晶閘管控制電抗器(TCR)型靜止無功補(bǔ)償裝置(SVC)由于其對(duì)快速波動(dòng)負(fù)荷補(bǔ)償?shù)牧己眯Ч蔀榻陙頍o功補(bǔ)償?shù)臒狳c(diǎn)。本文對(duì)SVC的各種裝置進(jìn)行了介紹，研究了TCR型SVC的原理和控制方法，特別分析了12脈波TCR的諧波特性；引入了基于三角波調(diào)制的無功電流檢測方法，并在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了以AVR單片機(jī)為核心的動(dòng)態(tài)無功補(bǔ)償裝置控制器。在控制器硬件電路的基礎(chǔ)上，利用C語言進(jìn)行軟件編程實(shí)現(xiàn)了控制器對(duì)裝置的自動(dòng)控制。通過變電站的現(xiàn)場實(shí)驗(yàn)證明控制器能夠準(zhǔn)確、快速、可靠的控制TCR實(shí)現(xiàn)對(duì)波動(dòng)負(fù)荷的快速補(bǔ)償。
上傳時(shí)間： 2013-08-03
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SPI接口實(shí)險(xiǎn)，動(dòng)態(tài)LED數(shù)據(jù)管顯示實(shí)驗(yàn)。 1、程序通過SPI接口輸出數(shù)據(jù)到HC595芯片驅(qū)動(dòng)LED數(shù)據(jù)管簡單顯示。 2、動(dòng)態(tài)調(diào)度由片內(nèi)定時(shí)器1中斷產(chǎn)生，中斷周期為5mS。 3、內(nèi)部1 M晶振，程序采用單任務(wù)方式，軟件延時(shí)。 4、進(jìn)行此實(shí)驗(yàn)請插上JP1的所有8個(gè)短路塊，JP6(SPI_EN)短路塊。
標(biāo)簽： 數(shù)碼管 動(dòng)態(tài)顯示 實(shí)驗(yàn)
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三極管,場效應(yīng)管參數(shù)大全，里面記錄了市面上各種常用的三級(jí)管，場效應(yīng)管型號(hào)及其基本參數(shù)
標(biāo)簽： 三極管 場效應(yīng)管 參數(shù)大全
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隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，高壓換流設(shè)備在工業(yè)應(yīng)用中日益廣泛。其核心元件晶閘管（SCR）的電壓與電流越來越高（已達(dá)到10KV/10KA以上），應(yīng)用場合要求也越來越高。在國際上，晶閘管的光控技術(shù)發(fā)展日益成熟。根據(jù)對(duì)國內(nèi)晶閘管技術(shù)發(fā)展前景和需求的展望，本文采用自供電驅(qū)動(dòng)技術(shù)與光控技術(shù)相結(jié)合，研發(fā)光控自供電晶閘管驅(qū)動(dòng)控制板，然后與晶閘管本體相結(jié)合即形成光控晶閘管工程化實(shí)現(xiàn)模型，其可作為光控晶閘管的替代技術(shù)。 在工程應(yīng)用中，光控晶閘管的典型應(yīng)用場合為四象限高壓變頻器和國家大型直流輸變電系統(tǒng)等。隨著國家節(jié)能工程的實(shí)施，高壓變頻器的應(yīng)用范圍越來越廣泛，已成為工業(yè)節(jié)能中的重要環(huán)節(jié)。高壓直流換流系統(tǒng)難度大，技術(shù)復(fù)雜，要求高，本論文研究的光控晶閘管替代技術(shù)只作為其儲(chǔ)備技術(shù)之一。本論文以電流源型高壓變頻器作為該光控晶閘管替代技術(shù)的應(yīng)用背景重點(diǎn)闡述。 電流源型高壓變頻器為了提高單機(jī)容量，通常是數(shù)個(gè)SCR串聯(lián)使用。隨著系統(tǒng)容量越來越大，裝置對(duì)高壓開關(guān)器件的要求也越來越高。