LT3095MPUDD雙通道低噪聲偏置發生器的典型應用電路凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出雙通道 IC LT3095，該器件從單一輸入提供兩路非常低噪聲、低紋波的偏置電源。每個通道都納入了單片升壓型 DC/DC 轉換器，一個集成的超低噪聲和高 PSRR (電源抑制比) 線性穩壓器對該轉換器進行了后置穩壓。LT3095 在輸出電壓高達 20V 時提供高達 50mA 的連續輸出電流，總紋波和噪聲 <100μVP-P。該器件在 3V 至 20V 輸入電壓范圍內工作，從而可與多種電源兼容。 LT3095 的固定頻率、峰值電流模式升壓型 DC/DC 轉換器包括一個集成的 950mA 電源開關、肖特基二極管和內部頻率補償。開關頻率在 450kHz 至 2MHz 內可通過單個電阻器編程，或可同步至一個外部時鐘，因此允許使用纖巧的外部組件。結合緊湊的 3mm x 5mm QFN 封裝，LT3095 可提供簡單、占板面積緊湊、高效率的解決方案，適用于儀表放大器、RF 和數據轉換系統、以及其他低噪聲偏置應用。 LT3095 的線性穩壓器運用凌力爾特專有的電流源基準架構，從而提供了很多優勢，例如能夠用單個電阻器設定輸出電壓，帶寬、噪聲、PSRR 和負載調節性能基本上不受輸出電壓影響。集成輸出噪聲 (在 10Hz 至 100kHz 帶寬) 僅為 4μVRMS，而且在整個開關頻率范圍內 PSRR 超過70dB，從而使總的噪聲和紋波 <100μVP-P。線性穩壓器調節升壓型轉換器的輸出電壓，使其比線性穩壓器輸出電壓高 2V，從而優化了功耗、瞬態響應和 PSRR 性能。為了提高系統可靠性，LT3095 提供短路和熱保護，還為每個通道提供獨立和精確的使能 / UVLO 門限。微功率工作時，兩個 EN 引腳均被拉低。
標簽： 噪聲偏置發生器
上傳時間： 2022-02-15
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常用電源類通訊類ST單片機芯片集成庫原理圖庫PCB庫AD封裝庫器件庫2D3D庫+器件手冊合集，已在項目中使用，可以作為你的設計參考。SV text has been written to file : 74系列芯片.csv74HC04 6通道單輸入輸出反相器74HC138 3線到8線路解碼器SN74HCT138 3線到8線路解碼器74HC175 四D型觸發器的復位觸發器74HC573 八路三態同相透明鎖存器SN74HCT573 八路三態同相透明鎖存器74HC595 8位串行輸入/8位串行或并行輸出 存儲狀態寄存器74LS00 四2輸入與非門74LS01 四2輸入與非門74LS04 十六進制逆變器74LS08 四2輸入與門74LS10 三3輸入與非門74LS148 8線到3線優先編碼器74LS192 雙時鐘方式的十進制可逆計數器74LS20 雙4輸入與非門74LS32 四2輸入或門74LS74 雙路D類上升沿觸發器74LS74X2 雙路D類上升沿觸發器CSV text has been written to file : STM32系列.csvLibrary Component Count : 5Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RET6STM32F103VBT6 STM32F103ZET-AMS1117 三端穩壓芯片AOZ1036 LM2576-12 DC降壓芯片LM2576-3.3 DC降壓芯片LM2576-5.0 DC降壓芯片LM2576-ADJ DC降壓芯片LM2577-ADJ DC升壓芯片LM2596-12 DC降壓芯片LM2596-3.3 DC降壓芯片LM2596-5.0 DC降壓芯片LM2596-ADJLM317 可調線性穩壓芯片LM7805 MC34063 REF196 3V3基準電壓源REF5040 高精度電壓基準SX1308 可調升壓芯片TL431_DIP 可調基準穩壓芯片TL431_SMD 可調基準穩壓芯片TL494 電源管理ICTP4056TPS5430 TPS54331CC2530CH340G DM9000A DM9000CEP DP83848I 網絡芯片DS1302 ENC28J60 以太網控制芯片FT232RL
上傳時間： 2022-03-03
