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人工電磁材料由于其特殊的電磁特性，一直是近幾年的研究熱點(diǎn)。美國(guó)Science雜志更將這種材料評(píng)為2003年世界十大突破之一。隨著科技和生產(chǎn)技術(shù)的提高，電磁材料被應(yīng)用于各式各樣的電磁器件當(dāng)中，推動(dòng)了電磁器件的發(fā)展。本文主要運(yùn)用現(xiàn)有的有限元仿真軟件Comsol，成功設(shè)計(jì)和仿真了多種電磁器件，討論了電磁材料的電磁特性參數(shù)對(duì)其性能的影響，并論證了所設(shè)計(jì)出的電磁器件的有效性和正確性。論文主要內(nèi)容有以下五部分：首先，對(duì)整體的坐標(biāo)變換理論進(jìn)行概括，大致介紹了幾種能夠獲取某些電磁材料的坐標(biāo)變換的方法。隨后介紹了Comsol仿真軟件優(yōu)勢(shì)，及其在電磁器件上的應(yīng)用。接著，根據(jù)不同的坐標(biāo)變換理論，設(shè)計(jì)并仿真出了各類(lèi)電磁器件：包括在一般直角坐標(biāo)系下的波束分束器，在折疊變換下的外斗篷電磁隱身，和在共形變換下的共形透鏡。論述了這些器件的應(yīng)用價(jià)值。最后，根據(jù)倏逝波和金屬表面的等離子共振效應(yīng)，設(shè)計(jì)出了鍍金膜錐形光纖傳感，對(duì)其傳感性能進(jìn)行研究，為設(shè)計(jì)高靈敏度傳感器提供了理論依據(jù)。關(guān)鍵詞：電磁材料：Comsol：坐標(biāo)變換；電磁器件區(qū)J
上傳時(shí)間： 2022-06-19
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PCB電路如微帶電路有較為顯著的介質(zhì)和輻射損耗，而傳統(tǒng)金屬波導(dǎo)雖然損耗低、信號(hào)干擾小，但其結(jié)構(gòu)很難做到小型化和集成。因此這兩種結(jié)構(gòu)不適用于要求低功耗且空間尺寸受限的移動(dòng)終端。采用基片集成波導(dǎo)（SIW）可同時(shí)降低損耗和增加可集成性，其兼?zhèn)淞私饘俨▽?dǎo)和平面電路的優(yōu)良屬性，是未來(lái)5G毫米波終端應(yīng)用場(chǎng)景最佳的選項(xiàng)之一。本文的主要內(nèi)容包括：對(duì)SIw、波柬掃描陣、縫隙天線(xiàn)陣和Butler知陣多波束饋電網(wǎng)絡(luò)等基本原理進(jìn)行了簡(jiǎn)要的回顧。此四方面的知識(shí)是本文所有設(shè)計(jì)的理論支撐。系統(tǒng)梳理了siw.縫隙天線(xiàn)陣的設(shè)計(jì)步驟和Butler矩陣饋電網(wǎng)絡(luò)的分析方法。提出了將4 x4 Butler矩陣多波束饋電網(wǎng)絡(luò)用于木來(lái)5G終端天線(xiàn)的設(shè)計(jì)以實(shí)現(xiàn)多波束寬角度高增益信號(hào)覆蓋、本文選擇采用了多被束方案，并結(jié)合了sG移動(dòng)終端設(shè)計(jì)了適用于5G終端的4x4 Buter矩陣多波束饋電網(wǎng)絡(luò)和縫隙天線(xiàn)陣，加工測(cè)試表明多波束方案基本可滿(mǎn)足未來(lái)5G終端天線(xiàn)的要求。在傳統(tǒng)4x4 Butler的基礎(chǔ)上，提出和設(shè)計(jì)了一款改進(jìn)型的4x4 SIW Butler矩陣。從理論上驗(yàn)證了方案的可行性且推導(dǎo)了各個(gè)器件須滿(mǎn)足的條件。新設(shè)計(jì)的Butler矩陣其核心是將移相器歸入到3dB定向耦合器的設(shè)計(jì)中。仿真和測(cè)試結(jié)果表明，改進(jìn)型的4x4 SIW Butler矩陣不僅擁有更好的輸出幅相平坦度還具有比傳統(tǒng)4x4 SIW Butler矩陣更高的設(shè)計(jì)靈活性。設(shè)計(jì)了一款3x3 SIw Butler矩陣。首先給出了該款矩陣的設(shè)計(jì)思路來(lái)源，然后從原理上驗(yàn)證了此矩陣設(shè)計(jì)的可行性和詳細(xì)地推導(dǎo)出了3x3 Butler短陣的結(jié)構(gòu)和器件參數(shù)。仿真和結(jié)果表明，該型Butler矩陣比4×4 SIW Butler矩陣尺寸更小、結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)單，但具有和4×4 SIW Buter矩陣相當(dāng)?shù)脑鲆嬷岛筒ㄊ采w范圍。
