本文主要研究了一種比較簡單的正弦輸出的逆變器的設計。本設計采用全橋逆變電路和用推挽升壓的方式獲得逆變器的直流輸入電壓的設計方法來獲得較大的輸出功率和較高的功率因數.在直流升壓過程中用PWM集成控制器輸出相位相反具有一定占空比的兩高頻脈沖電壓來控制開關管的導通與關斷，進而控制推挽升壓變壓器的輸出直流電壓，再利用SPWM調制信號控制逆變器開關管的導通與關斷，再用LC濾波濾掉逆變器輸出高頻部分，得到正弦波形，最后利用保護控制電路使逆變輸出一個穩定的滿足要求的交流波形。
標簽： 高頻 逆變器
上傳時間： 2013-10-20
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基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設計了一種高電源抑制比，同時可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準電路。首先采用一個具有高電源抑制比的基準電壓，通過電壓放大器放大得到穩定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關鍵電阻設置為可調電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數，以適應不同工藝下負溫度系數的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時（PSRR）達到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內的不同工藝角下，溫度系數均可達到5.6×10-6 V/℃以下。
標簽： CMOS 高電源抑制 工藝 基準電壓源
上傳時間： 2014-12-03
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經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
標簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制
上傳時間： 2014-09-08
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十種運放精密全波整流電路，很全面的電路
標簽： 運放 精密 全波整流 電路
上傳時間： 2013-11-08
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透過增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時，還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範圍。這會影響電源的變壓器圈數比以及各種電壓與電流應力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應力越小，電源效率也就越高。
標簽： 輸入電容 電流
上傳時間： 2013-11-11
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大電流輸出開關電源電路
標簽： 250W 大電流 輸出開關 電源電路
上傳時間： 2013-11-16
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PC電源測試系統chroma8000簡介
標簽： chroma 8000 電源測試系統
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陶顯芳老師的《開關電源設計技巧》全
標簽： 陶顯芳 開關電源 設計技巧
上傳時間： 2013-11-22
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為了解決電力系統諧波檢測中存在的檢測精度低的問題，提出一種改進的全相位時移相位差頻譜校正算法，消除了相位值對采樣中心樣點的依賴性。將該算法用于電網含有諧波以及間諧波的測量分析，結果表明該算法在中高信噪比情況下相位誤差小于1°，具有估計精度高且穩定性好的特點。
標簽： 電力系統 諧波檢測 相位 頻譜分析
上傳時間： 2014-12-24
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艾默生開關電源基礎
標簽： 開關電源
上傳時間： 2013-10-11
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