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CoolMos

CoolMos導通電阻分析及與VDMOS的比較

為了克服傳統功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMos 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態時,由于p 型和n 型層中的耗盡區電場產生相互補償效應,使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導通時,這種高濃度的摻雜使器件的導通電阻明顯降低。由于CoolMos 的這種獨特器件結構,使它的電性能優于傳統功率MOS。本文對CoolMos 導通電阻與擊穿電壓關系的理論計算表明,對CoolMos 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關系相比,CoolMos 的導通電阻降低了約兩個數量級。

標簽： CoolMos VDMOS 導通電阻分

上傳時間： 2013-10-21

上傳用戶：1427796291
CoolMos全面認識

Recently a new technology for high voltage Power MOSFETshas been introduced – the CoolMos™ . Based on thenew device concept of charge compensation the RDS(on) areaproduct for e.g. 600V transistors has been reduced by afactor of 5. The devices show no bipolar current contributionlike the well known tail current observed during the turn-offphase of IGBTs. CoolMos™ virtually combines the lowswitching losses of a MOSFET with the on-state losses of anIGBT.

標簽： CoolMos

上傳時間： 2013-11-14

上傳用戶：zhyiroy
CoolMos的原理、結構及制造

對于常規VDMOS器件結構， Rdson與BV存在矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調和。但是對于CoolMos，這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區，大大提高了BV，同時對Rdson上不產生影響。為什么有了這個深入襯底的P區，就能大大提高耐壓呢？對于常規VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區界面的PN結，對于一個PN結，耐壓時主要靠的是耗盡區承受，耗盡區內的電場大小、耗盡區擴展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結耗盡區主要向低參雜一側擴散，所以此結構下，P body區域一側，耗盡區擴展很小，基本對承壓沒有多大貢獻，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側區域，這個區域的電場強度是逐漸變化的，越是靠近PN結面（a圖的A結），電場強度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現梯形。

標簽： CoolMos 制造

上傳時間： 2013-11-11

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新型組合式CoolMos器件在開關電源中的應用研究

　　CoolMos ICE2A165/265/365是Infineon technologies 公司推出的系列PWM+MOSFET二合一芯片，其突出特點是由其組成的開關電源，在市電電網中工作時，無需外加散熱器即可輸出20～50W的輸出功率;且能自動降低空載時的工作頻率，從而降低待機狀態的損耗;同時還具有過、欠壓保護、過熱保護、過流保護以及自恢復功能，因而在中小功率開關電源中有著廣泛的應用前景

標簽： CoolMos 組合式器件中的應用

上傳時間： 2013-10-17

上傳用戶：HGH77P99
CoolMos_原理結構

看到不少網友對CoolMos感興趣，把自己收集整理的資料、個人理解發出來，與大家共享。個人理解不一定完全正確，僅供參考。CoolMos（super junction）原理，與普通VDMOS的差異如下：對于常規VDMOS器件結構，大家都知道Rdson與BV這一對矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson就大了。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是對于CoolMos，這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區，大大提高了BV，同時對Rdson上不產生影響。為什么有了這個深入襯底的P區，就能大大提高耐壓呢？

標簽： CoolMos

上傳時間： 2014-12-23

上傳用戶：標點符號
CoolMos__ICE2A系列的應用研究

由lnfineon Technologies (IT)公司推出的CoolMos ICE2A165／2,65／365系列芯片是PWM+MOSFET二合一芯片，其優點是：用它做開關電源，無需加散熱器，在通用電網即可輸出20～50W 的功率；保護功能齊全；電路結構簡單；能自動降低空載時的工作頻率，從而降低待機狀態的損耗，故在中小功率開關電源中有著廣泛的應用前景。

標簽： CoolMos ICE 應用研究

上傳時間： 2013-11-09

上傳用戶：chenjjer
600V_CoolMos優化設計

CoolMos具有優越的直流特性。為了設計出一個600V CoolMos結構，首先CoolMos的結構人手，結合電荷平衡

標簽： V_CoolMos 600 優化設計

上傳時間： 2013-10-27

上傳用戶：netwolf
你一定需要！2019最新門極驅動選型指南

英飛凌EiceDRIVER門極驅動芯片選型指南2019門極驅動芯片相當于控制信號(數字或模擬控制器)與功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之間的接口。集成的門極驅動解決方案有助于您降低設計復雜度，縮短開發時間，節省用料(BOM)及電路板空間，相較于分立的方式實現的門極驅動解決方案，可提高方案的可靠度。每一個功率器件都需要一個門極驅動，同時每一個門極驅動都需要一個功率器件。英飛凌提供一系列擁有各種結構類型、電壓等級、隔離級別、保護功能和封裝選項的驅動芯片產品。這些靈活的門極驅動芯片是英飛凌分立式器件和模塊——包括硅MOSFET(CoolMos?、OptiMOS?和StrongIRFET?)和碳化硅MOSFET(CoolSiC?)、氮化鎵HEMT(CoolGaN?)，或者作為集成功率模塊的一部分(CIPOS? IPM和iMOTION? smart IPM)——最完美的搭檔。

標簽： 門極驅動

上傳時間： 2022-07-16

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CoolMos

CoolMos導通電阻分析及與VDMOS的比較

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