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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近年來(lái)，對(duì)器件的失效分析已經(jīng)成為電力電子領(lǐng)域中一個(gè)研究熱點(diǎn)。本論文基于現(xiàn)代電力電子裝置中應(yīng)用最廣的IGBT器件，利用靜態(tài)測(cè)試儀3716，SEM（Scanning Electrom Microscope，掃描電子顯微鏡）、EDX（Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy、能量色散x射線(xiàn)光譜儀）、FIB（Focused lon beam，聚焦高子束）切割、TEM（Thermal Emmision Microscope，高精度熱成像分析儀）等多種分析手段對(duì)模塊應(yīng)用當(dāng)中失效的1GBT芯片進(jìn)行電特性分析、芯片解剖并完成失效分析，并基于相應(yīng)的失效模式提出了封裝改進(jìn)方案。1，對(duì)于柵極失效的情況，本論文先經(jīng)過(guò)電特性測(cè)試完成預(yù)分析，并利用THEMOS分析出柵極漏電流通路，找到最小點(diǎn)并進(jìn)行失效原因分析，針對(duì)相應(yīng)原因提出改進(jìn)方案。2，針對(duì)開(kāi)通與關(guān)斷瞬態(tài)過(guò)電流失效，采用研磨、劃片等手段進(jìn)行芯片的解剖。并用SEM與EDX對(duì)芯片損傷程度進(jìn)行評(píng)估分析，以文獻(xiàn)為參考進(jìn)行失效原因分析，利用saber仿真進(jìn)行失效原因驗(yàn)證。3，針對(duì)通態(tài)過(guò)電流失效模式，采用解剖分析來(lái)評(píng)估損傷情況，探究失效原因，并采用電感鉗位電路進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。4，針對(duì)過(guò)電壓失效模式，采用芯片解剖方式來(lái)分析失效點(diǎn)以及失效情況，基于文獻(xiàn)歸納并總結(jié)出傳統(tǒng)失效原因，并通過(guò)大量實(shí)驗(yàn)得出基于封裝的失效原因，最后采用saber仿真加以驗(yàn)證。
標(biāo)簽： igbt
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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超聲波塑料焊接機(jī)的工作原理。當(dāng)超聲波作用于熱塑性的塑料接觸面時(shí)，會(huì)產(chǎn)生每秒幾萬(wàn)次的高頻振動(dòng)，這種達(dá)到一定振幅的高頻振動(dòng)， 通過(guò)上焊件把超聲能量傳送到焊區(qū)， 由于焊區(qū)即兩個(gè)焊接的交界面處聲阻大， 因此會(huì)產(chǎn)生局部高溫。又由于塑料導(dǎo)熱性差， 一時(shí)還不能及時(shí)散發(fā)， 聚集在焊區(qū)， 致使兩個(gè)塑料的接觸面迅速熔化， 加上一定壓力后，使其融合成一體。當(dāng)超聲波停止作用后，讓壓力持續(xù)幾秒鐘，使其凝固成型，這樣就形成一個(gè)堅(jiān)固的分子鏈，達(dá)到焊接的目的，焊接強(qiáng)度能接近于原材料強(qiáng)度。超聲波塑料焊接的好壞取決于換能器焊頭的振幅， 所加壓力及焊接時(shí)間等三個(gè)因素，焊接時(shí)間和焊頭壓力是可以調(diào)節(jié)的， 振幅由換能器和變幅桿決定。