潮光內(nèi)部整理資料
上傳時(shí)間： 2013-10-28
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潮光內(nèi)部整理資料：高速觸發(fā)器H11L1M
標(biāo)簽： H11L1M 高速觸發(fā)器 輸出 光耦
上傳時(shí)間： 2013-11-24
上傳用戶：小火車?yán)怖怖?/p>
這幾款均是達(dá)靈頓輸出的光耦合器，但各有特色，下面對(duì)其進(jìn)行一個(gè)簡(jiǎn)單的對(duì)比與說(shuō)明，方便在使用的時(shí)候進(jìn)行選型。
標(biāo)簽： MOC H11B1 H11G1 H11G2
上傳時(shí)間： 2013-11-07
上傳用戶：kristycreasy
電子電路中常用的器件包括：電阻、電容、 二極管、三極管、可控硅、輕觸開關(guān)、液晶、 發(fā)光二極管、蜂鳴器、各種傳感器、芯片、繼 電器、變壓器、壓敏電阻、保險(xiǎn)絲、光耦、濾 波器、接插件、電機(jī)、天線等。本課件只針最 常用的各種元件進(jìn)行講解，拋磚引玉，各位學(xué) 員在日常中應(yīng)注意積累相關(guān)知識(shí)。
標(biāo)簽： 電子元器件識(shí)別（帶圖）
上傳時(shí)間： 2016-09-19
上傳用戶：luhuayiw
AT89S52單片機(jī)主8入8出繼電器工控主板ALTIUM設(shè)計(jì)硬件原理圖+PCB文件,2層板設(shè)計(jì)，大小為121x149mm，Altium Designer 設(shè)計(jì)的工程文件，包括完整的原理圖及PCB文件，可以用Altium(AD)軟件打開或修改，可作為你的產(chǎn)品設(shè)計(jì)的參考。主要器件型號(hào)列表如下：Library Component Count : 25Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------24LC02AJKG 按鍵開關(guān)AT89S52-P 8 位微處理器/40引腳CAP CapacitorCAPACITOR POL CapacitorCPDR 瓷片電容CRYSTAL CrystalD Connector 9 Receptacle Assembly, 9 Position, Right AngleDG 電感DJDR 電解電容GO 光耦Header 5X2 Header, 5-Pin, Dual rowJDQYCK 繼電器——1常開1常閉LED 發(fā)光二極管LM2576HVT-3.3 Simple Switcher 3A Step Down Voltage RegulatorMAX232 NPN NPN Bipolar TransistorPZ_2 排針——2PZ_3 排針——3RES2Res 電阻Res PZ_8 8位排阻SW-DPST Double-Pole, Single-Throw SwitchWY2JG 穩(wěn)壓二級(jí)管ZL2JG 整流二極管
上傳時(shí)間： 2021-11-17
上傳用戶：kingwide
本文檔的詳細(xì)介紹的是史上最強(qiáng)AD元器件封裝庫(kù)的詳細(xì)資料合集免費(fèi)下載主要內(nèi)容包括了：AD轉(zhuǎn)換，CMOS系列，IC，TTL74系列IC，變壓器，常用器件，場(chǎng)效應(yīng)管，單片機(jī)及相關(guān)，電控開關(guān)，電子管，可控硅，模擬器件，數(shù)碼管光耦，雜元件庫(kù)，中央處理器。
標(biāo)簽： altium designer pcb
上傳時(shí)間： 2022-04-29
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一、IGBT 驅(qū)動(dòng)1 驅(qū)動(dòng)電壓的選擇IGBT 模塊GE 間驅(qū)動(dòng)電壓可由不同地驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生。典型的驅(qū)動(dòng)電路如圖1 所示。圖1 IGBT 驅(qū)動(dòng)電路示意圖Q1，Q2 為驅(qū)動(dòng)功率推挽放大，通過(guò)光耦隔離后的信號(hào)需通過(guò)Q1，Q2 推挽放大。選擇Q1，Q2 其耐壓需大于50V 。選擇驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，需考慮幾個(gè)因素。由于IGBT 輸入電容較MOSFET 大，因此IGBT 關(guān)斷時(shí)，最好加一個(gè)負(fù)偏電壓，且負(fù)偏電壓比MOSFET 大， IGBT 負(fù)偏電壓最好在-5V~-10V 之內(nèi)；開通時(shí)，驅(qū)動(dòng)電壓最佳值為15V 10％ ,15V 的驅(qū)動(dòng)電壓足夠使IGBT 處于充分飽和，這時(shí)通態(tài)壓降也比較低，同時(shí)又能有效地限制短路電流值和因此產(chǎn)生的應(yīng)力。