本文是關(guān)于在印刷電路板 (PCB) 開發(fā)階段使用數(shù)字輸入/輸出緩沖信息規(guī)范(IBIS) 模擬模型的系列文章之第 3 部分（共三部分）。“第 1 部分”討論了 IBIS仿真模型的基本組成，以及它們?cè)?SPICE 環(huán)境中產(chǎn)生的過程1。“第 2 部分”討論了 IBIS 模型有效性驗(yàn)證。2 在設(shè)計(jì)階段，我們會(huì)碰到許多信號(hào)完整性問題，而 IBIS 模型為這些問題帶來了一種簡(jiǎn)單的解決方案。本文即“第 3 部分”，將介紹如何使用一個(gè) IBIS 模型來提取一些重要的變量，用于信號(hào)完整性計(jì)算和確定 PCB 設(shè)計(jì)解決方案。請(qǐng)注意，該提取值是 IBIS 模型不可或缺的組成部分。
標(biāo)簽： IBIS 模型 分 信號(hào)完整性
上傳時(shí)間： 2013-10-15
上傳用戶：hehuaiyu
隨著對(duì)IEEE1641標(biāo)準(zhǔn)研究的逐漸深入，信號(hào)的構(gòu)建成為了研究重點(diǎn)。對(duì)信號(hào)模型進(jìn)行同步和門控控制，可以影響到TSF（測(cè)試信號(hào)框架）模型的輸出，從而達(dá)到控制信號(hào)的目的，使測(cè)試需求更加完善以及測(cè)試過程更加精確。
標(biāo)簽： STD 標(biāo)準(zhǔn) 信號(hào)模型 門控機(jī)制
上傳時(shí)間： 2014-01-01
上傳用戶：YUANQINHUI
文中設(shè)計(jì)研制了一種新型的基于仿射變換模型的實(shí)時(shí)圖像跟蹤系統(tǒng)。本跟蹤系統(tǒng)已經(jīng)通過實(shí)踐檢驗(yàn)，能夠穩(wěn)定的、準(zhǔn)確的、快速的跟蹤目標(biāo)。并且系統(tǒng)有很大的升級(jí)潛力，除了能夠滿足仿射變換跟蹤的要求之外，還能適用于其他的一些算法，構(gòu)成魯棒性更強(qiáng)的圖像跟蹤系統(tǒng)。實(shí)踐證明該跟蹤系統(tǒng)性能優(yōu)于經(jīng)典的相關(guān)跟蹤系統(tǒng)。
標(biāo)簽： 仿射變換 模型 圖像跟蹤系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-10-12
上傳用戶：zsjzc
為了提高圖像去噪效果，提出了基于Contourlet域HMT模型的Cycle Spinning去噪方法。首先將待去噪圖像進(jìn)行循環(huán)平移，使用Contourlet域HMT模型對(duì)平移后的圖像進(jìn)行降噪處理，然后將降噪后的圖像進(jìn)行循環(huán)反平移，最后將不同循環(huán)平移量下的降噪圖像進(jìn)行平均處理，以減少去噪后圖像的失真。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該方法不僅可以提高降噪后圖像峰值信噪比，而且可以提高降噪后圖像的視覺效果。
標(biāo)簽： Contourlet Spinning Cycle HMT
上傳時(shí)間： 2014-12-23
上傳用戶：ddddddos
TI運(yùn)放選型
標(biāo)簽： 運(yùn)放 選型
上傳用戶：黃蛋的蛋黃
2012黑龍江省賽區(qū)TI杯競(jìng)賽題，包括本科組和高職大專組。
標(biāo)簽： 2012 黑龍江 競(jìng)賽題
上傳時(shí)間： 2013-12-19
上傳用戶：niumeng16
主要介紹場(chǎng)效應(yīng)管H參數(shù)的模型
標(biāo)簽： 場(chǎng)效應(yīng)管 h參數(shù) 等效模型
上傳時(shí)間： 2014-01-09
上傳用戶：1966649934
本文依據(jù)微波電磁場(chǎng)理論概述了微帶鐵氧體器件在毫米波頻率下的工作模式, 探討了毫米波微帶鐵氧體器件的電參數(shù)的設(shè)計(jì)考慮, 對(duì)從事毫米波微帶鐵氧體器件的研究, 提供了基本的設(shè)計(jì)模型, 以期引起進(jìn)一步的探討。
標(biāo)簽： 亳米波 微帶環(huán)行器 模型
上傳時(shí)間： 2013-10-07
上傳用戶：66666
在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢(shì)壘的形狀以及勢(shì)壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對(duì)研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標(biāo)簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究
上傳時(shí)間： 2013-10-31
上傳用戶：summery
采用三維泊松方程和二維薛定諤方程自洽求解方法,建立量子點(diǎn)接觸器件（QPC）內(nèi)的電勢(shì)分布和二維電子氣層的電子密度分布的準(zhǔn)三維模型及模擬方法,并將模擬結(jié)果與傳統(tǒng)的Buttiker鞍型電勢(shì)分布進(jìn)行比較。
標(biāo)簽： 量子點(diǎn) 接觸器 電勢(shì) 數(shù)值
上傳時(shí)間： 2013-10-18
上傳用戶：ZOULIN58
蟲蟲下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號(hào)-1
