目前cPU+ Memory等系統(tǒng)集成的多芯片系統(tǒng)級封裝已經(jīng)成為3DSiP（3 Dimension System in Package，三維系統(tǒng)級封裝）的主流，非常具有代表性和市場前景，SiP作為將不同種類的元件，通過不同技術(shù)，混載于同一封裝內(nèi)的一種系統(tǒng)集成封裝形式，不僅可搭載不同類型的芯片，還可以實現(xiàn)系統(tǒng)的功能。然而，其封裝具有更高密度和更大的發(fā)熱密度和熱阻，對封裝技術(shù)具有更大的挑戰(zhàn)。因此，對SiP封裝的工藝流程和SiP封裝中的濕熱分布及它們對可靠性影響的研究有著十分重要的意義本課題是在數(shù)字電視（DTV）接收端子系統(tǒng)模塊設(shè)計的基礎(chǔ)上對CPU和DDR芯片進行芯片堆疊的SiP封裝。封裝形式選擇了適用于小型化的BGA封裝，結(jié)構(gòu)上采用CPU和DDR兩芯片堆疊的3D結(jié)構(gòu)，以引線鍵合的方式為互連，實現(xiàn)小型化系統(tǒng)級封裝。本文研究該SP封裝中芯片粘貼工藝及其可靠性，利用不導(dǎo)電膠將CPU和DDR芯片進行了堆疊貼片，分析總結(jié)了SiP封裝堆疊貼片工藝最為關(guān)鍵的是涂布材料不導(dǎo)電膠的體積和施加在芯片上作用力大小，對制成的樣品進行了高溫高濕試驗，分析濕氣對SiP封裝的可靠性的影響。論文利用有限元軟件 Abaqus對SiP封裝進行了建模，模型包括熱應(yīng)力和濕氣擴散模型。模擬分析了封裝體在溫度循環(huán)條件下，受到的應(yīng)力、應(yīng)變、以及可能出現(xiàn)的失效形式：比較了相同的熱載荷條件下，改變塑封料、粘結(jié)層的材料屬性，如楊氏模量、熱膨脹系數(shù)以及芯片、粘結(jié)層的厚度等對封裝體應(yīng)力應(yīng)變的影響。并對封裝進行了濕氣吸附分析，研究了SiP封裝在85℃RH85%環(huán)境下吸濕5h、17h、55和168h后的相對濕度分布情況，還對SiP封裝在濕熱環(huán)境下可能產(chǎn)生的可靠性問題進行了實驗研究。在經(jīng)過168小時濕氣預(yù)處理后，封裝外部的基板和模塑料基本上達到飽和。模擬結(jié)果表明濕應(yīng)力同樣對封裝的可靠性會產(chǎn)生重要影響。實驗結(jié)果也證實了，SiP封裝在濕氣環(huán)境下引入的濕應(yīng)力對可靠性有著重要影響。論文還利用有限元分析方法對超薄多芯片SiP封裝進行了建模，對其在溫度循環(huán)條件下的應(yīng)力、應(yīng)變以及可能的失效形式進行了分析。采用二水平正交試驗設(shè)計的方法研究四層芯片、四層粘結(jié)薄膜、塑封料等9個封裝組件的厚度變化對芯片上最大應(yīng)力的影響，從而找到最主要的影響因子進行優(yōu)化設(shè)計，最終得到更優(yōu)化的四層芯片疊層SiP封裝結(jié)構(gòu)。
標簽： sip封裝
上傳時間： 2022-04-08
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電子產(chǎn)品的工藝,結(jié)構(gòu)與可靠性分析，理論實踐相結(jié)合
標簽： 電子產(chǎn)品
上傳時間： 2022-04-11
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國軍標 裝備可靠性通用要求里面包含所有的文字及檔案
標簽： 裝備可靠性
上傳時間： 2022-05-03
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該文檔為PLC控制系統(tǒng)的可靠性分析及設(shè)計總結(jié)文檔，是一份很不錯的參考資料，具有較高參考價值，感興趣的可以下載看看………………
標簽： plc
上傳時間： 2022-05-06
上傳用戶：fliang
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標簽： plc
上傳時間： 2022-05-08
上傳用戶：kent
系統(tǒng)可靠性設(shè)計分析教程 曾聲奎 北航 P274
標簽： 系統(tǒng)可靠性
上傳時間： 2022-05-08
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電子設(shè)備可靠性鑒定和驗收試驗標準，希望能幫到有需要的小伙伴。
標簽： 可靠性鑒定
上傳時間： 2022-05-23
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GJB 1909A-2009 裝備可靠性維修性保障性要求論證
標簽： 裝備可靠性
上傳時間： 2022-07-04