如果一組串聯(lián)SCR中某一個(gè)SCR該導(dǎo)通時(shí)沒有導(dǎo)通，那么加在該組SCR上的電壓都將加到該SCR上形成過電壓，造成該器件的擊穿損壞，甚至于一組串聯(lián)SCR都被燒壞。為了克服上述問題，保證高壓變頻器中串聯(lián)晶閘管能夠安全可靠的工作，提高系統(tǒng)可靠性，有必要為晶閘管配備后備驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。本文提出了給SCR驅(qū)動(dòng)電路增設(shè)自供電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)——SPDS （Self—Powered Drive System）的解決辦法。SPDS基本功能是通過高位取能電路利用RC緩沖電路中的能量為監(jiān)測電路和后備觸發(fā)電路提供正常工作所需要的能量。它的優(yōu)點(diǎn)是由于緩沖電路與晶閘管同電位，自供電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)要求的電壓隔離水平可以從幾千伏降低到幾百伏，節(jié)省了高壓隔離變壓器，節(jié)省了成本和體積，提高了系統(tǒng)可靠性。國外對(duì)相關(guān)內(nèi)容已經(jīng)有了深入研究，并將其應(yīng)用在高壓變頻器產(chǎn)品中。在國內(nèi)，目前還沒有查到相關(guān)文獻(xiàn)。本文為基于晶閘管的電流源型高壓變頻器設(shè)計(jì)了一種高壓晶閘管自供電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，填補(bǔ)了國內(nèi)空白，為自供電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的推廣應(yīng)用和其他高壓開關(guān)器件自供電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的研制提供了參考。 本文詳細(xì)介紹了串聯(lián)高壓晶閘管驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的要求和RC緩沖電路的工作特 點(diǎn)，進(jìn)而提出了SPDS的工作原理和具體實(shí)現(xiàn)方式，闡述了SPDS各部分組成及其功能。SPDS的核心技術(shù)是取能回路和觸發(fā)方式的設(shè)計(jì)。本文在比較各種高壓取能方式和觸發(fā)方式優(yōu)缺點(diǎn)的基礎(chǔ)上，選擇采用RC緩沖取能方式和光纖觸發(fā)方式。 論文基于Multisim10仿真軟件，結(jié)合高壓晶閘管自供電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)取能電路的原理，對(duì)高壓晶閘管自供電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的核心部分——SPDS取能電路進(jìn)行了仿真。通過搭建帶SPDS取能電路的單相晶閘管仿真電路和電流源型高壓變頻器前側(cè)變流電路的仿真模型，詳細(xì)討論了影響RC取能回路正常工作的各種因素。同時(shí)，通過設(shè)定仿真電路的參數(shù)，分析了其工作狀況。根據(jù)得到的仿真波形圖，證明了高壓晶閘管自供電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)可以達(dá)到有效觸發(fā)晶閘管導(dǎo)通的設(shè)計(jì)目標(biāo)，具有可行性。 為考察SPDS的實(shí)際工作性能，本文搭建了簡易的SPDS低壓硬件實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，為其高壓條件下的工程化應(yīng)用打好了基礎(chǔ)。 在論文的最后，對(duì)高壓晶閘管自供電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的發(fā)展方向進(jìn)行了展望。 關(guān)鍵詞：高壓變頻器；晶閘管驅(qū)動(dòng)；自供電系統(tǒng)；高壓換流；光控晶閘管
