電子元器件 任何一個電子電路，都是由電子元器件組合而成。了解常用元器件的性能、型號規(guī)格、組成分類及識別方法，用簡單測試的方法判斷元器件的好壞，是選擇、使用電子元器件的基礎(chǔ)，是組裝、調(diào)試電子電路必須具備的技術(shù)技能。下面我們首先分別介紹電阻器、電容器、電感器、繼電器、晶體管、光電器件、集成電路等元器件的基本知識1 .電阻器電阻器在電路中起限流、分流、降壓、分壓、負(fù)載、匹配等作用。1.1電阻器的分類電阻器按其結(jié)構(gòu)可分為三類，即固定電阻器、可變電阻器(電位器)和敏感電阻器。按組成材料的不同，又可分為炭膜電阻器、金屬膜電阻器、線繞電阻器、熱敏電阻器、壓敏電阻器等。常用電阻器的外形圖如圖1.1 1.2 電阻器的參數(shù)及標(biāo)注方法電阻器的參數(shù)很多，通常考慮的有標(biāo)稱阻值、額定功率和允許偏差等。（１）、標(biāo)稱阻值和允許誤差 電阻器的標(biāo)稱阻值是指電阻器上標(biāo)出的名義阻值。而實際阻值與標(biāo)稱阻值之間允許的最大偏差范圍叫做阻值允許偏差，一般用標(biāo)稱阻值與實際阻值之差除以標(biāo)稱阻值所得的百分?jǐn)?shù)表示，又稱阻值誤差。普通電阻器阻值誤差分三個等級：允許誤差小于±5﹪的稱Ⅰ級，允許誤差小于±１０﹪的稱Ⅱ級，允許誤差小于±２０﹪的稱Ⅲ級。表示電阻器的阻值和誤差的方法有兩種：一是直標(biāo)法，二是色標(biāo)法。直標(biāo)法是將電阻的阻值直接用數(shù)字標(biāo)注在電阻上；色標(biāo)法是用不同顏色的色環(huán)來表示電阻器的阻值和誤差，其規(guī)定如表1.1（a）和（b）。 用色標(biāo)法表示電阻時，根據(jù)阻值的精密情況又分為兩種：一是普通型電阻，電阻體上有四條色環(huán)，前兩條表示數(shù)字，第三條表示倍乘，第四條表示誤差。二是精密型電阻，電阻體上有五條色環(huán)，前三條表示數(shù)字，第四條表示倍乘，第五條表示誤差。通用電阻器的標(biāo)稱阻值系列如表1.2所示，任何電阻器的標(biāo)稱阻值都應(yīng)為表1.2所列數(shù)值乘以10nΩ，其中n為整數(shù)。（2）、電阻器的額定功率 電阻器的額定功率指電阻器在直流或交流電路中，長期連續(xù)工作所允許消耗的最大功率。常用的額定功率有1/8W、1/4W、1/2W、1W、2W、5W、10W、25W等。電阻器的額定功率有兩種表示方法，一是2W以上的電阻，直接用阿拉伯?dāng)?shù)字標(biāo)注在電阻體上，二是2W以下的炭膜或金屬膜電阻，可以根據(jù)其幾何尺寸判斷其額定功率的大小如表1.3。3 電阻器的簡單測試 電阻器的好壞可以用儀表測試，電阻器阻值的大小也可以用有關(guān)儀器、儀表測出,測試電阻值通常有兩種方法，一是直接測試法，另一種是間接測試法。（1）．直接測試法就是直接用歐姆表、電橋等儀器儀表測出電阻器阻值的方法。通常測試小于1Ω的小電阻時可用單臂電橋，測試1Ω到1MΩ電阻時可用電橋或歐姆表（或萬用表），而測試1MΩ以上大電阻時應(yīng)使用兆歐表。
上傳時間： 2013-10-26
上傳用戶：windwolf2000
嵌入式無線應(yīng)用的可靠性和功率效率優(yōu)化設(shè)計
標(biāo)簽： 嵌入式 可靠性 功率效率 優(yōu)化設(shè)計
上傳時間： 2013-11-18
上傳用戶：603100257
本會議將討論數(shù)字功率轉(zhuǎn)換的概念、飛思卡爾DSC路線圖及目標(biāo)市場應(yīng)用，主要是MC56F84xxx具有突破性的外設(shè)與特性，以及其在數(shù)控應(yīng)用中的功能優(yōu)勢。最后，會議將通過某些用戶案例來幫助與會者更好地了解MC56F84xxx特性與應(yīng)用。
上傳時間： 2013-10-11
上傳用戶：fqscfqj
本會議將簡要介紹現(xiàn)在和未來QorIQ硬件平臺的功率管理技術(shù)。會議將介紹現(xiàn)在和未來Linux® SDK中軟件基礎(chǔ)設(shè)施的實施與使用情況。并且通過真實世界用例演示這些技術(shù)與基礎(chǔ)設(shè)施在不同應(yīng)用，如打印、成像、路由和數(shù)據(jù)中心等中如何有效降低功耗.