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表貼插裝電阻功率電阻Altium封裝 AD封裝庫 2D+3D PCB封裝庫-19MB,Altium Designer設計的PCB封裝庫文件，集成2D和3D封裝，可直接應用的到你的產品設計中。PCB庫封裝列表：PCB Library : 1.01-電阻.PcbLibComponent Count : 73Component Name-----------------------------------------------AXIAL0.3-1/8WAXIAL0.3-1/8W-VAXIAL0.4-1/4WAXIAL0.4-1/4W-VAXIAL0.5-1/2WAXIAL0.5-1/2W-VAXIAL0.6-1WAXIAL0.6-1W -VAXIAL0.8-2W-VAXIAL0.8-3WAXIAL1.0-3WAXIAL1.0-3W-VAXIAL1.2-5WAXIAL1.2-5W-FR 0201_LR 0201_MR 0201-HP_LR 0201-HP_MR 0402_LR 0402_MR 0402-HP_LR 0402-HP_MR 0603_LR 0603_MR 0603-HP_LR 0603-HP_MR 0805_LR 0805_MR 0805-HP_LR 0805-HP_MR 1206_LR 1206_MR 1206-HP_LR 1206-HP_MR 1210_LR 1210_MR 1210-HP_LR 1210-HP_MR 1812_LR 1812_MR 1812-HP_LR 1812-HP_MR 2010_LR 2010_MR 2010-HP_LR 2010-HP_MR 2512_LR 2512_MR 2512-HP_LR 2512-HP_MR SIP9-2.54RCA-8P4R-0402RCA-8P4R-0603RI 1.25W - 0.9mmRS 1/2WRS 1/2W-V4RS 1/4WRS 1/4W-V3RS 1/8WRS 1/8W-V2RS 1WRS 1W-F5RS 1W-V5RS 2WRS 2W-F5RS 2W-V6RS 3WRS 3W-F5RS 3W-V7RS 5WRS 5W-F5RS 5W-V8RX10-18*15*5
標簽： altium designer
上傳時間： 2022-05-04
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特點:o ARM? Cortex?-M4 CPU 平臺o 高達150MHz 的高性能Cortex?-M4 處理器o 集成FPU 和MPUo 內存o 512KB 片上SRAMo 2KB 至512KB 可編程保持存儲區o 閃存o 1MB 集成閃存o 原地執行NOR 閃存接口，在閃存中執行時接近0 等待狀態o 供電和復位管理系統o 片上穩壓器，支持1.7V-3.6V 輸入o 上電復位（POR）o 時鐘管理o 10-30MHz 晶體振蕩器o 內部16MHz RCo 32kHz 晶體振蕩器o 內部32kHz RCo 具有可編程輸出頻率的低功耗PLLo 通用DMA：具有硬件流控制的8 通道DMA 控制器o 安全o 使用TRNG（真隨機數發生器）的簡單加密引擎o 定時器/計數器o 1x 系統節拍定時器o 4x 32 位定時器o 1x 看門狗定時器o 功耗（待確認）o 滿載：待定uA/MHz @ 25°Co 運行：待定uA /MHz @ 25°Co 停止：待定@ 25°Co 保留：待定@ 25°C，32kB 保留存儲器o 待機：待定@ 25°C，內部32kHz RCo 12 位逐次逼近寄存器（SAR）ADCo 每秒最多2M 樣本o 可通過8:1 多路復用器選擇輸入o 1 個帶有集成PHY 的USB 2.0 高速雙角色端口o 兩個SD / SDIO 主機接口o SD/SDIO 2.0 模式：時鐘高達50MHzo LCD 控制器o 分辨率高達480x320o 6800 和8080 異步模式（8 位）o JTAG 調試功能o 3 個PWM（6 個輸出），3 個捕捉和3 個QEP 模塊o 4x UART，帶有HW 流控制，最高可達4Mbpso 3x I2C，支持Fast Mode+（1000kbps）o 2x I2S 接口o 3x SPI 主器件高達25MHz，1x SPI 從器件高達10MHzo 32 個GPIOo 68 引腳QFN 封裝o 溫度范圍：-40 至85°C4.1 帶FPU 內核的ARM?CORTEX?-M4帶有FPU 處理器的ARM?Cortex?-M4 是一款32 位RISC 處理器，具有出色的代碼和功率效率。它支持一組DSP 指令，以允許高效執行信號處理算法，非常適合于可穿戴和其他嵌入式市場。集成的單精度FPU（浮點單元）便于重用第三方庫，從而縮短開發時間。內部內存保護單元（MPU）用于管理對內的訪問，以防止一個任務意外破壞另一個活動任務使用的內存。集成緊密耦合的嵌套向量中斷控制器，提供多達16 個優先級。4.2 系統內存Bock 包含512kB 零等待狀態SRAM，非常適合于當今算法日益增長的需求。同時，內存被細分為更小的區，從而可以單獨地關閉以降低功耗。4.3 閃存和XIP 單元提供1MB 的集成NOR 閃存，以支持CPU 直接執行。為了提高性能，XIP 單元具有集成的緩存系統。緩沖內存與系統內存共享。與從系統內存運行性能相比，XIP 單元使得許多應用程序的運行接近100％。4.4 ROM集成ROM 固件包含通過NOR 閃存正常引導所需的引導加載程序，支持用于批量生產的閃存編程，還包括用于調試目的的UART 和USB 啟動功能。
