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抑制△I 噪聲一般需要從多方面著手, 但通過PCB 設計抑制△I 噪聲是有效的措施之一。如何通過PCB 設計抑制△I 噪聲是一個亟待深入研究的問題。在對△I 噪聲的產生、特點、主要危害等研究的基礎上, 討論了輻射干擾機理, 重點結合PCB 和EMC 研究的新進展, 研究了抑制△I 噪聲的PCB 設計方法。對通過PCB 設計抑制△I 噪聲的研究與應用具有指導作用。
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：時代電子小智
當你認為你已經掌握了PCB 走線的特征阻抗Z0，緊接著一份數據手冊告訴你去設計一個特定的差分阻抗。令事情變得更困難的是，它說：“……因為兩根走線之間的耦合可以降低有效阻抗，使用50Ω的設計規則來得到一個大約80Ω的差分阻抗！”這的確讓人感到困惑！這篇文章向你展示什么是差分阻抗。除此之外，還討論了為什么是這樣，并且向你展示如何正確地計算它。 單線：圖1(a)演示了一個典型的單根走線。其特征阻抗是Z0，其上流經的電流為i。沿線任意一點的電壓為V=Z0*i（ 根據歐姆定律）。一般情況，線對：圖1(b)演示了一對走線。線1 具有特征阻抗Z11，與上文中Z0 一致，電流i1。線2具有類似的定義。當我們將線2 向線1 靠近時，線2 上的電流開始以比例常數k 耦合到線1 上。類似地，線1 的電流i1 開始以同樣的比例常數耦合到線2 上。每根走線上任意一點的電壓，還是根據歐姆定律，
標簽： 差分阻抗
上傳時間： 2013-10-20
上傳用戶：lwwhust
磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數和磁滯常數ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調控方向。 關鍵詞：比損耗系數， 磁滯常數ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產廠家和軟磁鐵氧體生產廠家，在電感器和變壓器產品的總諧波失真指標控制上，進行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術上采取了不少有效措施，促進了質量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標準YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產生的非線性失真。這種相對比較的實用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設備的遙測振蕩器和線路放大器系統，其非線性失真有很嚴格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時，所配用線圈應用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調節振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發現諧波失真的測量是一項很精細的工作，其中測量系統的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩定性要求， 必須生產低損耗高穩定磁心。上世紀 70 年代初，1409 所和四機部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結，出窯后經真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結、冷卻氣氛。技術上采用共沉淀法攻關試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩定材料，在此基礎上，還實現了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業的技術差異。當時正處于通信技術由FDM（頻率劃分調制）向PCM（脈沖編碼調制） 轉換時期， 日本人明石雅夫發表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優鐵氧體材料<3>，其磁滯系數降為優鐵
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：7891
I2C總線器件在高抗干擾系統中的應用: 摘要：本文先對I2C總線協議進行了簡要敘述，然后介紹了一些常用的抗干擾措施，最后提供了一個利用I2C總線器件24WC01組成的高抗干擾應用方案。 一、I2C總線概述 I2C總線是一雙線串行總線，它提供一小型網絡系統為總線上的電路共享公共的總線。總線上的器件有單片機LCD驅動器以及E2PROM器等。型號有：PCF8566T、SAA1064T、24WC01等。 兩根雙向線中，一根是串行數據線（SDA），另一根是串行時鐘線（SCL）。總線和器件間的數據傳送均由這根線完成。每一個器件都有一個唯一的地址，以區別總線上的其它器件。當執行數據傳送時，誰是主器件，誰是從器件詳見表1。主器件是啟動數據發送并產生時鐘信號的器件。被尋址的任何器件都可看作從器件。I2C總線是多主機總線，意思是可以兩個或更多的能夠控制總線的器件與總線連接。
上傳時間： 2013-11-05
上傳用戶：1159797854
利用四分之三波長折疊微帶線與四分之一波長微帶線級聯，并在輸入端口引入四分之一波長短路線，設計出一種新型的超寬帶功率分配器。采用奇偶模的方法進行理論分析，導出設計參數方程，并通過HFSS進行仿真優化。仿真和測量結果表明， 輸入回波損耗從3 GHz~10.9 GHz均大于10 dB。插入損耗從2.6 GHz~9.5 GHz均小于1 dB，從9.5 GHz~10.8 GHz均小于1.3 dB。輸出端口的回波損耗和隔離度從3 GHz~12.7 GHz均大于10 dB。高頻的帶外抑制在14.2 GHz時達到20 dB。
上傳時間： 2013-11-08
上傳用戶：1966649934
低功率LED設計的挑戰在于實現由監管標準設定的電源調節、 由監管標準指導的能量變換以及通常由市場接受度設定的有效負載控制（其中包括調光保真度）這三者的平衡。 FL7730和FL7732能較好地取得這種平衡，用一個電路即可執行全部三項功能。
上傳時間： 2013-11-13
上傳用戶：cherrytree6
介紹了由兩個DC/DC開關電源模塊并聯構成的供電系統電路結構和工作原理。該系統采用ARM芯片STM32為主控芯片產生驅動功率開關器件MOSFET的PWM脈沖[1]，對供電系統的輸出電壓和各個模塊的輸出電流均實現了全數字閉環PI控制。系統輸出電壓穩定，能實現兩個模塊電流的比例分配，同時具有輸出負載短路及延時恢復功能。仿真和實驗結果驗證了控制技術的正確性和可行性。
上傳時間： 2013-11-20
上傳用戶：小碼農lz
為研究功率型鋰離子電池性能，對某35 Ah功率型鋰離子電池單體進行了充放電特性試驗和分析，由此獲得功率型電池在不同溫度和不同倍率下的充放電特性、內阻特性和溫升特性。研究結果表明，低溫下電池的充放電內阻較大，充放電性能衰減顯著；常溫下電池的內阻較小，充放電溫升較小，大電流充放電的容量穩定性好，質量比能量高，作為電傳動車輛主要或輔助動力源具有良好的應用前景。
上傳時間： 2013-11-13
上傳用戶：清風冷雨
結合功率MOSFET管不同的失效形態，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下損壞的模式，并說明了產生這樣的損壞形態的原因，也分析了功率MOSFET管在關斷及開通過程中發生失效形態的差別，從而為失效在關斷或在開通過程中發生損壞提供了判斷依據。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態老化測試中慢速開通、在電池保護電路應用中慢速關斷及較長時間工作在線性區時損壞的形態。最后，結合實際應用，論述了功率MOSFET通常會產生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。
上傳時間： 2013-11-14
上傳用戶：dongqiangqiang
功率MOSFET的驅動電路和保護技術
上傳時間： 2013-10-22
上傳用戶：wutong
