描述了在繪制PCB圖之后，如何規范的添加mrak點以便于后期的貼片加工。
上傳時間： 2021-01-30
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1、常見機械加工工藝介紹； 2、機械加工裝備介紹； 3、加工用工裝夾具介紹。
上傳時間： 2021-02-24
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電磁兼容學科是一門綜合性交叉學科，實用性很強。本書注重從實際出發，結合強電類工程實際的特點，介紹了電磁兼容的基本知識，包括電磁干擾的產生和電磁兼容性的實現技術，以及一些常見的電磁干擾問題及其解決方法。
上傳時間： 2021-10-16
上傳用戶：bluedrops
電磁兼容學科是一門綜合性交叉學科，實用性很強。本書注重從實際出發，結合強電類工程實際的特點，介紹了電磁兼容的基本知識，包括電磁干擾的產生和電磁兼容性的實現技術，以及一些常見的電磁干擾問題及其解決方法。本書第1 章介紹了電磁兼容的基本概念和電磁干擾源及危害。第2 章介紹了傳導和輻射兩類干擾的產生機理。第3 章至第5 章介紹了接地、屏蔽和濾波等三種主要的電磁兼容性技術。第6 章介紹了電磁干擾的發射和敏感性測量技術。第7 至第9 章結合實際，具體介紹了靜電防護、電子系統的電磁兼容設計和浪涌抑制技術。第10 章介紹了與電力系統相關的一些典型的電磁兼容問題。
標簽： 電磁兼容
上傳時間： 2021-10-16
上傳用戶：kent
本書共11章。 第1章簡要介紹了高電壓功率器件的可能應用， 定義了理想功率開關的電特性， 并與典型器件的電特性進行了比較。 第2章和第3章分析了硅基功率晶閘管和碳化硅基功率晶閘管。 第4章討論了硅門極關斷 （GTO） 晶閘管結構。 第5章致力于分析硅基IGBT結構， 以提供對比分析的標準。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的結構。 碳化硅MOSFET 和IGBT的結構設計重點在于保護柵氧化層， 以防止其提前擊穿。 另外， 必須屏蔽基區，以避免擴展擊穿。 這些器件的導通電壓降由溝道電阻和緩沖層設計所決定。 第8章和第9章討論了金屬氧化物半導體控制晶閘（MCT） 結構和基極電阻控制晶閘管 （BRT） 結構， 后者利用MOS柵控制晶閘管的導通和關斷。 第10章介紹了發射極開關晶閘（EST）， 該種結構也利用一種MOS柵結構來控制晶閘管的導通與關斷， 并可利用IGBT加工工藝來制造。 這種器件具有良好的安全工作區。本書最后一章比較了書中討論的所有高壓功率器件結構。本書的讀者對象包括在校學生、 功率器件設計制造和電力電子應用領域的工程技術人員及其他相關專業人員。 本書適合高等院校有關專業用作教材或專業參考書， 亦可被電力電子學界和廣大的功率器件和裝置生產企業的工程技術人員作為參考書之用。
標簽： 大功率器件
上傳時間： 2021-11-02
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芯片制造技術-半導體拋光類技術資料合集：300mm硅單晶及拋光片標準.pdf6-英寸重摻砷硅單晶及拋光片.pdf666化學機械拋光技術的研究進展.pdf化學機械拋光CMP技術的發展應用及存在問題.pdf化學機械拋光技術及SiO2拋光漿料研究進展.pdf化學機械拋光液(CMP)氧化鋁拋光液具.doc半導體-第十四講-CMP.ppt半導體制程培訓CMP和蝕刻.pptx.ppt半導體單晶拋光片清洗工藝分析.pdf半導體工藝.ppt半導體工藝化學.ppt拋光技術及拋光液.docx直徑12英寸硅單晶拋光片-.pdf硅拋光片-CMP-市場和技術現狀-張志堅.pdf硅片腐蝕和拋光工藝的化學原理.doc表面活性劑在半導體硅材料加工技術中的應用.pdf
上傳時間： 2021-11-02
上傳用戶：wangshoupeng199
