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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

  • eda j i a o c h e n g

    eda j i a o c h e n g

    標簽: eda

    上傳時間: 2013-12-26

    上傳用戶:lyy1234

  • 假定已經有許多應用采用了程序1 - 1 5中所定義的C u r r e n c y類

    假定已經有許多應用采用了程序1 - 1 5中所定義的C u r r e n c y類,現在我們想要對C u r r e n c y類 的描述進行修改,使其應用頻率最高的兩個函數A d d和I n c r e m e n t可以運行得更快,從而提高應 用程序的執行速度。由于用戶僅能通過p u b l i c部分所提供的接口與C u r r e n c y類進行交互,

    標簽: 程序 定義

    上傳時間: 2015-10-11

    上傳用戶:BIBI

  • 兩序列x(n)和y(n)的交叉譜分析

    兩序列x(n)和y(n)的交叉譜分析,ol(0:m)頻率,tl(0:m)周期,px(0:m)是x(n)的連續功率譜,py(0:m)是y(n)的連續功率譜,pxy(0:m)協譜,qxy(0:m)余譜,rxy(0:m)凝聚譜,cxy(0:m)位相差譜,lxy(0:m)滯后時間長度譜,rxy951(0:m)凝聚譜F-檢驗的95%置信上限,rxy952(0:m)凝聚譜Goodman-檢驗的95%置信上限,其中m=[n/2.]。

    標簽: 序列

    上傳時間: 2014-01-12

    上傳用戶:ghostparker

  • 本題采用的計算方法為:主要求解三對角陣方程組得解。采用的計算方法為“追趕法”。 算法思路為:求解方程Ly=d(追)——〉求解Ux=y(趕)

    本題采用的計算方法為:主要求解三對角陣方程組得解。采用的計算方法為“追趕法”。 算法思路為:求解方程Ly=d(追)——〉求解Ux=y(趕)

    標簽: 計算方法 方程 Ly Ux

    上傳時間: 2014-01-09

    上傳用戶:笨小孩

  • 實現:實指數、復指數、不同長度序列求和、y(n)=x(-n)、y(n)=x(n-k)

    實現:實指數、復指數、不同長度序列求和、y(n)=x(-n)、y(n)=x(n-k)

    標簽: n-k 長度 序列

    上傳時間: 2015-11-04

    上傳用戶:lnnn30

  • 用線性緩沖區和間接尋址方法實現FIR濾波器 * *N=5,y(n)=h0*x(n)+h1*x(n-1)+h2*x(n-2)+h3*x(n-3)+h4*x(n-4)

    用線性緩沖區和間接尋址方法實現FIR濾波器 * *N=5,y(n)=h0*x(n)+h1*x(n-1)+h2*x(n-2)+h3*x(n-3)+h4*x(n-4)

    標簽: FIR 線性 濾波器 緩沖區

    上傳時間: 2013-12-01

    上傳用戶:wanghui2438

  • 用線性緩沖區和帶移位雙操作數尋址方法實現FIR濾波器 * *N=5,y(n)=h0*x(n)+h1*x(n-1)+h2*x(n-2)+h3*x(n-3)+h4*x(n-4)*

    用線性緩沖區和帶移位雙操作數尋址方法實現FIR濾波器 * *N=5,y(n)=h0*x(n)+h1*x(n-1)+h2*x(n-2)+h3*x(n-3)+h4*x(n-4)*

    標簽: FIR 線性 移位 操作

    上傳時間: 2016-07-25

    上傳用戶:璇珠官人

  • *用循環緩沖區和雙操作數尋址方法實現FIR濾波器 *N=80,y(n)=h0*x(n)+h1*x(n-1)+...+h78*x(n-78)+h79*x(n-79) *先用matlab

    *用循環緩沖區和雙操作數尋址方法實現FIR濾波器 *N=80,y(n)=h0*x(n)+h1*x(n-1)+...+h78*x(n-78)+h79*x(n-79) *先用matlab,選擇80點漢明窗設計一個截止頻率為0.2pi的低通濾波器

    標簽: matlab 78 79 FIR

    上傳時間: 2016-07-25

    上傳用戶:BOBOniu

  • 無限能量信號,信號x(n)與y(n)的互相關函數

    無限能量信號,信號x(n)與y(n)的互相關函數

    標簽: 信號 能量 函數

    上傳時間: 2019-04-16

    上傳用戶:wc12

  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導體的產品很多,應用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內部的晶片,圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當引發過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發光二極體,其內部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負極的腳上,經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時,晶片會發光而使LED發亮,如圖六所示。     半導體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產品,稱為IC封裝製程,又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

    標簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時間: 2014-01-20

    上傳用戶:蒼山觀海

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