新編功率晶體管實(shí)用手冊(cè) NPN管
標(biāo)簽： NPN 功率晶體管 實(shí)用手冊(cè)
上傳時(shí)間： 2013-05-29
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國(guó)內(nèi)外功率晶體管實(shí)用手冊(cè) 下冊(cè)
標(biāo)簽： 功率晶體管 實(shí)用手冊(cè)
上傳時(shí)間： 2013-04-15
功率晶體管和開(kāi)關(guān)二極管的應(yīng)用技巧
標(biāo)簽： 功率晶體管 開(kāi)關(guān)二極管 應(yīng)用技巧
上傳時(shí)間： 2013-06-11
專輯類-實(shí)用電子技術(shù)專輯-385冊(cè)-3.609G 功率晶體管和開(kāi)關(guān)二極管的應(yīng)用技巧-340頁(yè)-5.0M.pdf
標(biāo)簽： 340 5.0 功率晶體管
上傳時(shí)間： 2013-06-29
上傳用戶：793212294
專輯類-器件數(shù)據(jù)手冊(cè)專輯-120冊(cè)-2.15G 國(guó)內(nèi)外功率晶體管實(shí)用手冊(cè)-下冊(cè)-1439頁(yè)-20.5M.pdf
標(biāo)簽： 1439 20.5 功率晶體管
上傳時(shí)間： 2013-04-24
上傳用戶：mpquest
專輯類-器件數(shù)據(jù)手冊(cè)專輯-120冊(cè)-2.15G 新編功率晶體管實(shí)用手冊(cè)-NPN管-1404頁(yè)-35.4M.pdf
標(biāo)簽： 1404 35.4 NPN
上傳用戶：gzming
實(shí)用電子技術(shù)專輯 385冊(cè) 3.609G功率晶體管和開(kāi)關(guān)二極管的應(yīng)用技巧 340頁(yè) 5.0M.pdf
標(biāo)簽：
上傳時(shí)間： 2014-05-05
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器件數(shù)據(jù)手冊(cè)專輯 120冊(cè) 2.15G新編功率晶體管實(shí)用手冊(cè) NPN管 1404頁(yè) 35.4M.pdf
器件數(shù)據(jù)手冊(cè)專輯 120冊(cè) 2.15G國(guó)內(nèi)外功率晶體管實(shí)用手冊(cè) 下冊(cè) 1439頁(yè) 20.5M.pdf
過(guò)去，RF功率的性能完全取決于線性效率。如今，開(kāi)發(fā)者遇到更加復(fù)雜的挑戰(zhàn)：需要滿足多種標(biāo)準(zhǔn)、信號(hào)變化和嚴(yán)格的帶寬要求等。針對(duì)這一問(wèn)題，飛思卡爾半導(dǎo)體(NYSE：FSL)日前推出新型硅片RF LDMOS功率晶體管Airfast RF功率解決方案，將性能和能效提升至新的高度。飛思卡爾通過(guò)新的產(chǎn)品系列解決了這種模式轉(zhuǎn)變帶來(lái)的問(wèn)題，該產(chǎn)品系列基于一種更加全面、完整的系統(tǒng)級(jí)RF功率技術(shù)方法。
標(biāo)簽： Airfast 飛思卡爾 功率 方案
上傳時(shí)間： 2013-11-25
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