閱讀的基礎上，比較了當前典型的恒功率控制方案。在這個基礎上，提出了基于數(shù)模混合控制的新型恒功率控制方案。最后通過實驗驗證了這些控制方法的可行性及正確性。
標簽： 數(shù)字控制 汽車頭燈 電子鎮(zhèn)流器
上傳時間： 2013-07-09
上傳用戶：kaka
有機發(fā)光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作為下一代顯示器倍受關注，它具有輕、薄、高亮度、快速響應、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優(yōu)點，完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件，OLED的最大優(yōu)越性是能夠與塑料晶體管技術相結合實現(xiàn)柔性顯示，應用前景非常誘人。OLED如此眾多的優(yōu)點和廣闊的商業(yè)前景，吸引了全球眾多研究機構和企業(yè)參與其研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。然而，OLED也存在一些問題，特別是在發(fā)光機理、穩(wěn)定性和壽命等方面還需要進一步的研究。要達到這些目標，除了器件的材料，結構設計外，封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現(xiàn)有的材料，從綠光OLED器件制作工藝、發(fā)光機理，結構和封裝入手，首先，探討了作為陽極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴重影響著光刻質(zhì)量和器件的最終性能；ITO表面經(jīng)過氧等離子處理后其表面功函數(shù)增大，明顯提高了器件的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。 其次，針對光刻、曝光工藝技術進行了一系列相關實驗，在光刻工藝中，光刻膠的厚度是影響光刻質(zhì)量的一個重要因素，其厚度在1.2μm左右時，光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過程中的曝光工藝，摸索出了最佳工藝參數(shù)。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結構為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝，實驗一中，在封裝玻璃的四周涂上UV膠，放入手套箱，在氮氣保護氣氛下用紫外冷光源照射1min進行一次封裝，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠，真空下用紫外冷光源照射1min，固化進行二次封裝。實驗二中，在各功能層蒸鍍完成后，又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層，然后再按實驗一的方法進行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發(fā)光光譜及壽命等特性進行了測試與討論。通過對比，研究發(fā)現(xiàn)增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長，其中，Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.4倍，Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了兩倍多，Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.3倍，研究還發(fā)現(xiàn)薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標等光電性能。最后，分別對三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進行了研究。
上傳時間： 2013-07-11
上傳用戶：liuwei6419
LED調(diào)光－DMX512燈光協(xié)義接收控制.對做LED的DMX調(diào)光很幫助的
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：米卡
甚短距離傳輸(VSR)是一種用于短距離(約300 m～600m)內(nèi)進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓鈧鬏敿夹g.它主要應用于網(wǎng)絡中的交換機、核心路由器(CR)、光交叉連接設備(OXC)、分插復用器(ADM)和波分復用(WDM)終端等不同層次設備之間的互連,具有構建方便、性能穩(wěn)定和成本低等優(yōu)點,是光通信技術發(fā)展的一個全新領域,逐漸成為國際通用的標準技術,成為全光網(wǎng)的一個重要組成部分. 本文深入研究了VSR并行光傳輸系統(tǒng),完成了VSR技術的核心部分--轉換器子系統(tǒng)的設計與實現(xiàn),使用現(xiàn)場可編程陣列FPGA(Field Programmable GateArray)來完成轉換器電路的設計和功能實現(xiàn).深入研究現(xiàn)有VSR4-1.0和VSR4-3.0兩種并行傳輸標準,在其技術原理的基礎上,提出新的VSR并行方案,提高了多模光纖帶的信道利用率,充分利用系統(tǒng)總吞吐量大的優(yōu)勢,為將來向更高速率升級提供了依據(jù).根據(jù)萬兆以太網(wǎng)的技術特點和傳輸要求,提出并設計了用VSR技術實現(xiàn)局域和廣域萬兆以太網(wǎng)在較短距離上的高速互連的系統(tǒng)方案,成功地將VSR技術移植到萬兆以太網(wǎng)上,實現(xiàn)低成本、構建方便和性能穩(wěn)定的高速短距離傳輸. 本文所有的設計均在Altera Stratix GX系列FPGA的EP1SGX25F1020C7上實現(xiàn),采用Altera的Quartus Ⅱ開發(fā)工具和 Verilog HDL硬件描述語言完成了VSR4-1.0轉換器集成電路和萬兆以太網(wǎng)的SERDES的設計和仿真,并給出了各模塊的電路結構和仿真結果.仿真的結果表明,所有的設計均能正確的實現(xiàn)各自的功能,完全能夠滿足10Gb/s高速并行傳輸系統(tǒng)的要求.
上傳時間： 2013-07-14
上傳用戶：han0097
