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半波整流

半波整流是一種利用二極管的單向導通特性來進行整流的常見電路，其作用是將交流電轉換為直流電，也就是整流，因為半波整流后輸出的直流電為脈動直流電，只能用在對電源要求不高的簡單電路中，實際中很少用到。

整流濾波電路設計

電源整流濾波電路設計

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上傳時間： 2013-10-18

上傳用戶：liu123
整流二極管的作用

整流二極管的作用

標簽： 整流二極管

上傳時間： 2013-12-23

上傳用戶：miaochun888
BKZ系列硅整流電源裝置資料

BKZ系列硅整流電源裝置適用于交流50Hz/60 、電Hz 壓500V以下的交流電源改變為直流24V的裝置。

標簽： BKZ 硅整流電源裝置

上傳時間： 2013-12-01

上傳用戶：erkuizhang
電壓源與電流源變頻器研究

交一直一交變頻器的中間直流環節如果是用大電容平波通常稱為電壓源型變頻器。如果分開來稱呼，則其后端逆變器部分叫電壓源逆變器(VSI)，產品GB和IEC標準也是這種稱呼。其前端整流部分對電網而言是— 個諧波源，也就叫電壓型諧波源。與此相對照，交一直一交變頻器的中間直流環節如果用大電感平波就分別稱為電流源型變頻器、電流源逆變器(CSD、電流源型諧波源。之所以要特別區分變頻器為電壓源和電流源兩大類是因為他們的交流輸入電流波形和變頻后輸出的交流電壓和交流電流的波形及性能都有很大的不同。

標簽： 電壓源變頻器電流源

上傳時間： 2013-11-03

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飛利浦綠色電源集成電路選型資料

　　IC 特色 : 　　˙ 半諧振模式之 ZVS零電壓切換 , 能有效降低切換損失 , 提高效率 , 并具展頻功能 , 改善EMI . 　　˙ 輕 / 重載的 Duty Factor 皆在 CCM 與 DCM 邊緣 , 是最能發揮次級 "同步整流" 效率的一種工作模式 . 　　˙ 空載時進入 Cycle Skipping ( Typical 0.3W ) , 有效達成環保規範 . 　　˙ 內建 "LEB前緣遮沒" 功能 , 避免電流迴授失真 . 　　˙ 能隨輸入電壓變化 , 自動補償 OPP過功率保護點 . 　　˙ 精密的 OVP 過壓保護點可自行設定 . 　　˙ 完整的保護功能 : OVP過壓保護 , OCP過流保護 , OPP過載保護 , 　　SWP線圈短路保護 , SCP輸出短路保護 , OTP過溫度保護 .

標簽： 飛利浦綠色電源集成電路選型

上傳時間： 2014-12-24

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高效率正弦波逆變器電路設計

　　現有的逆變器，有方波輸出和正弦波輸出的。方波輸出的逆變器效率高，但對于都是為正弦波電源設計的電器來說，使用總是不放心，雖然可以適用于許多電器，但部分電器就不適用，或用起來電器的指標會變化。正弦波輸出的逆變器就沒有這方面的缺點，卻存在效率低的缺點。為此筆者設計了一款高效率正弦波逆變器，其電路如圖1。

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上傳時間： 2014-04-17

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單相方波逆變器的脈寬設計

　方波逆變器在輸出失真度最小時波形最接近正弦波。采用功率譜分析的方法, 得出了單相方波逆變器諧波失真度最小時的脈寬數值。對于固定脈寬系統, 導通角取21331 rad 時最佳; 對于變脈寬系統, 導通角變化區間兩端失真度相等時, 系統的平均失真最小。該結論在光伏電站控制系統電源的設計中得到了應用與驗證。

標簽： 單相方波逆變器脈寬

上傳時間： 2013-11-29

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直流電源模塊紋波測試方法

直流電源模塊紋波測試方法

標簽： 直流電源模塊測試方法紋波

上傳時間： 2014-09-08

上傳用戶：dysyase
電源紋波噪聲測試方法

今天的電子電路（比如手機、服務器等領域）的切換速度、信號擺率比以前更高，同時芯片的封裝和信號擺幅卻越來越小，對噪聲更加敏感。因此，今天的電路設計者們比以前會更關心電源噪聲的影響。實時示波器是用來進行電源噪聲測量的一種常用工具，但是如果使用方法不對可能會帶來完全錯誤的測量結果，筆者在和用戶交流過程中發現很多用戶的測試方法不盡正確，所以把電源紋波噪聲測試中需要注意的一些問題做一下總結，供大家參考。由于電源噪聲帶寬很寬，所以很多人會選擇示波器做電源噪聲測量。但是不能忽略的是，實時寬帶數字示波器以及其探頭都有其固有的噪聲。如果要測量的噪聲與示波器和探頭的噪聲在相同數量級，那么要進行精確測量將是非常困難的一件事情。