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軍用產(chǎn)品研制技術(shù)文件編寫范例 范例27 可靠性維修性測試性保障性安全性評估報告 23P 8.8M.pdf
標簽： 軍用產(chǎn)品研制
上傳時間： 2022-07-22
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電子元器件抗ESD技術(shù)講義:引 言 4 第1 章 電子元器件抗ESD損傷的基礎(chǔ)知識 5 1.1 靜電和靜電放電的定義和特點 5 1.2 對靜電認識的發(fā)展歷史 6 1.3 靜電的產(chǎn)生 6 1.3.1 摩擦產(chǎn)生靜電 7 1.3.2 感應(yīng)產(chǎn)生靜電 8 1.3.3 靜電荷 8 1.3.4 靜電勢 8 1.3.5 影響靜電產(chǎn)生和大小的因素 9 1.4 靜電的來源 10 1.4.1 人體靜電 10 1.4.2 儀器和設(shè)備的靜電 11 1.4.3 器件本身的靜電 11 1.4.4 其它靜電來源 12 1.5 靜電放電的三種模式 12 1.5.1 帶電人體的放電模式(HBM) 12 1.5.2 帶電機器的放電模式（MM） 13 1.5.3 充電器件的放電模型 13 1.6 靜電放電失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效機理 15 第2章 制造過程的防靜電損傷技術(shù) 2.1 靜電防護的作用和意義 2.1.1 多數(shù)電子元器件是靜電敏感器件 2.1.2 靜電對電子行業(yè)造成的損失很大 2.1.3 國內(nèi)外企業(yè)的狀況 2.2 靜電對電子產(chǎn)品的損害 2.2.1 靜電損害的形式 2.2.2 靜電損害的特點 2.2.3 可能產(chǎn)生靜電損害的制造過程 2.3 靜電防護的目的和總的原則 2.3.1 目的和原則 2.3.2 基本思路和技術(shù)途徑 2.4 靜電防護材料 2.4.1 與靜電防護材料有關(guān)的基本概念 2.4.2 靜電防護材料的主要參數(shù) 2.5 靜電防護器材 2.5.1 防靜電材料的制品 2.5.2 靜電消除器（消電器、電中和器或離子平衡器） 2.6 靜電防護的具體措施 2.6.1 建立靜電安全工作區(qū) 2.6.2 包裝、運送和存儲工程的防靜電措施 2.6.3 靜電檢測 2.6.4 靜電防護的管理工作 第3章 抗靜電檢測及分析技術(shù) 3.1 抗靜電檢測的作用和意義 3.2 靜電放電的標準波形 3.3 抗ESD檢測標準 3.3.1 電子元器件靜電放電靈敏度（ESDS）檢測及分類的常用標準 3.3.2 標準試驗方法的主要內(nèi)容（以MIL-STD-883E 方法3015.7為例） 3.4 實際ESD檢測的結(jié)果統(tǒng)計及分析 3.4.1 試驗條件 3.4.2 ESD評價試驗結(jié)果分析 3.5 關(guān)于ESD檢測中經(jīng)常遇到的一些問題 3.6 ESD損傷的失效定位分析技術(shù) 3.6.1 端口I－V特性檢測 3.6.2 光學(xué)顯微觀察 3.6.3 掃描電鏡分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光輻射顯微分析技術(shù) 3.6.6 分層剝離技術(shù) 3.6.7 小結(jié) 3.7 ESD和EOS的判別方法討論 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS對器件損傷的分析判別方法 第4 章 電子元器件抗ESD設(shè)計技術(shù) 4.1 元器件抗ESD設(shè)計基礎(chǔ) 4.1.1抗ESD過電流熱失效設(shè)計基礎(chǔ) 4.1.2抗場感應(yīng)ESD失效設(shè)計基礎(chǔ) 4.2元器件基本抗ESD保護電路 4.2.1基本抗靜電保護電路 4.2.2對抗靜電保護電路的基本要求 4.2.3 混合電路抗靜電保護電路的考慮 4.2.4防靜電保護元器件 4.3 CMOS電路ESD失效模式和機理 4.4 CMOS電路ESD可靠性設(shè)計策略 4.4.1 設(shè)計保護電路轉(zhuǎn)移ESD大電流。 4.4.2 使輸入/輸出晶體管自身的ESD閾值達到最大。 4.5 CMOS電路基本ESD保護電路的設(shè)計 4.5.1 基本ESD保護電路單元 4.5.2 CMOS電路基本ESD保護電路 4.5.3 ESD設(shè)計的輔助工具－TLP測試 4.5.4 CMOS電路ESD保護設(shè)計方法 4.5.5 CMOS電路ESD保護電路示例 4.6 工藝控制和管理
上傳時間： 2013-07-13
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