標簽： tg401
上傳時間： 2022-06-06
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概述IP6805U 是一款無線充電發射端控制 SoC 芯 片，兼容WPC Qi v1.2.4 最新標準，支持 A11 或 A11a 線圈，支持 5W 充電。IP6805U 通過analog ping 檢測到無線接收器，并建立與接收端之間的 通信，則開始功率傳輸。IP6805U 解碼從接收器 發送的通信數據包，然后用 PID 算法來改變振蕩頻率從而調整線圈上的輸出功率。一旦接收器上 的電池充滿電時，IP6805U 終止電力傳輸。IP6805U 片內集成全橋驅動電路和全橋功率 MOS，電壓&電流兩路 ASK 通訊解調模塊；方案集成度高，可顯著降低方案尺寸和 BOM 成本。 背夾、無線充電底座 ? 車載無線充電設備
上傳時間： 2022-06-15
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無線充方案：P6808 國內首款SOC無線充方案IP6808 正式進入無線充電行業。近日我們獲悉，這款芯片通過了Qi v1.2.4認證，WPC無線充電聯盟官網注冊時間為7月10日，登記ID為3691。它支持10W快充，是一顆兼容WPC v1.2協議的7.5W/10W無線充電發射控制器。特點 兼容WPC v1.2.4 標準 支持5~10W 多種應用 單獨5W 應用 快充充電器輸入5~10W 應用 5V 充電器輸入5~10W 升壓應用 9V~15V 充電器輸入5~10W 降壓應用 輸入耐壓高達25V 集成NMOS 全橋驅動 集成內部電壓/電流解調 支持 FOD 異物檢測功能 高靈敏靜態異物檢測 支持動態FOD 檢測 FOD 參數可調 低靜態功耗和高效率 靜態電流4mA 實測系統充電效率高達79% 兼容NPO 電容和CBB 電容 支持成品固件在線升級 針對供電能力不足的USB 電源有動態功率調整功能（DPM） 支持低至5V 500mA 的充電器 輸入過壓，過流保護功能 支持PD3.0 輸入請求 支持NTC 用于系統各狀態指示的2 路 LED 封裝 5 mm × 5 mm 0.5pitch QFN32應用產品背夾、無線充電底座 車載無線充電設備
上傳時間： 2022-06-15
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一，概述： IP5516一款集成升壓轉換器、鋰電池充電管理、電池電量指示的多功能電源管理SOC，為TWS藍牙耳機充電倉提供完整的電源解決方案。二，特性：1 同步開關放電： 300mA 同步升壓轉換 升壓效率高達93% 內置電源路徑管理，支持邊充邊放2 充電： 500mA 線性充電，充電電流可調 自動調節充電電流，匹配適配器輸出能力 支持4.20V、4.30V、4.35V 和4.4V 電池3 電量顯示： 內置10bit ADC 和精準庫倫計算法 支持4/3/2/1 顆LED 電量顯示4 低功耗： 智能識別耳機插入/充滿/拔出，自動進待機 支持雙路耳機獨立檢測 支持兩種待機模式，待機功耗分別可達3uA 和25 μA5 BOM 極簡： 功率MOS 內置，2.2uH 單電感實現放電6多重保護、高可靠性： 輸出過流、過壓、短路保護 輸入過壓、過充、過流保護 整機過溫保護 ESD 4KV，VIN 瞬態耐壓高達15V7深度定制： 可靈活低成本定制方案8封裝：QFN16（4*4*0.75）三，應用TWS藍牙耳機充電倉/充電倉
上傳時間： 2022-06-15