上傳時間： 2013-10-29
上傳用戶：guanliya
低頻功率放大器課程設(shè)計下載
上傳時間： 2013-10-22
上傳用戶：yinglimeng
MC68HC11K4在UPS上的應(yīng)用_如何計算電壓_電流和功率的值
上傳時間： 2014-02-23
上傳用戶：小楓殘月
Vishay新型功率MOSFET采用反向?qū)б齌O-252DPAK封裝
標(biāo)簽： Vishay MOSFET 252 DP
上傳時間： 2013-11-09
上傳用戶：immanuel2006
過去，RF功率的性能完全取決于線性效率。如今，開發(fā)者遇到更加復(fù)雜的挑戰(zhàn)：需要滿足多種標(biāo)準(zhǔn)、信號變化和嚴(yán)格的帶寬要求等。針對這一問題，飛思卡爾半導(dǎo)體(NYSE：FSL)日前推出新型硅片RF LDMOS功率晶體管Airfast RF功率解決方案，將性能和能效提升至新的高度。飛思卡爾通過新的產(chǎn)品系列解決了這種模式轉(zhuǎn)變帶來的問題，該產(chǎn)品系列基于一種更加全面、完整的系統(tǒng)級RF功率技術(shù)方法。
上傳時間： 2013-11-25
上傳用戶：drink！
主要介紹了高效率E類射頻功率振蕩器的原理和設(shè)計方法，通過電路等效變換，E類射頻功率振蕩器最終轉(zhuǎn)換成與E類放大器相同的結(jié)構(gòu)，MOS管工作在軟開關(guān)狀態(tài)，漏極高電壓、大電流不會同時交疊，大大降低了功率損耗，在同等工作條件下，能夠獲得與E類放大器相似的高效率。文中以ARF461型LDMOS做為功率器件，結(jié)合E類射頻振蕩器在等離子體源中的應(yīng)用，給出了的設(shè)計實例。ADS仿真結(jié)果表明，在13.56MHz的工作頻率下，振蕩器輸出功率46W，效率為92%，符合設(shè)計預(yù)期。
上傳時間： 2014-02-10
上傳用戶：yczrl
論文首先對PA常用的分析方法，包括線性度和效率，進(jìn)行了敘述和歸納。功率放大器在設(shè)計時區(qū)別于小信號放大器的關(guān)鍵是功率匹配，在此基礎(chǔ)上，分析了滿足PA最大輸出能力時的最優(yōu)匹配阻抗和晶體管電參數(shù)的關(guān)系。然后闡述了晶體管由非最優(yōu)負(fù)載阻抗引出的牽引特性等高線，這也是功放在設(shè)計匹配方法時的重要工具。最后分析了功放的非線性失真分析時采用的數(shù)學(xué)模型。
上傳時間： 2013-10-18
上傳用戶：我干你啊
蟲蟲下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號-1