標簽： 電源測試方法紋波噪聲

上傳時間： 2013-11-06

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同步整流技術簡單介紹

同步整流技術簡單介紹大家都知道，對于開關電源，在次級必然要有一個整流輸出的過程。作為整流電路的主要元件，通常用的是整流二極管（利用它的單向導電特性），它可以理解為一種被動式器件：只要有足夠的正向電壓它就開通，而不需要另外的控制電路。但其導通壓降較高，快恢復二極管（FRD）或超快恢復二極管（SRD）可達1.0～1.2V，即使采用低壓降的肖特基二極管（SBD），也會產生大約0.6V的壓降。這個壓降完全是做的無用功，并且整流二極管是一種固定壓降的器件，舉個例子：如有一個管子壓降為0.7V，其整流為12V時它的前端要等效12.7V電壓，損耗占0.7/12.7≈5.5%.而當其為3.3V整流時，損耗為0.7/4（3.3+0.7）≈17.5%?？梢姶祟惼骷诘蛪捍箅娏鞯墓ぷ鳝h境下其損耗是何等地驚人。這就導致電源效率降低，損耗產生的熱能導致整流管進而開關電源的溫度上升、機箱溫度上升--------有時系統運行不穩定、電腦硬件使用壽命急劇縮短都是拜這個高溫所賜。隨著電腦硬件技術的飛速發展，如GeForce 8800GTX顯卡，其12V峰值電流為16.2A。所以必須制造能提供更大輸出電流（如多核F1，四路12V，每路16A；3.3V和5V輸出電流各高達24A）的電源轉換器。而當前世界的能源緊張問題的凸現，為廣大用戶提供更高轉換效率（如多核R80，完全符合80PLUS標準）的電源轉換器就是我們整個開關電源行業的不可回避的社會責任了。如何解決這些問題？尋找更好的整流方式、整流器件。同步整流技術和通態電阻（幾毫歐到十幾毫歐）極低的專用功率MOSFET就是在這個時刻走上開關電源技術發展的歷史舞臺了！作為取代整流二極管以降低整流損耗的一種新器件，功率MOSFET屬于電壓控制型器件，它在導通時的伏安特性呈線性關系。因為用功率MOSFET做整流器時，要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能，故稱之為同步整流。它可以理解為一種主動式器件，必須要在其控制極（柵極）有一定電壓才能允許電流通過，這種復雜的控制要求得到的回報就是極小的電流損耗。在實際應用中，一般在通過20-30A電流時才有0.2-0.3V的壓降損耗。因為其壓降等于電流與通態電阻的乘積，故小電流時，其壓降和恒定壓降的肖特基不同，電流越小壓降越低。這個特性對于改善輕載效率（20%）尤為有效。這在80PLUS產品上已成為一種基本的解決方案了。對于以上提到的兩種整流方案，我們可以通過灌溉農田來理解：肖特基整流管可以看成一條建在泥土上沒有鋪水泥的灌溉用的水道，從源頭下來的水源在中途滲漏了很多，十方水可能只有七、八方到了農田里面。而同步整流技術就如同一條鑲嵌了光滑瓷磚的引水通道，除了一點點被太陽曬掉的損失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于澆灌那些我們日日賴以生存的糧食。我們的多核F1，多核R80，其3.3V整流電路采用了通態電阻僅為0.004歐的功率MOSFET，在通過24A峰值電流時壓降僅為20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作時的3.3V電流為10A，則其壓降損耗僅為10*0.004=0.04V，損耗比例為0.04/4=1%，比之于傳統肖特基加磁放大整流技術17.5%的損耗，其技術的進步已不僅僅是一個量的變化，而可以說是有了一個質的飛躍了。也可以說，我們為用戶修建了一條嚴絲合縫的灌溉電腦配件的供電渠道。

標簽： 同步整流

上傳時間： 2013-10-27

上傳用戶：杏簾在望