概述 VK3602K 是一款兩觸摸通道帶兩個(gè)邏輯控制輸出的電容式觸摸芯片。具有如下功能特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì): 可通過觸摸實(shí)現(xiàn)各種邏輯功能控制。操作簡(jiǎn)單、方便實(shí)用。 可在有介質(zhì)(如玻璃、亞克力、塑料、陶瓷等)隔離保護(hù)的情況下實(shí)現(xiàn)觸摸功能,安全性高。 應(yīng)用電壓范圍寬,可在2.4~5.5V之間任意選擇。 應(yīng)用電路簡(jiǎn)單,外圍器件少,加工方便,成本低。 抗電源干擾及手機(jī)干擾特性好。EFT可以達(dá)到±2KV以上;近距離、多角度手機(jī)干擾情況下,觸摸響應(yīng)靈敏度及可靠性不受影響。 特性 LO1與LO2在上電后的初始輸出狀態(tài)由上電前OSC的輸入狀態(tài)決定。OSC管腳接VDD(高電平)上電,上電后LO1與LO2輸出高電平;OSC管腳接GND(低電平)上電,上電后LO1與LO2輸出低電平。 TI1觸摸輸入對(duì)應(yīng)LO1邏輯輸出,TI2觸摸輸入對(duì)應(yīng)LO2邏輯輸出。 按住TI1或TI2,對(duì)應(yīng)LO1或LO2的輸出狀態(tài)翻轉(zhuǎn);松開后回復(fù)初始狀態(tài)。
標(biāo)簽: 抗電源干擾及手機(jī)干擾特性好 可通過觸摸實(shí)現(xiàn)各種邏輯功能控制。操作簡(jiǎn)單、方便實(shí)用。
上傳時(shí)間: 2020-02-25
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機(jī)械電子學(xué),主要講解機(jī)械使用自動(dòng)化專業(yè)知識(shí),或者設(shè)備,操作方式給機(jī)械加工方便。
標(biāo)簽: 機(jī)械 機(jī)械電子學(xué) 電子學(xué)
上傳時(shí)間: 2020-04-05
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描述了在繪制PCB圖之后,如何規(guī)范的添加mrak點(diǎn)以便于后期的貼片加工。
標(biāo)簽: PCBmark 設(shè)計(jì)規(guī)范
上傳時(shí)間: 2021-01-30
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1、常見機(jī)械加工工藝介紹; 2、機(jī)械加工裝備介紹; 3、加工用工裝夾具介紹。
標(biāo)簽: 機(jī)械制造 工藝 夾具 設(shè)計(jì)指導(dǎo)
上傳時(shí)間: 2021-02-24
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電磁兼容學(xué)科是一門綜合性交叉學(xué)科,實(shí)用性很強(qiáng)。本書注重從實(shí)際出發(fā),結(jié)合強(qiáng)電類工程實(shí)際的特點(diǎn),介紹了電磁兼容的基本知識(shí),包括電磁干擾的產(chǎn)生和電磁兼容性的實(shí)現(xiàn)技術(shù),以及一些常見的電磁干擾問題及其解決方法。
上傳時(shí)間: 2021-10-16
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電磁兼容學(xué)科是一門綜合性交叉學(xué)科,實(shí)用性很強(qiáng)。本書注重從實(shí)際出發(fā),結(jié)合強(qiáng)電類工程實(shí)際的特點(diǎn),介紹了電磁兼容的基本知識(shí),包括電磁干擾的產(chǎn)生和電磁兼容性的實(shí)現(xiàn)技術(shù),以及一些常見的電磁干擾問題及其解決方法。本書第1 章介紹了電磁兼容的基本概念和電磁干擾源及危害。第2 章介紹了傳導(dǎo)和輻射兩類干擾的產(chǎn)生機(jī)理。第3 章至第5 章介紹了接地、屏蔽和濾波等三種主要的電磁兼容性技術(shù)。第6 章介紹了電磁干擾的發(fā)射和敏感性測(cè)量技術(shù)。第7 至第9 章結(jié)合實(shí)際,具體介紹了靜電防護(hù)、電子系統(tǒng)的電磁兼容設(shè)計(jì)和浪涌抑制技術(shù)。第10 章介紹了與電力系統(tǒng)相關(guān)的一些典型的電磁兼容問題。
標(biāo)簽: 電磁兼容
上傳時(shí)間: 2021-10-16
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本書共11章。 第1章簡(jiǎn)要介紹了高電壓功率器件的可能應(yīng)用, 定義了理想功率開關(guān)的電特性, 并與典型器件的電特性進(jìn)行了比較。 第2章和第3章分析了硅基功率晶閘管和碳化硅基功率晶閘管。 第4章討論了硅門極關(guān)斷 (GTO) 晶閘管結(jié)構(gòu)。 第5章致力于分析硅基IGBT結(jié)構(gòu), 以提供對(duì)比分析的標(biāo)準(zhǔn)。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的結(jié)構(gòu)。 碳化硅MOSFET 和IGBT的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)重點(diǎn)在于保護(hù)柵氧化層, 以防止其提前擊穿。 