上傳時(shí)間： 2013-05-26
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隨著低壓供電系統(tǒng)中感性負(fù)荷越來越多，電網(wǎng)對(duì)無功電流的需求量急劇增加，為了提高系統(tǒng)供電質(zhì)量和供電效率，必須對(duì)電網(wǎng)進(jìn)行無功補(bǔ)償。晶閘管投切電容器（TSC）一種簡單易行的補(bǔ)償措施，并已得到廣泛應(yīng)用。但是長期以來無功補(bǔ)償裝置中的電容器投切開關(guān)存在功能單一、使用壽命短、開關(guān)沖擊大等不足，這些不足嚴(yán)重制約了補(bǔ)償裝置的發(fā)展。因此開發(fā)大容量快速的集多種功能于一體的電子開關(guān)功率單元將是晶閘管投切電容器（TSC）技術(shù)中長期研究的主要內(nèi)容，具有很高的實(shí)用價(jià)值。 首先，本文回顧了投切開關(guān)的發(fā)展歷史，并指出它們存在的優(yōu)點(diǎn)和弊端。闡述了晶閘管投切電容器（TSC）的基本工作原理及主電路的組成和實(shí)現(xiàn)手段。 其次，提出功率單元的概念，并介紹了它的組成、功能和作用、對(duì)功率單元各個(gè)組成部分進(jìn)行研究，主要包括根據(jù)系統(tǒng)電壓和電流選擇晶閘管型號(hào)、根據(jù)TSC無過渡過程原理的分析來設(shè)計(jì)過零觸發(fā)模塊、利用補(bǔ)償電容上的工作電壓波形設(shè)計(jì)多功能卡上的工作指示電路、故障檢測電路，根據(jù)TSC的保護(hù)特點(diǎn)將溫度開關(guān)串入到控制信號(hào)和冷卻風(fēng)扇電路，在溫度過高時(shí)起到對(duì)功率單元的保護(hù)作用。然后在理論及設(shè)計(jì)參數(shù)的基礎(chǔ)上制造功率單元。在已有的TSC補(bǔ)償裝置上對(duì)功率單元的性能進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，論文所設(shè)計(jì)功率單元能很好的實(shí)現(xiàn)投切電容器的作用，還實(shí)現(xiàn)各種保護(hù)和顯示功能，提高效率和補(bǔ)償效果。 最后，系統(tǒng)地闡述了功率單元作為集成化開關(guān)模塊在無功補(bǔ)償領(lǐng)域的優(yōu)越性，并指出設(shè)計(jì)中需要完善的地方。
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隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，開關(guān)電源的小型化、高頻化成為趨勢，其中各個(gè)部分工作時(shí)的電磁干擾問題也越來越嚴(yán)重，因此開關(guān)電源的電磁兼容性也越來越引起人們的重視。目前，軟開關(guān)技術(shù)因其能減少開關(guān)損耗和提高效率，在開關(guān)電源中應(yīng)用越來越廣泛。本文的主要目的是針對(duì)開關(guān)電源中的電磁干擾進(jìn)行分析，研究軟開關(guān)技術(shù)對(duì)電磁干擾的影響，并且提出一種抑制共模干擾的濾波方法。 本文首先介紹了電磁兼容的定義、開關(guān)電源EMI的特點(diǎn)，論述了開關(guān)電源中EMI的研究現(xiàn)狀。從電磁干擾的三要素出發(fā)，介紹了開關(guān)電源中電磁干擾的干擾源和干擾的耦合通路。分析了電感、電容、高頻變壓器等器件的高頻特性，并介紹了線性阻抗穩(wěn)定系統(tǒng)(LISN)的定義和作用。在了解了軟開關(guān)基本概念的基礎(chǔ)上，本文以全橋變換器為對(duì)象，介紹了移相全橋ZVS的工作原理，分析了它在實(shí)現(xiàn)過程中對(duì)共模干擾的影響，并在考慮IGBT寄生電容的情況下，對(duì)其共模干擾通道進(jìn)行了分析。