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在一般較低性能的三相電壓源逆變器中， 各種與電流相關的性能控制， 通過檢測直流母線上流入逆變橋的直流電流即可，如變頻器中的自動轉矩補償、轉差率補償等。同時， 這一檢測結果也可以用來完成對逆變單元中IGBT 實現過流保護等功能。因此在這種逆變器中， 對IGBT 驅動電路的要求相對比較簡單， 成本也比較低。這種類型的驅動芯片主要有東芝公司生產的TLP250，夏普公司生產的PC923等等。這里主要針對TLP250 做一介紹。TLP250 包含一個GaAlAs 光發射二極管和一個集成光探測器， 8腳雙列封裝結構。適合于IGBT 或電力MOSFET 柵極驅動電路。圖2為TLP250 的內部結構簡圖， 表1 給出了其工作時的真值表。TLP250 的典型特征如下：1） 輸入閾值電流（ IF） ： 5 mA（ 最大） ；2） 電源電流（ ICC） ： 11 mA（ 最大） ；3） 電源電壓（ VCC） ： 10～ 35 V；4） 輸出電流（ IO） ： ± 0.5 A（ 最小） ；5） 開關時間（ tPLH /tPHL ） ： 0.5 μ（ s 最 大 ） ；6） 隔離電壓： 2500 Vpms（最小）。表2 給出了TLP250 的開關特性，表3 給出了TLP250 的推薦工作條件。注： 使 用 TLP250 時 應 在 管 腳 8和 5 間 連 接 一 個 0.1 μ的 F 陶 瓷 電 容 來穩定高增益線性放大器的工作， 提供的旁路作用失效會損壞開關性能， 電容和光耦之間的引線長度不應超過1 cm。圖3 和圖4 給出了TLP250 的兩種典型的應用電路。
標簽： igbt
上傳時間： 2022-06-20
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射頻功率放大器在雷達、無線通信、導航、衛星通訊、電子對抗設備等系統中有著廣泛的應用，是現代無線通信的關鍵設備.與傳統的行被放大器相比，射頻固態功率放大器具有體積小、動態范圍大、功耗低、壽命長等一系列優點；由于射頻功率放大器在軍事和個人通信系統中的地位非常重要，使得功率放大器的研制變得十分重要，因此對該課題的研究具有非常重要的意義.設計射頻集成功率放大器的常見工藝有GaAs，SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工藝具有較好的射頻特性和輸出功率能力，但其價格昂貴，工藝一致性差；CMOS工藝的功率輸出能力不大，很難應用于高輸出功率的場合；而SiGe BiCMOS工藝的性能介于GaAS和CMOS工藝之間，價格相對低廉并和CMOS電路兼容，非常適合于中功率應用場合.本文介紹了應用與無線局域網和Ka波段的射頻集成功率放大器的設計和實現，分別使用了CMOS，SiGe BiCMOS，GaAs三種工藝.（1）由SMIC 0.18um CMOS工藝實現的放大器工作頻率為2.4GHz，采用了兩級共源共柵電路結構，在5V電源電壓下仿真結果為小信號增益22dB左右，1dB壓縮點處輸出功率為20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%，最大飽和輸出功率大于24dBm且PAE大于20%，芯片面積為1.4mm*0.96mm；（2）由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工藝實現的功率放大器工作頻率為5.25GHz，分為前置推動級和末級功率級，電源電壓為3.3V，仿真結果為小信號增益28dB左右，1dB壓縮點處輸出功率大于26dBm，功率附加效率大于15%，最大飽和輸出功率為29.5dBm，芯片面積為1.56mm"1.2mm；（3）由WIN 0.15um GaAs工藝實現的功率放大器工作頻率為27-32GHz，使用了三級功率放大器結構，在電源電壓為5V下仿真結果為1dB壓縮點的輸出功率Pras 26dBm，增益在20dB以上，最大飽和輸出功率為29.9dBm且PAE大于25%，芯片面積為2.76mm"1.15mm.論文按照電路設計、仿真、版圖設計、流片和芯片測試的順序詳細介紹了功率放大器芯片的設計過程，對三種工藝實現的功率放大器進行了對比，并通過各自的仿真結果對出現的問題進行了詳盡的分析。
上傳時間： 2022-06-20
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HLW8032 是一款高精度的電能計量 IC,它采用 CMOS 制造工藝，主要用于單相應用。它能夠測量線電壓和電流，并能計算有功功率，視在功率和功率因素。 該器件內部集成了兩個∑-Δ型 ADC 和一個高精度的電能計量內核。HLW8032 可以通過 UART口進行數據通訊，HLW8032 采用 5V 供電，內置 3.579M 晶振，8PIN 的 SOP 封裝。 HLW8032 具有精度高、功耗小、可靠性高、適用環境能力強等優點，適用于單相兩線制電力用戶的電能計量。
上傳時間： 2022-06-21
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