介紹了一款不要求負參考電壓 (VREF) 的電流源 DAC/運算放大器接口。盡管該建議電路設(shè)計提供了一款較好的有效解決方案,但必須注意的是:如果 DAC 的最大兼容電壓作為運算放大器輸入 (VDAC+) 正端的設(shè)計目標(biāo),則負端 (VDAC–) 的 DAC 電壓將會違反最大兼容輸出電壓,因為存在最初并不那么明顯的偏置。下面的討論,將對出現(xiàn)這種偏置的原因進行解釋,并提出一種解決問題的簡單方法。之后,我們將討論在 DAC 和運算放大器之間插入一個濾波器的方法。
上傳時間: 2013-10-22
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圖1所示電路采用digiPOT+系列數(shù)字電位計AD5292、雙通道運算放大器ADA4091-2和基準(zhǔn)電壓源ADR512,提供一種低成本、高電壓、單極性DAC。該電路提供10位分辨率,輸出電壓范圍為0 V至30 V,能夠提供最高±20 mA的輸出電流。AD5292可以通過SPI兼容型串行接口編程。
上傳時間: 2013-11-23
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雷達和通信系統(tǒng)中,采用鏡頻抑制混頻器能夠有效抑制鏡像頻率,提高系統(tǒng)的抗干擾能力,同時能夠有效的回收鏡頻能量,提高工作效率。在介紹鏡像干擾原理的基礎(chǔ)上,文中給出了一種鏡頻抑制混頻器的框圖,該結(jié)構(gòu)既能在接收機中作為鏡頻抑制混頻器,還能在發(fā)射機中作為單邊帶調(diào)制器。本文對某型下變頻器進行了干擾分析,與鏡像抑制混頻器進行了對比研究,提出了用鏡像抑制混頻器替代該型下變頻器的可行性。
標(biāo)簽: 寬帶 鏡頻抑制 混頻器 應(yīng)用研究
上傳時間: 2013-10-30
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555 定時器是一種模擬和數(shù)字功能相結(jié)合的中規(guī)模集成器件。一般用雙極性工藝制作的稱為 555,用 CMOS 工藝制作的稱為 7555,除單定時器外,還有對應(yīng)的雙定時器 556/7556。555 定時器的電源電壓范圍寬,可在 4.5V~16V 工作,7555 可在 3~18V 工作,輸出驅(qū)動電流約為 200mA,因而其輸出可與 TTL、CMOS 或者模擬電路電平兼容。 555 定時器成本低,性能可靠,只需要外接幾個電阻、電容,就可以實現(xiàn)多諧振蕩器、單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器及施密特觸發(fā)器等脈沖產(chǎn)生與變換電路。它也常作為定時器廣泛應(yīng)用于儀器儀表、家用電器、電子測量及自動控制等方面。555 定時器的內(nèi)部包括兩個電壓比較器,三個等值串聯(lián)電阻,一個 RS 觸發(fā)器,一個放電管 T 及功率輸出級。它提供兩個基準(zhǔn)電壓VCC /3 和 2VCC /3 555 定時器的功能主要由兩個比較器決定。兩個比較器的輸出電壓控制 RS 觸發(fā)器和放電管的狀態(tài)。在電源與地之間加上電壓,當(dāng) 5 腳懸空時,則電壓比較器 A1 的反相輸入端的電壓為 2VCC /3,A2 的同相輸入端的電壓為VCC /3。若觸發(fā)輸入端 TR 的電壓小于VCC /3,則比較器 A2 的輸出為 1,可使 RS 觸發(fā)器置 1,使輸出端 OUT=1。如果閾值輸入端 TH 的電壓大于 2VCC/3,同時 TR 端的電壓大于VCC /3,則 A1 的輸出為 1,A2 的輸出為 0,可將 RS 觸發(fā)器置 0,使輸出為 0 電平。
上傳時間: 2013-10-15
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LM393是雙電壓比較器集成電路。中文資料 該電路的特點如下:838電子 工作電源電壓范圍寬,單電源、雙電源均可工作,單電源:2~36V,雙電源:±1~±18V; 消耗電流小,Icc=0.8mA;lm393是什么 輸入失調(diào)電壓小,VIO=±2mV; 共模輸入電壓范圍寬,Vic=0~Vcc-1.5V; 輸出與TTL,DTL,MOS,CMOS 等兼容; 輸出可以用開路集電極連接“或”門;
上傳時間: 2013-11-14
