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基于量子流體動力學(xué)模型的半導(dǎo)體器件模擬

基于量子流體動力學(xué)模型，自主編制程序開發(fā)了半導(dǎo)體器件仿真軟件。其中包括快速、準(zhǔn)確數(shù)值離散方法和準(zhǔn)確的物理模型。基于對同一個(gè)si雙極晶體管的模擬，與商用軟件有近似的仿真結(jié)果。表明量子流體動力學(xué)模型具有可行性，同時(shí)也表明數(shù)值算法和物理模型的正確性。

標(biāo)簽： 量子 流體 動力學(xué)模型 半導(dǎo)體器件

上傳時(shí)間： 2013-10-08

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SDC11153 單相雙極驅(qū)動電路

標(biāo)簽： 11153 SDC 單相 雙極驅(qū)動

上傳時(shí)間： 2013-11-24

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附件里的文件是關(guān)于運(yùn)放的

附件里的文件是關(guān)于運(yùn)放的，從其內(nèi)部結(jié)構(gòu)到各種應(yīng)用都有講述，介紹了雙極集成運(yùn)放，及理想運(yùn)放的線性運(yùn)用等。

標(biāo)簽： 附件 運(yùn)放

上傳時(shí)間： 2017-07-13

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16位恒流LED彩屏驅(qū)動電路

16位恒流LED彩屏驅(qū)動電路，有16個(gè)恒壓源，通過雙極器件給出一個(gè)2-80mA的恒定電流，高效驅(qū)動LED

標(biāo)簽： LED 恒流 彩屏 驅(qū)動電路

上傳時(shí)間： 2013-12-13

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在一個(gè)任意的天線方向圖下

在一個(gè)任意的天線方向圖下，利用遺傳算法使其接近所給的理想天線方向圖。這種方法已經(jīng)在NASA和其他機(jī)構(gòu)中所利用來制造航天器。這些程序是自動生成一個(gè)2.4GHz的微波天線，利用遺傳算法和NEC2模擬工具，來實(shí)現(xiàn)優(yōu)化天線。包括最初級的簡單雙極形天線，在這個(gè)基礎(chǔ)上又設(shè)計(jì)了三維空間中兩部分天線和三維空間中多部分天線。

標(biāo)簽： 天線 方向圖

上傳時(shí)間： 2013-12-30

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UC3842的工作原理應(yīng)用

UC3842是美國Unitrode公司(該公司現(xiàn)已被TI公司收購)生產(chǎn)的一種高性能單端輸出式電流控制型脈寬調(diào)制器芯片，可直接驅(qū)動雙極型晶體管、MOSFEF 和IGBT 等功率型半導(dǎo)體器件，具有管腳數(shù)量少、外圍電路簡單、安裝調(diào)試簡便、性能優(yōu)良等諸多優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、顯示器等系統(tǒng)電路中作開關(guān)電源驅(qū)動器件。

標(biāo)簽： UC3842

上傳時(shí)間： 2016-03-18

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科普知識《電子封裝材料與工藝》 學(xué)習(xí)筆記 54頁

