什么是超級電容器? ◆ 超級電容器（supercapacitor,ultracapacitor），又叫雙電層電容器(Electrical Doule-Layer Capacitor)、黃金電容、法拉電容，通過極化電解質來儲能。它是一種電化學元件，但在其儲能的過程并不發生化學反應，這種儲能過程是可逆的，也正因為此超級電容器可以反復充放電數十萬次。 ◆ 超級電容器可以被視為懸浮在電解質中的兩個無反應活性的多孔電極板，在極板上加電，正極板吸引電解質中的負離子，負極板吸引正離子，實際上形成兩個容性存儲層，被分離開的正離子在負極板附近，負離子在正極板附近。
標簽： 電解電容器
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：qzhcao
AD10中關于插件的安裝方法【修改版】
上傳時間： 2013-10-14
上傳用戶：bvdragon
Hyperlynx仿真應用:阻抗匹配.下面以一個電路設計為例，簡單介紹一下PCB仿真軟件在設計中的使用。下面是一個DSP硬件電路部分元件位置關系(原理圖和PCB使用PROTEL99SE設計)，其中DRAM作為DSP的擴展Memory(64位寬度，低8bit還經過3245接到FLASH和其它芯片)，DRAM時鐘頻率133M。因為頻率較高，設計過程中我們需要考慮DRAM的數據、地址和控制線是否需加串阻。下面，我們以數據線D0仿真為例看是否需要加串阻。模型建立首先需要在元件公司網站下載各器件IBIS模型。然后打開Hyperlynx,新建LineSim File(線路仿真—主要用于PCB前仿真驗證)新建好的線路仿真文件里可以看到一些虛線勾出的傳輸線、芯片腳、始端串阻和上下拉終端匹配電阻等。下面，我們開始導入主芯片DSP的數據線D0腳模型。左鍵點芯片管腳處的標志，出現未知管腳，然后再按下圖的紅線所示線路選取芯片IBIS模型中的對應管腳。 3http://bbs.elecfans.com/ 電子技術論壇 http://www.elecfans.com 電子發燒友點OK后退到“ASSIGN Models”界面。選管腳為“Output”類型。這樣，一樣管腳的配置就完成了。同樣將DRAM的數據線對應管腳和3245的對應管腳IBIS模型加上(DSP輸出，3245高阻，DRAM輸入)。下面我們開始建立傳輸線模型。左鍵點DSP芯片腳相連的傳輸線，增添傳輸線，然后右鍵編輯屬性。因為我們使用四層板，在表層走線，所以要選用“Microstrip”，然后點“Value”進行屬性編輯。這里，我們要編輯一些PCB的屬性，布線長度、寬度和層間距等，屬性編輯界面如下：再將其它傳輸線也添加上。這就是沒有加阻抗匹配的仿真模型(PCB最遠直線間距1.4inch，對線長為1.7inch)。現在模型就建立好了。仿真及分析下面我們就要為各點加示波器探頭了，按照下圖紅線所示路徑為各測試點增加探頭：為發現更多的信息，我們使用眼圖觀察。因為時鐘是133M，數據單沿采樣，數據翻轉最高頻率為66.7M，對應位寬為7.58ns。所以設置參數如下：之后按照芯片手冊制作眼圖模板。因為我們最關心的是接收端(DRAM)信號，所以模板也按照DRAM芯片HY57V283220手冊的輸入需求設計。芯片手冊中要求輸入高電平VIH高于2.0V，輸入低電平VIL低于0.8V。DRAM芯片的一個NOTE里指出，芯片可以承受最高5.6V，最低-2.0V信號(不長于3ns)：按下邊紅線路徑配置眼圖模板：低8位數據線沒有串阻可以滿足設計要求，而其他的56位都是一對一，經過仿真沒有串阻也能通過。于是數據線不加串阻可以滿足設計要求，但有一點需注意，就是寫數據時因為存在回沖，DRAM接收高電平在位中間會回沖到2V。因此會導致電平判決裕量較小，抗干擾能力差一些，如果調試過程中發現寫RAM會出錯，還需要改版加串阻。
上傳時間： 2013-11-05
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ATX標準，ATX電源是根據ATX標準進行設計和生產的。
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：nairui21