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isoad系列產(chǎn)品實現(xiàn)傳感器和主機之間的信號安全隔離和高精度數(shù)字采集與傳輸,廣泛應(yīng)用于rs-232/485總線工業(yè)自動化控制系統(tǒng),4-20ma / 0-10v信號測量、監(jiān)視和控制,小信號的測量以及工業(yè)現(xiàn)場信號隔離及長線傳輸?shù)冗h程監(jiān)控場合。通過軟件的配置,可接入多種傳感器類型,包括電流輸出型、電壓輸出型、以及熱電偶等等。 產(chǎn)品內(nèi)部包括電源隔離,信號隔離、線性化,a/d轉(zhuǎn)換和rs-485串行通信等模塊。每個串口最多可接256只iso ad系列模塊,通訊方式采用ascii 碼字符通訊協(xié)議或modbus rtu通訊協(xié)議,其指令集兼容于adam模塊,波特率可由用戶設(shè)置,能與其他廠家的控制模塊掛在同一rs-485總線上,便于主機編程。 isoad系列產(chǎn)品是基于單片機的智能監(jiān)測和控制系統(tǒng),所有用戶設(shè)定的校準(zhǔn)值,地址,波特率,數(shù)據(jù)格式,校驗和狀態(tài)等配置信息都儲存在非易失性存儲器eeprom里。 isoad系列產(chǎn)品按工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計、制造,信號輸入 / 輸出之間隔離,可承受3000vdc隔離電壓,抗干擾能力強,可靠性高。工作溫度范圍- 45℃~+80℃。
標(biāo)簽: 20 mA D轉(zhuǎn)換 模擬信號
上傳時間: 2013-11-23
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產(chǎn)品概述: iso 40xx系列產(chǎn)品實現(xiàn)傳感器和主機之間的信號采集,用以檢測模擬信號或控制遠程設(shè)備。通過軟件的配置,可用于多種傳感器類型,包括:模擬信號輸入,模擬信號輸出,和數(shù)字信號輸入/輸出(i/o)。 iso 40xx系列產(chǎn)品可應(yīng)用在 rs-232/485總線工業(yè)自動化控制系統(tǒng),溫度信號測量、監(jiān)視和控制,小信號的測量以及工業(yè)現(xiàn)場信號隔離及長線傳輸?shù)鹊取.a(chǎn)品包括電源隔離、信號隔離及線性化,a/d轉(zhuǎn)換和rs-485串行通信。每個串口最多可接256只 iso 40xx系列模塊,通訊方式采用ascii碼、modbus通訊協(xié)議,其指令集兼容于adam模塊,波特率可由代碼設(shè)置,能與其他廠家的控制模塊掛在同一rs-485總線上,便于計算機編程。
上傳時間: 2013-10-12
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數(shù)字電位計是機械電位計的最佳替代產(chǎn)品,因其具有小尺寸封裝、更高可靠性、高精度和更小電壓毛刺等優(yōu)勢。數(shù)字電位計可采用各種數(shù)字和手動接口。手動或按鈕接口直接通過兩個按鈕開關(guān)進行控制, 例如AD5116或AD5228。按向上按鈕可提高電阻,按向下按鈕可降低電阻,如圖1所示。
上傳時間: 2013-10-11
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在許多消費電子產(chǎn)品及白色家電應(yīng)用中,新興的電容感應(yīng)按鈕正作為一個流行的用戶界面替代機械開關(guān)。然而,電容感應(yīng)界面設(shè)計也會帶來挑戰(zhàn),在新產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)及質(zhì)量控制等方面都可能會出現(xiàn)問題。例如,不同線路板的電容感應(yīng)按鈕寄生電容(CP )可能不同,環(huán)境變化(例如溫度及濕度)也可能會改變CP。系統(tǒng)不同噪聲也不相同。
標(biāo)簽: 電容感應(yīng) 系統(tǒng)設(shè)計
上傳時間: 2013-10-23