這三個(gè)量相互用有個(gè)適宜值，能量超過(guò)適宜值時(shí)，塑料的熔解量就大，焊接物易變形；若能量小，則不易焊牢，所加的壓力也不能達(dá)大。這個(gè)最佳壓力是焊接部分的邊長(zhǎng)與邊緣每1mm 的最佳壓力之積。超聲波焊接原理基本原理是利用換能器， 使高頻電子能轉(zhuǎn)換為高頻機(jī)械振動(dòng)， 超聲波焊接是在塑膠組件上，通過(guò)二萬(wàn)周/秒（ 20KHZ ）之高頻振動(dòng)，使塑膠和塑料膠和金屬而產(chǎn)生一秒鐘二萬(wàn)次的高速熟磨擦，令塑膠溶合。按其方式可分為直接與傳導(dǎo)二種熔接法。直接熔接： 即先使材質(zhì)如線(xiàn)或帶相互重疊， 固定于塑膠熔接機(jī)之夾具上， 讓其能量轉(zhuǎn)換器（ HORN）直接在上面產(chǎn)生音波振動(dòng)效能而熔接。超聲波在塑料加工中的應(yīng)用原理：塑料加工中所用的超聲波，現(xiàn)有的幾種工作頻率有15KHZ，18KHZ ，20KHZ，40KHZ。其原理是利用縱波的波峰位傳遞振幅到塑料件的縫隙， 在加壓的情況下，使兩個(gè)塑料件或其它件與塑料件接觸部位的分子相互撞擊產(chǎn)生融化， 使接觸位塑料熔合，達(dá)到加工目的。
標(biāo)簽： 超聲波焊接機(jī)
上傳時(shí)間： 2022-06-22
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本文首先對(duì)黑體輻射理論和雙波段比值測(cè)溫理論進(jìn)行研究，探討在近紅外區(qū)域?qū)Ω邷貭t窯進(jìn)行比值測(cè)溫的可行性；針對(duì)工業(yè)高溫爐窯輻射的峰值位置在中紅外區(qū)域，近紅外區(qū)域的輻射仍然比較低，且普通CCD在近紅外區(qū)域響應(yīng)很低的狀況，綜合考慮后選擇近紅外增強(qiáng)型CCD作為探測(cè)器；根據(jù)所選CCD本文設(shè)計(jì)了一套完整的雙波段測(cè)溫系統(tǒng)的硬件框架，由Sony公司的近紅外增強(qiáng)型黑白CCDICX255AL，10位輸出模數(shù)轉(zhuǎn)換器AD9991、帶有USB接口的可編程增強(qiáng)型8051處理器芯片Cy7c68013和EEPROM存儲(chǔ)器等完成功能，并提出雙波段測(cè)溫?cái)z像機(jī)的分束和濾光系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案；由于光學(xué)分束鏡和濾光片都需要定制鍍膜，本文首先設(shè)計(jì)的硬件系統(tǒng)是單波段系統(tǒng)，本系統(tǒng)的硬件電路有兩塊線(xiàn)路板：以ICX255ALCCD和AD9991為核心的圖像采集板和帶USB接口的8051處理器芯片Cy7c68013為核心的控制板，這兩塊PCB均為2層電路板；還開(kāi)發(fā)了相應(yīng)的固件程序、設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序和應(yīng)用程序，對(duì)所設(shè)計(jì)的各個(gè)功能模塊分別進(jìn)行了測(cè)試和調(diào)試，計(jì)算機(jī)能通過(guò)USB口讀取圖像并在屏幕上顯示，獲得了良好的效果；由于本文設(shè)計(jì)的硬件系統(tǒng)實(shí)際上是單波段的，為了驗(yàn)證雙波段測(cè)溫的效果，本文采用ASD FieldSpec HandHeld型光譜儀測(cè)量模擬黑體輻射源（工業(yè)爐密的爐膛也是個(gè)近似黑體輻射源）的輻射，用測(cè)得的光譜數(shù)據(jù)模擬計(jì)算，獲得了良好的測(cè)溫效果。
標(biāo)簽： ccd usb 測(cè)溫?cái)z像機(jī)
上傳時(shí)間： 2022-06-22