PCB聯(lián)盟網(wǎng)-科普知識--《電子封裝材料與工藝》 學(xué)習(xí)筆記 54頁本人主要從事 IC 封裝化學(xué)材料（電子膠水）工作，為更好的理解 IC 封裝產(chǎn)業(yè)的動態(tài)和技術(shù)，自學(xué)了《電子封裝材料 與工藝》，貌似一本不錯(cuò)的教材，在此總結(jié)出一些個(gè)人的學(xué)習(xí)筆記和大家分享。此筆記原發(fā)在本人的“電子中，有興趣的朋友可以前去查看一起探討第一章 集成電路芯片的發(fā)展與制造  1、原子結(jié)構(gòu)：原子是由高度密集的質(zhì)子和中子組成的原子核以及圍繞它在一定軌道（或能級）上旋 轉(zhuǎn)的荷負(fù)電的電子組成（Neils Bohr 于 1913 年提出）。當(dāng)原子彼此靠近時(shí)，它們之間發(fā)生交互作用 的形成所謂的化學(xué)鍵，化學(xué)鍵可以分成離子鍵、共價(jià)鍵、分子鍵、氫鍵或金屬鍵；  2、真空管（電子管）：  a.真空管問世于 1883 年 Edison（愛迪生）發(fā)明白熾燈時(shí)，1903 年英格蘭的 J.A.Fleming 發(fā)現(xiàn)了真 空管類似極管的作用。在愛迪生的真空管里，燈絲為陰極、金屬板為陽極；  b.當(dāng)電子管含有兩個(gè)電極（陽極和陰極）時(shí)，這種電路被稱為二極管，1906 年美國發(fā)明家 Lee  DeForest 在陰極和陽極之間加入了一個(gè)柵極（一個(gè)精細(xì)的金屬絲網(wǎng)），此為最早的三極管，另外更 多的電極如以致柵極和簾柵極也可以密封在電子管中，以擴(kuò)大電子管的功能；  c.真空管盡管廣泛應(yīng)用于工業(yè)已有半個(gè)多世紀(jì)，但是有很多缺點(diǎn)，包括體積大，產(chǎn)生的熱量大、容 易燒壞而需要頻繁地更換，固態(tài)器件的進(jìn)展消除了真空管的缺點(diǎn)，真空管開始從許多電子產(chǎn)品的使 用中退出；  3、半導(dǎo)體理論：  a.在 IC 芯片制造中使用的典型半導(dǎo)體材料有元素半導(dǎo)體硅、鍺、硒，半導(dǎo)體化合物有砷化鎵（GaAs）、 磷砷化鎵（GaAsP）、磷化銦（InP）；  b.二極管（一個(gè) p-n 結(jié)），當(dāng)結(jié)上為正向偏壓時(shí)可以導(dǎo)通電流，當(dāng)反向偏壓時(shí)則電流停止；  c.結(jié)型雙極晶體管：把兩個(gè)或兩個(gè)以上的 p-n 結(jié)組合成一個(gè)器件，導(dǎo)致了之！

標(biāo)簽： pcb 電子封裝

上傳時(shí)間： 2022-02-06

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一種基于單片機(jī)的變頻電源設(shè)計(jì)

電源正朝著高效率,高穩(wěn)定度,高功率密度,低污染,模塊化發(fā)展。為了滿足輸出電壓和頻率可變的逆變電源的基本指標(biāo),調(diào)制方式上各種新穎的調(diào)制技術(shù)不斷涌現(xiàn),控制上各種適合于不同要求的逆變器的控制方案被提了出來。本設(shè)計(jì)是基于SPWM逆變技術(shù),將由單片機(jī)產(chǎn)生的SPWM波輸出作為絕緣柵雙極晶閘管的驅(qū)動信號,最后通過低通濾波,從而在輸出端得到一個(gè)無失真的正弦信號波形。本文設(shè)計(jì)了一種交流電力頻率轉(zhuǎn)換器(AFC),提高交直流轉(zhuǎn)換器與無功功率控制,其超前相位補(bǔ)償原理是導(dǎo)致減少當(dāng)前控制回路的給定線頻率帶寬的要求。由于這些特性,可使用相對減緩轉(zhuǎn)換功率等設(shè)備,因此它可以用于高電平交流線頻率。