然后以UC3875為核心，設(shè)計(jì)了移相全橋ZVS的控制電路和主電路，實(shí)現(xiàn)了軟開關(guān)。為了對(duì)共模干擾進(jìn)行抑制，本文提出了一種新型的有源和無源相結(jié)合的EMI濾波器，即無源部分采用匹配網(wǎng)絡(luò)法，將阻抗失配的影響降到最低；有源部分采用前饋控制，對(duì)共模電流進(jìn)行補(bǔ)償。 針對(duì)以上提出的問題，本文通過Saber軟件對(duì)移相全橋ZVS進(jìn)行了仿真，并和硬開關(guān)條件下的傳導(dǎo)干擾進(jìn)行了比較，得出了在高頻段，ZVS的共模干擾小于硬開關(guān)，在較低頻段改善不大，甚至更加嚴(yán)重，而差模干擾有較大衰減的結(jié)論。通過對(duì)混合濾波器進(jìn)行仿真，取得了良好的濾波效果，和傳統(tǒng)的無源EMI濾波器相比，在體積和重量上都有一定優(yōu)勢。
標(biāo)簽： EMI 開關(guān)電源 模
上傳時(shí)間： 2013-05-28
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本書主要闡述設(shè)計(jì)射頻與微波功率放大器所需的理論、方法、設(shè)計(jì)技巧，以及將分析計(jì)算與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)相結(jié)合的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法。這些方法提高了設(shè)計(jì)效率，縮短了設(shè)計(jì)周期。本書內(nèi)容覆蓋非線性電路設(shè)計(jì)方法、非線性主動(dòng)設(shè)備建模、阻抗匹配、功率合成器、阻抗變換器、定向耦合器、高效率的功率放大器設(shè)計(jì)、寬帶功率放大器及通信系統(tǒng)中的功率放大器設(shè)計(jì)。 本書適合從事射頻與微波動(dòng)功率放大器設(shè)計(jì)的工程師、研究人員及高校相關(guān)專業(yè)的師生閱讀。 作者簡介 Andrei Grebennikov是M／A—COM TYCO電子部門首席理論設(shè)計(jì)工程師，他曾經(jīng)任教于澳大利亞Linz大學(xué)、新加坡微電子學(xué)院、莫斯科通信和信息技術(shù)大學(xué)。他目前正在講授研究班課程，在該班上，本書作為國際微波年會(huì)論文集。 目錄 第1章 雙口網(wǎng)絡(luò)參數(shù) 1.1 傳統(tǒng)的網(wǎng)絡(luò)參數(shù) 1.2 散射參數(shù) 1.3 雙口網(wǎng)絡(luò)參數(shù)間轉(zhuǎn)換 1.4 雙口網(wǎng)絡(luò)的互相連接 1.5 實(shí)際的雙口電路 1.5.1 單元件網(wǎng)絡(luò) 1.5.2 π形和T形網(wǎng)絡(luò) 1.6 具有公共端口的三口網(wǎng)絡(luò) 1.7 傳輸線 參考文獻(xiàn) 第2章 非線性電路設(shè)計(jì)方法 2.1 頻域分析 2.1.1 三角恒等式法 2.1.2 分段線性近似法 2.1.3 貝塞爾函數(shù)法 2.2 時(shí)域分析 2.3 NewtOn.Raphscm算法 2.4 準(zhǔn)線性法 2.5 諧波平衡法 參考文獻(xiàn) 第3章 非線性有源器件模型 3.1 功率MOSFET管 3.1.1 小信號(hào)等效電路 3.1.2 等效電路元件的確定 3.1.3 非線性I—V模型 3.1.4 非線性C.V模型 3.1.5 電荷守恒 3.1.6 柵一源電阻 3.1.7 溫度依賴性 3.2 GaAs MESFET和HEMT管 3.2.1 小信號(hào)等效電路 3.2.2 等效電路元件的確定 3.2.3 CIJrtice平方非線性模型 3.2.4 Curtice.Ettenberg立方非線性模型 3.2.5 Materka—Kacprzak非線性模型 3.2.6 Raytheon(Statz等)非線性模型 3.2.7 rrriQuint非線性模型 3.2.8 Chalmers(Angek)v)非線性模型 