COOLMOS_原理結構
看到不少網友對COOLMOS感興趣,把自己收集整理的資料、個人理解發出來,與大家共享。個人理解不一定完全正確,僅供參考。COOLMOS(super junction)原理,與普通VDMOS的差異如下: 對于常規VDMOS器件結構,大家都知道Rdson與BV這一對矛盾關系,要想提高BV,都是從減小EP...
看到不少網友對COOLMOS感興趣,把自己收集整理的資料、個人理解發出來,與大家共享。個人理解不一定完全正確,僅供參考。COOLMOS(super junction)原理,與普通VDMOS的差異如下: 對于常規VDMOS器件結構,大家都知道Rdson與BV這一對矛盾關系,要想提高BV,都是從減小EP...
對于常規VDMOS器件結構, Rdson與BV存在矛盾關系,要想提高BV,都是從減小EPI參雜濃度著手,但是外延層又是正向電流流通的通道,EPI參雜濃度減小了,電阻必然變大,Rdson增大。所以對于普通VDMOS,兩者矛盾不可調和。 但是對于COOLMOS,這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入E...
0歐電阻的作用...
I2C 的上拉電阻可以是1.5K,2.2K,4.7K, 電阻的大小對時序有一定影響,對信號的上升時間和下降時間也有影響,一般接1.5K 或2.2K. ...
軟件 色環電阻計算...