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近年來,隨著集成電路工藝技術(shù)的進步,電子系統(tǒng)的構(gòu)成發(fā)生了兩個重要的變化: 一個是數(shù)字信號處理和數(shù)字電路成為系統(tǒng)的核心,一個是整個電子系統(tǒng)可以集成在一個芯片上(稱為片上系統(tǒng))。這些變化改變了模擬電路在電子系統(tǒng)中的作用,并且影響著模擬集成電路的發(fā)展。 數(shù)字電路不僅具有遠遠超過模擬電路的集成規(guī)模,而且具有可編程、靈活、易于附加功能、設(shè)計周期短、對噪聲和制造工藝誤差的抗擾性強等優(yōu)點,因而大多數(shù)復(fù)雜系統(tǒng)以數(shù)字信號處理和數(shù)字電路為核心已成為必然的趨勢。雖然如此,模擬電路仍然是電子系統(tǒng)中非常重要的組成部分。這是因為我們接觸到的外部世界的物理量主要都是模擬量,比如圖像、聲音、壓力、溫度、濕度、重量等,要將它們變換為數(shù)字信號,需要模擬信號處理和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路,如果這些電路性能不夠高,將會影響整個系統(tǒng)的性能。其次,系統(tǒng)中的許多功能不可能或很難用數(shù)字電路完成,如微弱信號放大,很高頻率和寬頻帶信號的實時處理等。因此,雖然模擬電路在系統(tǒng)中不再是核心,但作為固有的模擬世界與數(shù)字系統(tǒng)的接口,其地位和作用仍然十分重要。 片上系統(tǒng)要求將數(shù)字電路和模擬電路集成在一個芯片上,這希望模擬電路使用與數(shù)字電路相同的制造工藝。隨著MOS器件的線寬不斷減小,使MOS器件的性能不斷提高,MOS數(shù)字電路成為數(shù)字集成電路的主流,并因此促進了MOS模擬集成電路的迅速發(fā)展。為了適應(yīng)電子系統(tǒng)功能的不斷擴展和性能的不斷提高,對模擬電路在降低電源電壓、提高工作頻率、擴大線性工作范圍和提高性能指標(biāo)的精度和穩(wěn)定度等方面提出更高要求,促進了新電路技術(shù)的發(fā)展。 作為研究生課程的教材,本書內(nèi)容是在本科相關(guān)課程基礎(chǔ)上的深化和擴展,同時涉及實際設(shè)計中需要考慮的一些問題,重點介紹具有高工作頻率、低電源電壓和高工作穩(wěn)定性的新電路技術(shù)和在電子系統(tǒng)中占有重要地位的功能電路及其中的新技術(shù)。全書共7章,大致可分為三個部分。第一部分包括第1章和第7章。第1章為MOS模擬集成電路基礎(chǔ),比較全面地介紹MOS器件的工作原理和特性以及由MOS器件構(gòu)成的基本單元電路,為學(xué)習(xí)本教材其他內(nèi)容提供必要的知識。由于版圖設(shè)計與工藝參數(shù)對模擬集成電路性能的影響很大,因此第7章簡單介紹制造MOS模擬集成電路的CMOS工藝過程和版圖設(shè)計技術(shù),讀者可以通過對該章所介紹的相關(guān)背景知識的了解,更深入地理解MOS器件和電路的特性,有助于更好地完成模擬集成電路的可實現(xiàn)性設(shè)計。第二部分為新電路技術(shù),由第2章、第3章和第5章的部分組成,包括近年來逐步獲得廣泛應(yīng)用的電流模電路、抽樣數(shù)據(jù)電路和對數(shù)域電路,它們在提高工作頻率、降低電源電壓、擴大線性工作范圍和提高性能指標(biāo)的精度和穩(wěn)定度方面具有明顯的潛力,同時它們也引入了一些模擬電路的新概念。這些內(nèi)容有助于讀者開拓提高電路性能方面的思路。第2章介紹電流模電路的工作原理、特點和典型電路。與傳統(tǒng)的以電壓作為信號載體的電路不同,這是一種以電流作為信號載體的電路,雖然在電路中電壓和電流總是共同存在并相互作用的,但由于信號載體不同,不僅電路性能不同而且電路結(jié)構(gòu)也不同。第3章介紹抽樣數(shù)據(jù)電路的特點和開關(guān)電容與開關(guān)電流電路的工作原理、分析方法與典型電路。抽樣數(shù)據(jù)電路類似于數(shù)字電路,處理的是時間離散信號,又類似于模擬電路,處理的是幅度連續(xù)信號,它比模擬電路具有穩(wěn)定準(zhǔn)確的時間常數(shù),解決了模擬電路實際應(yīng)用中的一大障礙。對數(shù)域電路在第5章中結(jié)合其在濾波器中的應(yīng)用介紹,這類電路除具有良好的電性能外,還提出了一種利用器件的非線性特性實現(xiàn)線性電路的新思路。