主要內容包括了：1.Altium 產品的優勢，2.Altium 產品之外的價值，3.競爭對手分析，4.Altium Designer 16的主要功能基于單點工具做電子產品設計的客戶，在輸出設計和加工文檔時會遇到很多的麻煩，他們會在這方面花費大量時間的。 主要的麻煩如下：設計輸出和加工文檔種類繁多，需要由不同的工具輸出。例如：原理圖打印、PCB打印、物料清單（BOM）、光繪文件（Gerber）、裝配文件、測試點報告等每次輸出這些文檔時需要重復設置輸出配置有些客戶需要按照公司標準模板輸出這些文件有些客戶需要經過非常嚴格的審批程序才能發布這些文件，這個過程中需要反復輸出這些文件針對單獨設計文件進行輸出時經常會使用錯誤的設計文件版本Output Job是一個管理文件，所有輸出文檔 的輸出設置都保存在這個文件中。一旦設置 完成后，任何時候打開這個管理文檔就可以 正確地輸出各種輸出文檔。只需要設置一次文檔的輸出選項每個輸出文檔可以設置正確的模板始終與項目中設計文檔的最新版本保持同步Output Job也可以作為模板用于新的設計
標簽： altium designer output job
上傳時間： 2021-11-06
上傳用戶：zhaiyawei
北京凱恩帝數控系統K2100M加工中心編程手冊
上傳時間： 2021-12-08
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作者：何亮，劉揚論文摘要：氮 化 鎵 (G a N )材 料 具 有 優 異 的 物 理 特 性 ，非 常 適 合 于 制 作 高 溫 、高 速 和 大 功 率 電 子 器 件 ，具 有 十 分 廣 闊 的 市場前景 。 S i襯 底 上 G a N 基 功 率 開 關 器 件 是 目 前 的 主 流 技 術 路 線 ，其 中 結 型 柵 結 構 （p 型 柵 ）和 共 源 共 柵 級 聯 結 構 (C asco de)的 常 關 型 器 件 已 經 逐 步 實 現 產 業 化 ，并 在 通 用 電 源 及 光 伏 逆 變 等 領 域 得 到 應 用 。但 是 鑒 于 以 上 兩 種 器 件 結 構 存 在 的 缺 點 ，業 界 更 加 期 待 能 更 充 分 發 揮 G a N 性能的 “ 真 ” 常 關 M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面實用 化 ，仍 然 面 臨 著 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 穩 定 性 方 面 的 挑 戰 。
上傳時間： 2021-12-08
上傳用戶：XuVshu
通 用 測 試 系 統 能 夠適 應 多 樣 化 的 儀 器 控 制 方 式 以 及 通 信 方 式 ，實 現 測 量 儀 器 的 通 用 化控 制 ，減 輕 測 試 人 員 的 測 試 壓 力， 提 高測 試 效 率 ； 該 系 統 基 于 安 捷 倫 的 多 種 測 量 儀 器 ， 以 VISA_COM技 術 和 SCPI 儀 器 控 制 語 言 為 重 要 支 撐；結 合 模 塊 化 的 方 法 進 行 開 發系 統 通 過 對 GPIB、USB和LAN等 多 種 形 式 通 信 接 口 的 靈 活 調 度 實 現 對 測 量 儀 器 的 控制以 及 控 制 命令 和 實 驗數 據 的 傳 輸，并 具 有 處 理 和可視 化 實 驗 數 據 的 能 力 ； 系 統接 口 形 式 多 樣 、人 機 交 互 友 好 、擴 展 性 好 ，降 低 了 測 量 儀 器 的 使 用 復雜 度 ，簡 化 了 測 量 流 程，提 高 了 測 試 效 率 ，為 各 型 號 測 試 工 作 提供 了 較 好 的 支 持 。
上傳時間： 2022-01-16
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