3.2.9 IAF(Bemth)非線性模型 3.2.10 模型選擇 3.3 BJT和HBT汀管 3.3.1 小信號(hào)等效電路 3.3.2 等效電路中元件的確定 3.3.3 本征z形電路與T形電路拓?fù)渲g的等效互換 3.3.4 非線性雙極器件模型 參考文獻(xiàn) 第4章 阻抗匹配 4.1 主要原理 4.2 Smith圓圖 4.3 集中參數(shù)的匹配 4.3.1 雙極UHF功率放大器 4.3.2 M0SFET VHF高功率放大器 4.4 使用傳輸線匹配 4.4.1 窄帶功率放大器設(shè)計(jì) 4.4.2 寬帶高功率放大器設(shè)計(jì) 4.5 傳輸線類型 4.5.1 同軸線 4.5.2 帶狀線 4.5.3 微帶線 4.5.4 槽線 4.5.5 共面波導(dǎo) 參考文獻(xiàn) 第5章 功率合成器、阻抗變換器和定向耦合器 5.1 基本特性 5.2 三口網(wǎng)絡(luò) 5.3 四口網(wǎng)絡(luò) 5.4 同軸電纜變換器和合成器 5.5 wilkinson功率分配器 5.6 微波混合橋 5.7 耦合線定向耦合器 參考文獻(xiàn) 第6章 功率放大器設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 6.1 主要特性 6.2 增益和穩(wěn)定性 6.3 穩(wěn)定電路技術(shù) 6.3.1 BJT潛在不穩(wěn)定的頻域 6.3.2 MOSFET潛在不穩(wěn)定的頻域 6.3.3 一些穩(wěn)定電路的例子 6.4 線性度 6.5 基本的工作類別：A、AB、B和C類 6.6 直流偏置 6.7 推挽放大器 6.8 RF和微波功率放大器的實(shí)際外形 參考文獻(xiàn) 第7章 高效率功率放大器設(shè)計(jì) 7.1 B類過激勵(lì) 7.2 F類電路設(shè)計(jì) 7.3 逆F類 7.4 具有并聯(lián)電容的E類 7.5 具有并聯(lián)電路的E類 7.6 具有傳輸線的E類 7.7 寬帶E類電路設(shè)計(jì) 7.8 實(shí)際的高效率RF和微波功率放大器 參考文獻(xiàn) 第8章 寬帶功率放大器 8.1 Bode—Fan0準(zhǔn)則 8.2 具有集中元件的匹配網(wǎng)絡(luò) 8.3 使用混合集中和分布元件的匹配網(wǎng)絡(luò) 8.4 具有傳輸線的匹配網(wǎng)絡(luò) 8.5 有耗匹配網(wǎng)絡(luò) 8.6 實(shí)際設(shè)計(jì)一瞥 參考文獻(xiàn) 第9章 通信系統(tǒng)中的功率放大器設(shè)計(jì) 9.1 Kahn包絡(luò)分離和恢復(fù)技術(shù) 9.2 包絡(luò)跟蹤 9.3 異相功率放大器 9.4 Doherty功率放大器方案 9.5 開關(guān)模式和雙途徑功率放大器 9.6 前饋線性化技術(shù) 9.7 預(yù)失真線性化技術(shù) 9.8 手持機(jī)應(yīng)用的單片cMOS和HBT功率放大器 參考文獻(xiàn)
標(biāo)簽： 射頻 微波功率 放大器設(shè)計(jì)
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場效應(yīng)管參數(shù)(5000種),Excel 文件格式
標(biāo)簽： 5000 場效應(yīng)管參數(shù)
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最新世界場效應(yīng)管特性代換手冊
標(biāo)簽： elecfans com 場效應(yīng)管
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包含基于VHDL語言的ADC采樣的 整個(gè)工程文件，代碼中選用數(shù)碼管動(dòng)態(tài)掃描方式輸出。
標(biāo)簽： VHDLADC 數(shù)碼管 動(dòng)態(tài)掃描
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