主要介紹場效應管H參數的模型
上傳時間： 2014-01-09
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Abstract: Class D amplifiers are typically very efficient, making them ideal candidates for portable applications that require longbattery life and low thermal dissipation. However, electromagnetic interference (EMI) is an issue that commonly accompanies theClass D switching topology. Active-emissions limiting reduces radiated emissions and enables "filterless" operation, allowingdesigners to create small, efficient portable applications with low EMI.
上傳時間： 2013-11-23
上傳用戶：哈哈hah
下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，非全部原創。包括MOS管的介紹，特性，驅動以及應用電路。
上傳時間： 2013-11-18
上傳用戶：文993
Recent advances in low voltage silicon germaniumand BiCMOS processes have allowed the design andproduction of very high speed amplifi ers. Because theprocesses are low voltage, most of the amplifi er designshave incorporated differential inputs and outputs to regainand maximize total output signal swing. Since many lowvoltageapplications are single-ended, the questions arise,“How can I use a differential I/O amplifi er in a single-endedapplication?” and “What are the implications of suchuse?” This Design Note addresses some of the practicalimplications and demonstrates specifi c single-endedapplications using the 3GHz gain-bandwidth LTC6406differential I/O amplifi er.
上傳時間： 2013-11-23
上傳用戶：rocketrevenge
本次在線座談主要介紹TI的高精度Delta-Sigma A/D轉換器的原理及其應用，Delta-Sigma A/D轉換器在稱重儀器中，大量采用比例測量方法。
標簽： Delta-Sigma 高精度 轉換器
上傳時間： 2013-10-17
上傳用戶：zhqzal1014
2SJ系列場效應管參數大全:
上傳時間： 2013-11-24
上傳用戶：wlcaption
This application note describes a Linear Technology "Half-Flash" A/D converter, the LTC1099, being connected to a 256 element line scan photodiode array. This technology adapts itself to handheld (i.e., low power) bar code readers, as well as high resolution automated machine inspection applications..
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：lchjng
Construction Strategy of ESD Protection CircuitAbstract： The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic conceptions of ESD protection design are presented.Key words：ESD protection/On circuit, ESD design window, ESD current path1 引言靜電放電（ESD，Electrostatic Discharge）給電子器件環境會帶來破壞性的后果。它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發展，互補金屬氧化物半導體（CMOS，Complementary Metal-Oxide Semiconductor）的特征尺寸不斷縮小，金屬氧化物半導體(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的柵氧厚度越來越薄，MOS 管能承受的電流和電壓也越來越小，因此要進一步優化電路的抗ESD 性能，需要從全芯片ESD 保護結構的設計來進行考慮。
標簽： Construction Strategy ESD of
上傳時間： 2013-11-09
上傳用戶：Aidane
三極管代換手冊下載 前言 使用說明 三極管對照表 A B C D E F G H K L M …… 外形與管腳排列圖
上傳時間： 2013-10-24
上傳用戶：zjf3110
運用PROTEL DXP 2004設計的項目“單管放大”視頻教學，完整展現了從原理圖到PCB的過程
上傳時間： 2013-11-25
上傳用戶：龍飛艇