另外, 必須屏蔽基區(qū),以避免擴(kuò)展擊穿。 這些器件的導(dǎo)通電壓降由溝道電阻和緩沖層設(shè)計(jì)所決定。 第8章和第9章討論了金屬氧化物半導(dǎo)體控制晶閘(MCT) 結(jié)構(gòu)和基極電阻控制晶閘管 (BRT) 結(jié)構(gòu), 后者利用MOS柵控制晶閘管的導(dǎo)通和關(guān)斷。 第10章介紹了發(fā)射極開關(guān)晶閘(EST), 該種結(jié)構(gòu)也利用一種MOS柵結(jié)構(gòu)來控制晶閘管的導(dǎo)通與關(guān)斷, 并可利用IGBT加工工藝來制造。 這種器件具有良好的安全工作區(qū)。本書最后一章比較了書中討論的所有高壓功率器件結(jié)構(gòu)。本書的讀者對(duì)象包括在校學(xué)生、 功率器件設(shè)計(jì)制造和電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的工程技術(shù)人員及其他相關(guān)專業(yè)人員。 本書適合高等院校有關(guān)專業(yè)用作教材或?qū)I(yè)參考書, 亦可被電力電子學(xué)界和廣大的功率器件和裝置生產(chǎn)企業(yè)的工程技術(shù)人員作為參考書之用。
標(biāo)簽: 大功率器件
上傳時(shí)間: 2021-11-02
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芯片制造技術(shù)-半導(dǎo)體拋光類技術(shù)資料合集:300mm硅單晶及拋光片標(biāo)準(zhǔn).pdf6-英寸重?fù)缴楣鑶尉Ъ皰伖馄?pdf666化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)的研究進(jìn)展.pdf化學(xué)機(jī)械拋光CMP技術(shù)的發(fā)展應(yīng)用及存在問題.pdf化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)及SiO2拋光漿料研究進(jìn)展.pdf化學(xué)機(jī)械拋光液(CMP)氧化鋁拋光液具.doc半導(dǎo)體-第十四講-CMP.ppt半導(dǎo)體制程培訓(xùn)CMP和蝕刻.pptx.ppt半導(dǎo)體單晶拋光片清洗工藝分析.pdf半導(dǎo)體工藝.ppt半導(dǎo)體工藝化學(xué).ppt拋光技術(shù)及拋光液.docx直徑12英寸硅單晶拋光片-.pdf硅拋光片-CMP-市場(chǎng)和技術(shù)現(xiàn)狀-張志堅(jiān).pdf硅片腐蝕和拋光工藝的化學(xué)原理.doc表面活性劑在半導(dǎo)體硅材料加工技術(shù)中的應(yīng)用.pdf
上傳時(shí)間: 2021-11-02
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主要內(nèi)容包括了:1.Altium 產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì),2.Altium 產(chǎn)品之外的價(jià)值,3.競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手分析,4.Altium Designer 16的主要功能基于單點(diǎn)工具做電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的客戶,在輸出設(shè)計(jì)和加工文檔時(shí)會(huì)遇到很多的麻煩,他們會(huì)在這方面花費(fèi)大量時(shí)間的。 主要的麻煩如下:設(shè)計(jì)輸出和加工文檔種類繁多,需要由不同的工具輸出。例如:原理圖打印、PCB打印、物料清單(BOM)、光繪文件(Gerber)、裝配文件、測(cè)試點(diǎn)報(bào)告等每次輸出這些文檔時(shí)需要重復(fù)設(shè)置輸出配置有些客戶需要按照公司標(biāo)準(zhǔn)模板輸出這些文件有些客戶需要經(jīng)過非常嚴(yán)格的審批程序才能發(fā)布這些文件,這個(gè)過程中需要反復(fù)輸出這些文件針對(duì)單獨(dú)設(shè)計(jì)文件進(jìn)行輸出時(shí)經(jīng)常會(huì)使用錯(cuò)誤的設(shè)計(jì)文件版本Output Job是一個(gè)管理文件,所有輸出文檔 的輸出設(shè)置都保存在這個(gè)文件中。一旦設(shè)置 完成后,任何時(shí)候打開這個(gè)管理文檔就可以 正確地輸出各種輸出文檔。只需要設(shè)置一次文檔的輸出選項(xiàng)每個(gè)輸出文檔可以設(shè)置正確的模板始終與項(xiàng)目中設(shè)計(jì)文檔的最新版本保持同步Output Job也可以作為模板用于新的設(shè)計(jì)
標(biāo)簽: altium designer output job
上傳時(shí)間: 2021-11-06
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北京凱恩帝數(shù)控系統(tǒng)K2100M加工中心編程手冊(cè)
標(biāo)簽: knd 數(shù)控系統(tǒng)
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