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千兆比

過采樣法提高A_D分辨率和信噪比

介紹一種簡便的方法, 只用軟件就可以將轉換器位數(shù)提高, 并且還能同時提高采樣系統(tǒng)的信噪比。通過實際驗證, 證明該方法是成功的。

標簽： A_D 過采樣分辨率信噪比

上傳時間： 2013-11-11

上傳用戶：zhenyushaw
對非整周期正弦波形信噪比計算方法的研究

以雙音多頻信號為例，通過運用快速傅里葉變換和Hanning窗等數(shù)學方法，分析了信號頻率，電平和相位之間的關系，推導出了計算非整周期正弦波形信噪比的算法，解決了數(shù)字信號處理中非整周期正弦波形信噪比計算精度低下的問題。以C編程語言進行實驗，證明了算法的正確性和可重用性，并可極大的提高工作效率。

標簽： 周期信噪比正弦波形

上傳時間： 2014-01-18

上傳用戶：laomv123
高共模抑制比儀用放大電路方案

本文針對傳統(tǒng)儀用放大電路的特點，介紹了一種高共模抑制比儀用放大電路，引入共模負反饋，大大提高了通用儀表放大器的共模抑制能力。

標簽： 共模抑制比儀用放大電路方案

上傳時間： 2013-11-10

上傳用戶：lingfei
基于單片機的電流比任意可調并聯(lián)電源設計與實現(xiàn)

開關電源并聯(lián)系統(tǒng)中往往存在兩個并聯(lián)電源性能參數(shù)不同甚至差異較大的情況，因此不能采用傳統(tǒng)的并聯(lián)均流方案來平均分攤電流，這就需要按各個電源模塊的輸出能力分擔輸出功率?；谶@種靈活性的需要，本設計在采用主從設置法設計并聯(lián)均流開關電源的基礎上新增加了單片機控制模塊，實現(xiàn)了分流比可任意調節(jié)、各模塊電流可實時監(jiān)控的半智能化并聯(lián)開關電源系統(tǒng)。實測結果表明，該并聯(lián)開關電源系統(tǒng)分流比設置誤差小于0.5%，具有總過流和單路過流保護功能。

標簽： 單片機電流并聯(lián) 電源設計

上傳時間： 2014-12-24

上傳用戶：guojin_0704
光伏電池的自適應占空比擾動MPPT算法研究

環(huán)境溫度、光照強度和負載等因素對光伏電池的輸出特性影響很大，為了提高光伏電池的工作效率，需要準確快速地跟蹤光伏電池的最大功率點。在分析了光伏電池的輸出特性的基礎上，建立了光伏電池的仿真模型；針對傳統(tǒng)爬山法的不足，采用了自適應占空比擾動法對最大功率點進行了跟蹤控制。給出了上述兩種算法的工作原理及設計過程。仿真結果表明：自適應占空比擾動算法跟蹤迅速，減少了系統(tǒng)在最大功率點附近的振蕩現(xiàn)象，提高了系統(tǒng)的跟蹤速度和精度。

標簽： MPPT 光伏電池算法研究

上傳時間： 2013-12-04

上傳用戶：bakdesec
一種高電源抑制比的CMOS帶隙基準電壓源設計

介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準電路。本文在原有Banba帶隙基準電路的基礎上，通過采用共源共柵電流鏡結構和引入負反饋環(huán)路的方法，大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結果表明：在-40~100 ℃的溫度范圍內，輸出電壓擺動僅為1.7 mV，在低頻時達到100 dB以上的電源抑制比（PSRR），整個電路功耗僅僅只有30 μA?？梢院芎玫貞迷诘凸母唠娫匆种票鹊腖DO芯片設計中。

標簽： CMOS 高電源抑制帶隙基準電壓源

上傳時間： 2013-10-27

上傳用戶：thesk123
基于占空比模糊控制的光伏發(fā)電系統(tǒng)MPPT技術

為了有效地利用太陽能，有必要對光伏發(fā)電系統(tǒng)進行最大功率點跟蹤（MPPT）控制研究。文中以兩級式光伏并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)為研究對象，建立了任意外界環(huán)境下的光伏陣列數(shù)學模型。由于光伏陣列的非線性輸出特性，將模糊控制思想引入最大功率點跟蹤，提出占空比模糊控制的擾動觀察法的MPPT控制策略，并通過計算機進行仿真驗證。與傳統(tǒng)的占空比擾動觀察法相比較，該方法能夠更加快速、準確地跟蹤上太陽能電池的最大功率點。

標簽： MPPT 模糊控制光伏發(fā)電系統(tǒng)

上傳時間： 2014-01-07

上傳用戶：ls530720646
高電源抑制比帶隙基準電路設計

介紹一種高電源抑制比帶隙基準電路的設計與驗證

標簽： 高電源抑制帶隙基準電路設計

上傳時間： 2013-10-08

上傳用戶：642778338
一種高電源抑制比全工藝角低溫漂CMOS基準電壓源

基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設計了一種高電源抑制比，同時可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準電路。首先采用一個具有高電源抑制比的基準電壓，通過電壓放大器放大得到穩(wěn)定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關鍵電阻設置為可調電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數(shù)，以適應不同工藝下負溫度系數(shù)的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時（PSRR）達到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內的不同工藝角下，溫度系數(shù)均可達到5.6×10-6 V/℃以下。

標簽： CMOS 高電源抑制工藝基準電壓源

上傳時間： 2014-12-03

上傳用戶：88mao
開關電源占空比學習實例及全圖

開關電源占空比學習實例及全圖

標簽： 開關電源

上傳時間： 2013-10-08

上傳用戶：wtrl

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