標(biāo)簽： 單片機(jī) 電源

上傳時(shí)間： 2022-03-28

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靜電放電ESD保護(hù)器件的模擬與仿真

靜電放電（Electrostatic Discharge，ESD）是構(gòu)成集成電路可靠性的主要因素之一，存在于生產(chǎn)到使用的每一個(gè)環(huán)節(jié)，并成為開發(fā)新一代工藝技術(shù)的難點(diǎn)之一，近年來，對ESD的研究也因而越來越受到重視，仿真工具在ESD領(lǐng)域的應(yīng)用使得ESD防護(hù)的研究變得更為便利，可大幅縮短研發(fā)周期然而，由于ESD現(xiàn)象復(fù)雜的物理機(jī)制，極端的電場及溫度條件，以及ESD仿真中頻繁的不收斂現(xiàn)象，都使得FSD的仿真變得極為困難本文詳細(xì)闡述了ESD的來源、造成的危害以及如何測試集成電路的防靜電沖擊能力，并基于 Sentaurus軟件，對ESD防護(hù)器件展開了的分析、研究，內(nèi)容包括1）掌握ESD保護(hù)的基本理論、測試方法和防護(hù)機(jī)理2）研究了工藝仿真流程的步驟以及網(wǎng)格定義在工藝仿真中的重要性，并對網(wǎng)格定義的方法進(jìn)行了探討3）硏究了器件仿真流程以及器件仿真中的物理模型和模型函數(shù)，并對描述同一物理機(jī)制的的各種不同模型展開對比分析.主要包括傳輸方程模型、能帶模型、各種遷移率退化模型、雪崩離化模型和復(fù)合模型4）研究了雙極型晶體管和可控硅（Silicon Controlled rectifier，SCR）防護(hù)器件的仿真，并通過對仿真結(jié)果的分析，研究了ESD保護(hù)器件在ESD應(yīng)力作用下的工作機(jī)理關(guān)鍵詞：靜電放電；網(wǎng)格；器件仿真；雙極型晶體管；可控硅

標(biāo)簽： 靜電放電 esd

上傳時(shí)間： 2022-03-30

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PFC技術(shù)詳解

PFC基礎(chǔ)知識-PF的定義1功率因數(shù)（Power Factor）的定義是指輸入有功功率（p）和視在功率（S）的比值；線性電路功率因數(shù)可用Cos表示，為正弦電流與正弦電壓的相位差；但是由于整流電路中二極管的非線性，導(dǎo)致輸入電流為嚴(yán)重的非正弦波形，用cosp已不能表示整流電路的功率因數(shù)；常規(guī)直接整流電路的濾波電容使輸出電壓平滑，但卻使輸入電流變?yōu)榧饷}沖，并產(chǎn)生高次諧波分量。輸入電流波形變，導(dǎo)致功率因數(shù)下降，污染電網(wǎng)，甚至造成電子設(shè)備損壞。引入功率因數(shù)校正是必要的利用功率因數(shù)校正技術(shù)可A/全跟蹤交流輸入電壓波形，流輸入電流波形完使輸入電流波形皇純正弦波，并且與輸入電壓波形相位，，此時(shí)整流器的貨載可等效為純電阻。根據(jù)常用功率因數(shù)校正方法可分為有源功率因數(shù)校正（APFC）技術(shù)與無源功率因數(shù)校正（PPFC）技術(shù)。它置于橋式整流器與濾波用電解電容器之間，實(shí)際上是一種DC-DC變換器。無源功率因數(shù)校正是利用電感和電容組成濾波器，對輸入電容進(jìn)行移相和整形。有源功率因數(shù)校正（APFC：Active Power Factor Correction），在負(fù)載即電力電子裝置本身的整流器和濾波電容之間增加一個(gè)功率變換電路，將整流器的輸入電流校正成為與電網(wǎng)電壓同相位的正弦波，消除了諧波和無功電流，因而將電網(wǎng)功率因數(shù)提高到近似為1.APFC電路常用拓?fù)洌荷龎菏剑˙oost）降壓式（Buck）升/降壓式（Buck/Boost）反激式（Fly back）APFC電路形式：單極式 雙極式單相PFC 三相PFCBoost變換電路是有源功率因數(shù)校正器主回路拓?fù)涞臉O好選擇。優(yōu)點(diǎn)：輸入電流連續(xù)，因而產(chǎn)生低的傳導(dǎo)噪聲和最好的輸入電流波形；缺點(diǎn)：需要比輸入峰值電壓還要高的輸出電壓。

標(biāo)簽： pfc

上傳時(shí)間： 2022-05-28

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