若驅(qū)動(dòng)電壓低于12V ，則IGBT 通態(tài)損耗較大， IGBT 處于欠壓驅(qū)動(dòng)狀態(tài)；若 VGE >20V ，則難以實(shí)現(xiàn)電流的過(guò)流、短路保護(hù)，影響 IGBT 可靠工作。2 柵極驅(qū)動(dòng)功率的計(jì)算由于IGBT 是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，需要的驅(qū)動(dòng)功率值比較小，一般情況下可以不考慮驅(qū)動(dòng)功率問(wèn)題。但對(duì)于大功率IGBT ，或要求并聯(lián)運(yùn)行的IGBT 則需要考慮驅(qū)動(dòng)功率。IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)功率受到驅(qū)動(dòng)電壓即開通VGE( ON )和關(guān)斷 VGE( off ) 電壓，柵極總電荷 QG 和開關(guān) f 的影響。柵極驅(qū)動(dòng)電源的平均功率 PAV 計(jì)算公式為：PAV =（VGE(ON ) +VGE( off ) ）* QG *f對(duì)一般情況 VGE( ON ) =15V，VGE( off ) =10V，則 PAV 簡(jiǎn)化為： PAV =25* QG *f。f 為 IGBT 開關(guān)頻率。柵極峰值電流 I GP 為：
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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01 基礎(chǔ)元器件和電阻.mp4 19.9M2019-07-26 10:55 02 基礎(chǔ)元器件：電容器.mp4 25.8M2019-07-26 10:55 03 基礎(chǔ)元器件：電感.mp4 45M2019-07-26 10:55 04 基礎(chǔ)元器件：保險(xiǎn).mp4 15.8M2019-07-26 10:55 05 基礎(chǔ)元器件：二極管.mp4 25.9M2019-07-26 10:55 06 基礎(chǔ)元器件：三極管.mp4 31.2M2019-07-26 10:55 07 基礎(chǔ)元器件+接插件.mp4 23.5M2019-07-26 10:55 08 基礎(chǔ)元器件+蜂鳴器.mp4 20.1M2019-07-26 10:55 09 基礎(chǔ)元器件+MOS.mp4 33.6M2019-07-26 10:55 10 基礎(chǔ)元器件+電阻提高篇.mp4 46.7M2019-07-26 10:55 11 基礎(chǔ)元器件+電感提高篇-變壓器.mp4 34.3M2019-07-26 10:55 12 基礎(chǔ)元器件+二極管提高篇-整流橋.mp4 32.4M2019-07-26 10:55 13 基礎(chǔ)元器件+IGBT.mp4 51.2M2019-07-26 10:55 14 基礎(chǔ)元器件+電源轉(zhuǎn)換器件.mp4 13.2M2019-07-26 10:55 15 基礎(chǔ)元器件+晶振.mp4 18.6M2019-07-26 10:55 16 基礎(chǔ)元器件+繼電器.mp4 33.2M2019-07-26 10:55 17 基礎(chǔ)元器件+光耦.mp4 38.3M2019-07-26 10:55 18 基礎(chǔ)元器件+緩沖器.mp4 26.5M2019-07-26 10:55 19 基礎(chǔ)元器件+觸發(fā)器.mp4 23.7M2019-07-26 10:55 20 基礎(chǔ)元器件+計(jì)數(shù)器.mp4 26.3M2019-07-26 10:55 21 基礎(chǔ)元器件-AD DA轉(zhuǎn)換器.mp4 62.3M2019-07-26 10:55 22 基礎(chǔ)元器件+隔離放大器.mp4 31.3M2019-07-26 10:55 23 基礎(chǔ)元器件+運(yùn)放.mp4 45.1M2019-07-26 10:55 24 基礎(chǔ)元器件+電壓基準(zhǔn)源.mp4 30.7M2019-07-26 10:55 25 基礎(chǔ)元器件+555定時(shí)器.mp4 25.5M2019-07-26 10:55 課程資料.rar
上傳時(shí)間： 2013-06-15