第三部分介紹幾個模擬電路的功能模塊,它們是電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵組成部分,并且與信號和信號處理聯(lián)系密切,有助于在信號和電路間形成整體觀念。這部分包括第4章至第6章。第4章介紹數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路的技術(shù)指標(biāo)和高精度與高速度轉(zhuǎn)換電路的構(gòu)成、工作原理、特點和典型電路。第5章介紹模擬集成濾波器的設(shè)計方法和主要類型,包括連續(xù)時間濾波器、對數(shù)域濾波器和抽樣數(shù)據(jù)濾波器。第6章介紹通信系統(tǒng)中的收發(fā)器與射頻前端電路,包括收信器、發(fā)信器的技術(shù)指標(biāo)、結(jié)構(gòu)和典型電路。因為載波通信系統(tǒng)傳輸?shù)氖悄M信號,射頻前端電路的性能對整個通信系統(tǒng)有直接的影響,所以射頻集成電路已成為重要的研究課題。 〖〗高等模擬集成電路〖〗〖〗前言〖〗〖〗本書是在為研究生開設(shè)的“高等模擬集成電路”課程講義的基礎(chǔ)上整理而成,由董在望主編,第1、4、7章由李冬梅編寫,第6章由王志華編寫,第5章由李永明和董在望編寫,第2、3章由董在望編寫,李國林參加了部分章節(jié)的校核工作。 本書可作為信息與通信工程和電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)科相關(guān)課程的研究生教材或教學(xué)參考書,也可作為本科教學(xué)參考書或選修課教材和供相關(guān)專業(yè)的工程技術(shù)人員參考。 清華大學(xué)出版社多位編輯為本書的出版做了卓有成效的工作,深致謝意。 限于編者水平,難免有錯誤和疏漏之處,歡迎批評指正。 目錄 1.1MOS器件基礎(chǔ)及器件模型 1.1.1結(jié)構(gòu)及工作原理 1.1.2襯底調(diào)制效應(yīng) 1.1.3小信號模型 1.1.4亞閾區(qū)效應(yīng) 1.1.5短溝效應(yīng) 1.1.6SPICE模型 1.2基本放大電路 1.2.1共源(CS)放大電路 1.2.2共漏(CD)放大電路 1.2.3共柵(CG)放大電路 1.2.4共源共柵(CSCG)放大電路 1.2.5差分放大電路 1.3電流源電路 1.3.1二極管連接的MOS器件 1.3.2基本鏡像電流源 1.3.3威爾遜電流源 1.3.4共源共柵電流源 1.3.5有源負載放大電路 1.4運算放大器 1.4.1運算放大器的主要參數(shù) 1.4.2單級運算放大器 1.4.3兩級運算放大器 1.4.4共模反饋(CMFB) 1.4.5運算放大器的頻率補償 1.5模擬開關(guān) 1.5.1導(dǎo)通電阻 1.5.2電荷注入與時鐘饋通 1.6帶隙基準(zhǔn)電壓源 1.6.1工作原理 1.6.2與CMOS工藝兼容的帶隙基準(zhǔn)電壓源 思考題 2電流模電路 2.1概述 2.1.1電流模電路的概念 2.1.2電流模電路的特點 2.2基本電流模電路 2.2.1電流鏡電路 2.2.2電流放大器 2.2.3電流模積分器 2.3電流模功能電路 2.3.1跨導(dǎo)線性電路 2.3.2電流傳輸器 2.4從電壓模電路變換到電流模電路 2.5電流模電路中的非理想效應(yīng) 2.5.1MOSFET之間的失配 2.5.2寄生電容對頻率特性的影響 思考題 3抽樣數(shù)據(jù)電路 3.1開關(guān)電容電路和開關(guān)電流電路的基本分析方法 3.1.1開關(guān)電容電路的時域分析 3.1.2開關(guān)電流電路的時域分析 3.1.3抽樣數(shù)據(jù)電路的頻域分析 3.2開關(guān)電容電路 3.2.1開關(guān)電容單元電路 3.2.2開關(guān)電容電路的特點 3.2.3非理想因素的影響 3.3開關(guān)電流電路 3.3.1開關(guān)電流單元電路 3.3.2開關(guān)電流電路的特點 3.3.3非理想因素的影響 思考題 4A/D轉(zhuǎn)換器與D/A轉(zhuǎn)換器 4.1概述 4.1.1電子系統(tǒng)中的A/D與D/A轉(zhuǎn)換 4.1.2A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的基本原理 4.1.3A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的性能指標(biāo) 