連接器通常被分為兩大類，即信號類和電源類。兩類之間的主要區別在于工作電流和電壓。 一般來說，信號連接器觸點傳輸的電流少于1安培，且在低到中 等電壓下工作。電源類觸點傳輸較高的電流（> 1安培） ，且在中高電壓下工 作。電源連接器可制成不同的級別，從IC插座到電纜連接系統。用于測評連接 器在其使用壽命中的穩定性的關鍵度量是連接器的接觸電阻。接觸電阻是體電阻(Rbulk)、膜電阻(Rf)和緊縮電阻的組合，并存在于電路中使用可分離界面時。
上傳時間： 2013-11-02
上傳用戶：梧桐
51單片機定時器的使用和詳細講解特別是定時器
上傳時間： 2013-11-06
上傳用戶：banyou
51單片機的10大作品，都不是蓋的，，，，收受益匪淺
標簽： 51單片機
上傳時間： 2013-10-13
上傳用戶：xfbs821
1.UART增加2個新的特性，即幀錯誤檢測和多機通信中的從機地址自動識別。(1)幀錯誤檢測可用于UART檢查工作方式1、2和3時的停止位。例如，由于UART通信線路上的噪聲或者2個MCU同時發送可能引起停止位的丟失。(2)多機通信中的從機地址自動識別功能即是說只允許該地址從機被硬件中斷，而不是由軟件進行地址比較的，那么自動地址識別可以減少為UART服務所需要的MCU時間。與此同時使用廣播地址可以一次尋址所有的從處理器。2.4個中斷優先級：IPH和IP結合使用決定了每個中斷的優先級，00、01、10、11的排列依次由低到高組成4級中斷優先權。3.雙DPTR指針：可用于尋址外部數據存儲器。通過對AUCR1的DPS位編程，以實現對2個16位DPTR寄存器的切換。4.將AUXR.0置位，禁止ALE的信號輸出，從而達到降低單片機本身的EMI電磁干擾。
上傳時間： 2013-10-23
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ATMEL公司的AVR單片機，是增強型RISC內載Flash的單片機，芯片上的Flash存儲器附在用戶的產品中，可隨時編程，再編程，使用戶的產品設計容易，更新換代方便。AVR單片機采用增強的RISC結構，使其具有高速處理能力，在一個時鐘周期內可執行復雜的指令，每MHz可實現1MIPS的處理能力。AVR單片機工作電壓為2.7－6.0V，可以實現耗電最優化。AVR的單片機廣泛應用于計算機外部設備，工業實時控制，儀器儀表，通訊設備，家用電器,宇航設備等各個領域。
上傳時間： 2013-10-20
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常用三星單片機燒寫電壓設置參考表 燒寫電壓說明:Vdd 電壓指燒寫時加載到芯片Vdd 端子的邏輯電壓,Vpp 電壓指燒寫時加載到芯片Vpp(Test)端子的編程電壓, Vpp=12V 是編程器的默認燒寫電壓,無須特別設置. 由于編程器的默認輸出Vpp 電壓均為12V,因此在燒寫Vpp=3.3V/5.0V 的芯片時,需要對燒寫轉換適配器作以下改動:將燒寫器燒寫座引出的Vpp 端子完全空置不用, 并在適配器上將Vdd端子直接連接Vpp 端即可.當用戶采用在PCB板上燒寫方式時,建議最好能在PCB芯片端的Vpp腳并接一個104 的電容入地,可有效保護在燒寫電壓加載時板子電路共同作用產生的瞬間過壓脈沖不會輸入到Vpp 腳而造成Vpp 擊穿.S3F84K4 燒寫特別說明,由于三星半導體DATA SHEET 要求在對該芯片進行燒寫時,須在Vpp 腳加接一個101 的電容到地,因此在使用我站各款燒寫器燒寫84K4 時,須將燒寫器主板上的Vpp 端原來并接的10uf/50V-電解電容和104 電容去掉,另行并接一個101 電容入地即可.不過,據本人特別測試結果,其實不做以上處理對燒寫過程沒有任何影響, 估計可能是三星半導體對芯片有做過改版,老版本的84K4 才會有以上特別要求,新版本是沒有這個要求的.
上傳時間： 2013-10-10
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