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本文在介紹了氮化嫁材料的基本結(jié)構(gòu)特征及物理化學(xué)特性之后，從氮化擦的外延結(jié)構(gòu)的屬性和氮化擦基高性能芯片設(shè)計(jì)兩個(gè)方面對(duì)氮化家材料和器件結(jié)構(gòu)展開(kāi)了討論。其中材料屬性部分，介紹了透射電子顯微鏡的工作原理及其主要應(yīng)用范圍，然后根據(jù)實(shí)驗(yàn)分析了TEM圖片，包括GaN多量子阱，重點(diǎn)分析了V型缺陷和塊狀缺陷的高分辨圖形，分析了他們對(duì)材料屬性的影響。然后分析了多種氮化擦樣品的光致發(fā)光譜和電致發(fā)光譜，并解釋其光譜藍(lán)移和紅移現(xiàn)象。在屬性部分最后介紹了基于密度泛函理論和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料屬性上的應(yīng)用。在芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)部分，本文提出了三種高效率LED芯片的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，分別是基于雙光子晶體的LED芯片，基于微球模型的LED芯片，基于激光剝離襯底的大功率LED芯片。涉及到光子晶體理論，蒙特卡羅理論及激光剝離理論，本文分別介紹和分析了各類(lèi)理論基礎(chǔ)，并在此基礎(chǔ)上提出新的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，給出仿真分析結(jié)果。雙光子晶體可以提供較完善的反射層，出射層。微球LED可以利用大尺寸表面結(jié)構(gòu)來(lái)大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剝離襯底的大功率LED可以實(shí)現(xiàn)較好散熱效果和功率。
標(biāo)簽： led
上傳時(shí)間： 2022-06-25
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該點(diǎn)陣的屏顯成本相對(duì)較低，適用于各類(lèi)儀器，小型設(shè)備的顯示領(lǐng)域。液晶模組使用注意事項(xiàng)1 當(dāng)您在你的產(chǎn)品設(shè)計(jì)中使用本液晶模組，注意液晶的視角與你的產(chǎn)品用途相一致。2 液晶屏是玻璃為基礎(chǔ)的，跌落或與硬物撞擊會(huì)引起液晶屏破裂或粉碎。尤其是邊角處。3 盡管在液晶表面的偏振片有抑制反光的表層，應(yīng)當(dāng)小心不要?jiǎng)潅砻妫话阃扑]在液晶表面采用透明塑膠材料的保護(hù)屏。4 如果液晶模組儲(chǔ)藏在低于規(guī)定的溫度以下，液晶材料會(huì)凝結(jié)而性能惡化。如果液晶模組儲(chǔ)藏在高于規(guī)定的溫度以上，液晶材料的分子排列方向會(huì)轉(zhuǎn)變?yōu)橐簯B(tài)，可能無(wú)法恢復(fù)到原來(lái)的狀態(tài)。超出溫度和濕度范圍，會(huì)引起偏振片剝落或起泡。因此，液晶模組應(yīng)儲(chǔ)藏在規(guī)定的溫度范圍。5 如液晶表面遇口水或滴水，應(yīng)立即擦除，避免長(zhǎng)時(shí)間過(guò)后引起色彩變化或留下污點(diǎn)。水蒸氣會(huì)引起ITO電極腐蝕。6 如果需要清潔液晶屏表面，應(yīng)該用棉或軟布輕快地擦拭，仍不能清除時(shí)，呵氣之后再擦拭。7 液晶模組的驅(qū)動(dòng)應(yīng)遵照規(guī)定的額定指標(biāo)，避免故障及永久損壞。對(duì)液晶材料施加直流電壓，會(huì)引起液晶材料迅速惡化，應(yīng)該確保提供交流波形的M信號(hào)的連續(xù)應(yīng)用。特別是，在電源開(kāi)關(guān)時(shí)應(yīng)遵照供電順序，避免驅(qū)動(dòng)鎖存及直流直接加至液晶屏。
標(biāo)簽： 液晶模組
上傳時(shí)間： 2022-07-18