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本文主要圍繞車用CAN總線抗電磁干擾能力進(jìn)行了研究。 首先，在在參考國(guó)內(nèi)外相關(guān)研究資料的基礎(chǔ)上，依據(jù)FORD公司的ES-XW7T-1A278-AC電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)、IS07637-3對(duì)非電源線的瞬態(tài)傳導(dǎo)抗干擾測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和IS011452-4大電流注入(BCI)電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)，利用瑞士EMTEST公司的UCS-200M、CSW500D等設(shè)備，搭建了3個(gè)用于測(cè)試CAN總線抗干擾能力的實(shí)驗(yàn)平臺(tái)。 在所搭建的測(cè)試平臺(tái)上，著重從CAN總線通訊介質(zhì)選擇和CAN節(jié)點(diǎn)抗干擾設(shè)計(jì)兩個(gè)方面進(jìn)行了理論分析和對(duì)比實(shí)驗(yàn)研究，得出了當(dāng)采用屏蔽雙絞線和非屏蔽雙絞線作為總線通訊介質(zhì)時(shí)，影響其抗干擾能力的因素；當(dāng)CAN總線節(jié)點(diǎn)采用的不同的物理層參數(shù)時(shí)，如光耦、共模線圈、磁珠、濾波電容、分裂端接電阻、不同的總線發(fā)送電平、不同的CAN收發(fā)器等，對(duì)CAN總線抗干擾能力的影響，給出了一些增強(qiáng)CAN節(jié)點(diǎn)電路抗干擾能力的建議及一種推薦電路。 最后提出了一種新的提高CAN總線抗干擾能力的方法，即通過(guò)把CAN總線的CANH和CANL數(shù)據(jù)線分別通過(guò)一個(gè)電阻連接到總線收發(fā)器的地和電源端，使總線的差分電平整體下拉，從而降低總線收發(fā)器對(duì)某些干擾引起的電平波動(dòng)所產(chǎn)生的誤判斷以達(dá)到增強(qiáng)抗電磁干擾的目的。并在基于FORD公司的ES-XW7T-1A278-AC電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)所搭建的CAN總線測(cè)試平臺(tái)上進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，驗(yàn)證了其有效性。
上傳時(shí)間： 2013-06-19
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選相控制開關(guān)又稱同步開關(guān)或相控開關(guān)，其實(shí)質(zhì)就是控制開關(guān)在電壓或電流的期望相位完成合閘或分閘，以主動(dòng)消除開關(guān)過(guò)程所產(chǎn)生的涌流和過(guò)電壓等電磁暫態(tài)效應(yīng)，提高開關(guān)的開斷能力。本論文首先分析了提高斷路器可靠性的途徑，介紹了相控開關(guān)的研究意義及其優(yōu)點(diǎn)；相控開關(guān)的基本原理和分合閘操作過(guò)程，為同步開關(guān)選相控制器的設(shè)計(jì)提供了理論依據(jù)。 永磁操動(dòng)機(jī)構(gòu)是近幾年正在發(fā)展的一種新型操動(dòng)機(jī)構(gòu)，它利用永久磁鐵產(chǎn)生的磁力將真空斷路器保持在分合閘位置，而無(wú)需任何傳統(tǒng)機(jī)械脫扣鎖扣裝置。它機(jī)構(gòu)零部件少，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使斷路器動(dòng)作的可靠性大大提高。二次控制回路采用電子控制模塊，動(dòng)作迅速并可以實(shí)現(xiàn)精確時(shí)間控制，采用開關(guān)電源輸入范圍寬，輸入輸出用光耦隔離，功耗低，極大地提高了可靠性，使永磁機(jī)構(gòu)真空斷路器成為真正意義的免維護(hù)智能化斷路器。單線圈永磁機(jī)構(gòu)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小，在中壓領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。相控真空開關(guān)采用三相獨(dú)立操動(dòng)的單線圈永磁機(jī)構(gòu)，其操作電源為由大功率電力電子器件控制的儲(chǔ)能大容量電容器，通過(guò)多次的測(cè)試結(jié)果表明單線圈永磁機(jī)構(gòu)能很好地滿足相控開關(guān)的要求，是相控開關(guān)的理想選擇。 本文詳細(xì)介紹了以Mega16為控制核心的單線圈永磁機(jī)構(gòu)智能控制器，這種控制系統(tǒng)集保護(hù)、控制、開關(guān)量監(jiān)測(cè)等功能于一體。可實(shí)現(xiàn)對(duì)電容電壓實(shí)時(shí)顯示，具有過(guò)電流速斷保護(hù)、過(guò)電壓和欠電壓保護(hù)、閉鎖以及報(bào)警等功能。 通過(guò)相關(guān)試驗(yàn)測(cè)試，表明本系統(tǒng)已經(jīng)初步達(dá)到了設(shè)計(jì)所要達(dá)到的預(yù)期效果，為以后的研究以及同步控制系統(tǒng)的完善和優(yōu)化提供了有益的經(jīng)驗(yàn)和參考。
標(biāo)簽： 單線圈 永磁機(jī)構(gòu) 開關(guān)控制器
上傳時(shí)間： 2013-07-02
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