<li id="qc86s"></li> EMC國家標(biāo)準(zhǔn)GBT17626.1-1998 EMC國家標(biāo)準(zhǔn)GBT17626.1-1998
上傳時(shí)間： 2021-12-14
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軍用電子設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)及可靠性試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)，常用規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)！！
標(biāo)簽： 環(huán)境可靠性
上傳時(shí)間： 2022-01-20
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該文檔為大功率半導(dǎo)體激光器的可靠性研究.講解文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………
標(biāo)簽： 大功率 半導(dǎo)體激光器
上傳時(shí)間： 2022-01-29
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中國國防科學(xué)技術(shù)報(bào)告通過研究美國海軍質(zhì)量和可靠性標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)的發(fā)展動(dòng)態(tài)，其中特別針對從上世紀(jì)九十年 代開始的美國國防部改革軍用標(biāo)準(zhǔn)行動(dòng)中提出的以最大限度地減少對軍用規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)的 依賴，更多地采用民用規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)，以達(dá)到充分利用工業(yè)和民用先進(jìn)技術(shù)的理念和實(shí)踐研 究對我軍深入開展質(zhì)量和可靠性工作具有重要的指導(dǎo)和借鑒意義。更快、更好和更省的市 場需求將促使我軍的質(zhì)量和可靠性標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)向著綜合化、實(shí)用化、信息化、仿真化、智能 化、微觀化和軍民兩用化發(fā)展。研究報(bào)告反映的我軍在完善管理體系、健全法規(guī)體系和建 立技術(shù)體系三個(gè)方面必須響應(yīng)的對策充分結(jié)合了我軍裝備的發(fā)展現(xiàn)狀和需求。可靠性作為一個(gè)性能參數(shù)如果不與 維修性、保障性、性能、使用可用性等其他參數(shù)聯(lián)系起來是沒有意義的。研究得出的可靠 性工程中應(yīng)用的 FMECA、FTA、FLSIP、TIGER、ACIM、RBS 模型的特點(diǎn)和相互關(guān)系可 為我軍有效的利用并具有一定的創(chuàng)新性。“基于性能的后勤“和“基于狀態(tài)的維修“可適 應(yīng)新的作戰(zhàn)環(huán)境和作戰(zhàn)樣式對裝備保障的要求，減少保障負(fù)擔(dān)，均衡經(jīng)濟(jì)可承受性，提高 裝備保障效率和裝備的完好性。
標(biāo)簽： 可靠性標(biāo)準(zhǔn)
上傳時(shí)間： 2022-02-21
上傳用戶：fliang
該文檔為軟件可靠性設(shè)計(jì)與分析總結(jié)文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………
標(biāo)簽： 軟件可靠性設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2022-03-23
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目前cPU+ Memory等系統(tǒng)集成的多芯片系統(tǒng)級(jí)封裝已經(jīng)成為3DSiP（3 Dimension System in Package，三維系統(tǒng)級(jí)封裝）的主流，非常具有代表性和市場前景，SiP作為將不同種類的元件，通過不同技術(shù)，混載于同一封裝內(nèi)的一種系統(tǒng)集成封裝形式，不僅可搭載不同類型的芯片，還可以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的功能。然而，其封裝具有更高密度和更大的發(fā)熱密度和熱阻，對封裝技術(shù)具有更大的挑戰(zhàn)。因此，對SiP封裝的工藝流程和SiP封裝中的濕熱分布及它們對可靠性影響的研究有著十分重要的意義本課題是在數(shù)字電視（DTV）接收端子系統(tǒng)模塊設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上對CPU和DDR芯片進(jìn)行芯片堆疊的SiP封裝。封裝形式選擇了適用于小型化的BGA封裝，結(jié)構(gòu)上采用CPU和DDR兩芯片堆疊的3D結(jié)構(gòu)，以引線鍵合的方式為互連，實(shí)現(xiàn)小型化系統(tǒng)級(jí)封裝。本文研究該SP封裝中芯片粘貼工藝及其可靠性，利用不導(dǎo)電膠將CPU和DDR芯片進(jìn)行了堆疊貼片，分析總結(jié)了SiP封裝堆疊貼片工藝最為關(guān)鍵的是涂布材料不導(dǎo)電膠的體積和施加在芯片上作用力大小，對制成的樣品進(jìn)行了高溫高濕試驗(yàn)，分析濕氣對SiP封裝的可靠性的影響。論文利用有限元軟件 Abaqus對SiP封裝進(jìn)行了建模，模型包括熱應(yīng)力和濕氣擴(kuò)散模型。模擬分析了封裝體在溫度循環(huán)條件下，受到的應(yīng)力、應(yīng)變、以及可能出現(xiàn)的失效形式：比較了相同的熱載荷條件下，改變塑封料、粘結(jié)層的材料屬性，如楊氏模量、熱膨脹系數(shù)以及芯片、粘結(jié)層的厚度等對封裝體應(yīng)力應(yīng)變的影響。并對封裝進(jìn)行了濕氣吸附分析，研究了SiP封裝在85℃RH85%環(huán)境下吸濕5h、17h、55和168h后的相對濕度分布情況，還對SiP封裝在濕熱環(huán)境下可能產(chǎn)生的可靠性問題進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究。在經(jīng)過168小時(shí)濕氣預(yù)處理后，封裝外部的基板和模塑料基本上達(dá)到飽和。模擬結(jié)果表明濕應(yīng)力同樣對封裝的可靠性會(huì)產(chǎn)生重要影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果也證實(shí)了，SiP封裝在濕氣環(huán)境下引入的濕應(yīng)力對可靠性有著重要影響。論文還利用有限元分析方法對超薄多芯片SiP封裝進(jìn)行了建模，對其在溫度循環(huán)條件下的應(yīng)力、應(yīng)變以及可能的失效形式進(jìn)行了分析。采用二水平正交試驗(yàn)設(shè)計(jì)的方法研究四層芯片、四層粘結(jié)薄膜、塑封料等9個(gè)封裝組件的厚度變化對芯片上最大應(yīng)力的影響，從而找到最主要的影響因子進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，最終得到更優(yōu)化的四層芯片疊層SiP封裝結(jié)構(gòu)。
標(biāo)簽： sip封裝
上傳時(shí)間： 2022-04-08
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電子產(chǎn)品的工藝,結(jié)構(gòu)與可靠性分析，理論實(shí)踐相結(jié)合
標(biāo)簽： 電子產(chǎn)品
上傳時(shí)間： 2022-04-11
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國軍標(biāo) 裝備可靠性通用要求里面包含所有的文字及檔案
標(biāo)簽： 裝備可靠性
上傳時(shí)間： 2022-05-03
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標(biāo)簽： plc
上傳時(shí)間： 2022-05-06
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標(biāo)簽： plc
上傳時(shí)間： 2022-05-08
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