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1.2 源代碼表示不考慮主題，列舉 15 000行源代碼本身就是一件難事。下面是所有源代碼都使用的文本格式：1.2.1 將擁塞窗口設(shè)置為13 8 7 - 3 8 8 這是文件t c p _ s u b r . c中的函數(shù)t c p _ q u e n c h。這些源文件名引用4 . 4 B S D - L i t e發(fā)布的文件。4 . 4 B S D在1 . 1 3節(jié)中討論。每個(gè)非空白行都有編號(hào)。正文所描述的代碼的起始和結(jié)束位置的行號(hào)記于行開(kāi)始處，如本段所示。有時(shí)在段前有一個(gè)簡(jiǎn)短的描述性題頭，對(duì)所描述的代碼提供一個(gè)概述。這些源代碼同4 . 4 B S D - L i t e發(fā)行版一樣，偶爾也包含一些錯(cuò)誤，在遇到時(shí)我們會(huì)提出來(lái)并加以討論，偶爾還包括一些原作者的編者評(píng)論。這些代碼已通過(guò)了 G N U縮進(jìn)程序的運(yùn)行，使它們從版面上看起來(lái)具有一致性。制表符的位置被設(shè)置成 4個(gè)欄的界線(xiàn)使得這些行在一個(gè)頁(yè)面中顯示得很合適。在定義常量時(shí)，有些 # i f d e f語(yǔ)句和它們的對(duì)應(yīng)語(yǔ)句 # e n d i f被刪去(如：G A T E W A Y和M R O U T I N G，因?yàn)槲覀兗僭O(shè)系統(tǒng)被作為一個(gè)路由器或多播路由器 )。所有r e g i s t e r說(shuō)明符被刪去。有些地方加了一些注釋?zhuān)⑶乙恍┳⑨屩械挠∷㈠e(cuò)誤被修改了，但代碼的其他部分被保留下來(lái)。這些函數(shù)大小不一，從幾行 (如前面的t c p _ q u e n c h)到最大11 0 0行(t c p _ i n p u t)。超過(guò)大約4 0行的函數(shù)一般被分成段，一段一段地顯示。雖然盡量使代碼和相應(yīng)的描述文字放在同一頁(yè)或?qū)﹂_(kāi)的兩頁(yè)上，但為了節(jié)約版面，不可能完全做到。本書(shū)中有很多對(duì)其他函數(shù)的交叉引用。為了避免給每個(gè)引用都添加一個(gè)圖號(hào)和頁(yè)碼，書(shū)封底內(nèi)頁(yè)中有一個(gè)本書(shū)中描述的所有函數(shù)和宏的字母交叉引用表和描述的起始頁(yè)碼。因?yàn)楸緯?shū)的源代碼來(lái)自公開(kāi)的 4 . 4 B S D _ L i t e版，因此很容易獲得它的一個(gè)拷貝：附錄 B詳細(xì)說(shuō)明了各種方法。當(dāng)你閱讀文章時(shí)，有時(shí)它會(huì)幫助你搜索一個(gè)在線(xiàn)拷貝 [例如U n i x程序grep ( 1 )]。描述一個(gè)源代碼模塊的各章通常以所討論的源文件的列表開(kāi)始，接著是全局變量、代碼維護(hù)的相關(guān)統(tǒng)計(jì)以及一個(gè)實(shí)際系統(tǒng)的一些例子統(tǒng)計(jì)，最后是與所描述協(xié)議相關(guān)的 S N M P變量。全局變量的定義通常跨越各種源文件和頭文件，因此我們將它們集中到的一個(gè)表中以便于參考。這樣顯示所有的統(tǒng)計(jì)，簡(jiǎn)化了后面當(dāng)統(tǒng)計(jì)更新時(shí)對(duì)代碼的討論。卷 1的第2 5章提供了S N M P的所有細(xì)節(jié)。我們?cè)诒疚闹嘘P(guān)心的是由內(nèi)核中的 T C P / I P例程維護(hù)的、支持在系統(tǒng)上運(yùn)行的S N M P代理的信息。TCP IP詳解 卷1協(xié)議 ：http://dl.21ic.com/download/tcpip-288223.html TCP IP詳解 卷2實(shí)現(xiàn) ：http://dl.21ic.com/download/tcpip-288224.html TCPIP詳解卷三：TCP事務(wù)協(xié)議,HTTP,NNTP和UNIX域協(xié)議 ：http://dl.21ic.com/download/tcpip-288225.html
標(biāo)簽： tcp-ip 實(shí)現(xiàn)
上傳時(shí)間： 2022-07-27
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