4.1.4A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的分類 4.1.5A/D與D/A轉(zhuǎn)換器中常用的數(shù)碼類型 4.2高速A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.1全并行結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.2兩步結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.3插值與折疊結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.4流水線結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.5交織結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.3高精度A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.1逐次逼近型A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.2雙斜率積分型A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.3過采樣ΣΔA/D轉(zhuǎn)換器 4.4D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.1電阻型D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.2電流型D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.3電容型D/A轉(zhuǎn)換器 思考題 5集成濾波器 5.1引言 5.1.1濾波器的數(shù)學(xué)描述 5.1.2濾波器的頻率特性 5.1.3濾波器設(shè)計的逼近方法 5.2連續(xù)時間濾波器 5.2.1連續(xù)時間濾波器的設(shè)計方法 5.2.2跨導(dǎo)電容(GmC)連續(xù)時間濾波器 5.2.3連續(xù)時間濾波器的片上自動調(diào)節(jié)電路 5.3對數(shù)域濾波器 5.3.1對數(shù)域電路概念及其特點 5.3.2對數(shù)域電路基本單元 5.3.3對數(shù)域濾波器 5.4抽樣數(shù)據(jù)濾波器 5.4.1設(shè)計方法 5.4.2SZ域映射 5.4.3開關(guān)電容電路轉(zhuǎn)換為開關(guān)電流電路的方法 思考題 6收發(fā)器與射頻前端電路 6.1通信系統(tǒng)中的射頻收發(fā)器 6.2集成收信器 6.2.1外差式接收與鏡像信號 6.2.2復(fù)數(shù)信號處理 6.2.3收信器前端結(jié)構(gòu) 6.3集成發(fā)信器 6.3.1上變換器 6.3.2發(fā)信器結(jié)構(gòu) 6.4收發(fā)器的技術(shù)指標(biāo) 6.4.1噪聲性能 6.4.2靈敏度 6.4.3失真特性與線性度 6.4.4動態(tài)范圍 6.5射頻電路設(shè)計 6.5.1晶體管模型與參數(shù) 6.5.2噪聲 6.5.3集成無源器件 6.5.4低噪聲放大器 6.5.5混頻器 6.5.6頻率綜合器 6.5.7功率放大器 思考題 7CMOS集成電路制造工藝及版圖設(shè)計 7.1集成電路制造工藝簡介 7.1.1單晶生長與襯底制備 7.1.2光刻 7.1.3氧化 7.1.4擴散及離子注入 7.1.5化學(xué)氣相淀積(CVD) 7.1.6接觸與互連 7.2CMOS工藝流程與集成電路中的元件 7.2.1硅柵CMOS工藝流程 7.2.2CMOS集成電路中的無源元件 7.2.3CMOS集成電路中的寄生效應(yīng) 7.3版圖設(shè)計 7.3.1硅柵CMOS集成電路的版圖構(gòu)成 7.3.2版圖設(shè)計規(guī)則 7.3.3CMOS版圖設(shè)計技術(shù) 思考題
標(biāo)簽: 模擬集成電路
上傳時間: 2013-11-13
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