從并網(wǎng)逆變器主電路和同步發(fā)電機(jī)等效電路的對(duì)應(yīng)關(guān)系出發(fā)，提出模擬同步發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子的運(yùn)動(dòng)方程、有功－頻率下垂特性與無(wú)功－電壓下垂特性的虛擬同步發(fā)電機(jī)（ＶＳＧ）外環(huán)控制策略。 引入虛擬阻抗模擬同步發(fā)電機(jī)定子電氣方程的電壓環(huán)，和基于準(zhǔn)比例諧振控制器的電流環(huán)共同構(gòu)成應(yīng)用于儲(chǔ)能系統(tǒng)并網(wǎng)逆變器的ＶＳＧ 控制策略。 建立應(yīng)用于儲(chǔ)能系統(tǒng)并網(wǎng)逆變器的 ＶＳＧ 動(dòng)態(tài)小信號(hào)模型，分析其參與電網(wǎng)需求響應(yīng)的機(jī)理。 推導(dǎo)得出 ＶＳＧ 參與電網(wǎng)調(diào)壓／ 調(diào)頻需求響應(yīng)的動(dòng)態(tài)模型，為研究電網(wǎng)電壓／ 頻率波動(dòng)時(shí) ＶＳＧ 無(wú)功／ 有功輸出特性提供依據(jù)；進(jìn)而在保證有功環(huán)、無(wú)功環(huán)的穩(wěn)定性與調(diào)壓／ 調(diào)頻動(dòng)態(tài)性能的條件下，總結(jié)得到 ＶＳＧ 關(guān)鍵參數(shù)的整定方法。 最后通過(guò)仿真與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了所提 ＶＳＧ 參與電網(wǎng)調(diào)壓／ 調(diào)頻動(dòng)態(tài)模型的正確性與參數(shù)整定方法的有效性。
標(biāo)簽： VSG 儲(chǔ)能系統(tǒng) 并網(wǎng)逆變器
上傳時(shí)間： 2022-07-04
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軍用產(chǎn)品研制技術(shù)文件編寫(xiě)范例 范例27 可靠性維修性測(cè)試性保障性安全性評(píng)估報(bào)告 23P 8.8M.pdf
標(biāo)簽： 軍用產(chǎn)品研制
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基于MATLAB／Simulink環(huán)境下的PID參數(shù)整定
標(biāo)簽： matlab simulink pid參數(shù)
上傳時(shí)間： 2022-07-24
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關(guān)于pid參數(shù)整定有效理解和計(jì)算對(duì)于新手有很大幫助
標(biāo)簽： 自動(dòng)調(diào)節(jié)系統(tǒng) PID參數(shù)整定
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該文檔為基于STC單片機(jī)智能PID模糊自整定溫度調(diào)節(jié)器總結(jié)文檔，是一份不錯(cuò)的參考資料，感興趣的可以下載看看，，，，，，，，，，，，，，，，，
標(biāo)簽： stc單片機(jī) pid 溫度調(diào)節(jié)器
上傳時(shí)間： 2022-07-29
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電子元器件抗ESD技術(shù)講義:引 言 4 第1 章 電子元器件抗ESD損傷的基礎(chǔ)知識(shí) 5 1.1 靜電和靜電放電的定義和特點(diǎn) 5 1.2 對(duì)靜電認(rèn)識(shí)的發(fā)展歷史 6 1.3 靜電的產(chǎn)生 6 1.3.1 摩擦產(chǎn)生靜電 7 1.3.2 感應(yīng)產(chǎn)生靜電 8 1.3.3 靜電荷 8 1.3.4 靜電勢(shì) 8 1.3.5 影響靜電產(chǎn)生和大小的因素 9 1.4 靜電的來(lái)源 10 1.4.1 人體靜電 10 1.4.2 儀器和設(shè)備的靜電 11 1.4.3 器件本身的靜電 11 1.4.4 其它靜電來(lái)源 12 1.5 靜電放電的三種模式 12 1.5.1 帶電人體的放電模式(HBM) 12 1.5.2 帶電機(jī)器的放電模式（MM） 13 1.5.3 充電器件的放電模型 13 1.6 靜電放電失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效機(jī)理 15 第2章 制造過(guò)程的防靜電損傷技術(shù) 2.1 靜電防護(hù)的作用和意義 2.1.1 多數(shù)電子元器件是靜電敏感器件 2.1.2 靜電對(duì)電子行業(yè)造成的損失很大 2.1.3 國(guó)內(nèi)外企業(yè)的狀況 2.2 靜電對(duì)電子產(chǎn)品的損害 2.2.1 靜電損害的形式 2.2.2 靜電損害的特點(diǎn) 2.2.3 可能產(chǎn)生靜電損害的制造過(guò)程 2.3 靜電防護(hù)的目的和總的原則 2.3.1 目的和原則 2.3.2 基本思路和技術(shù)途徑 2.4 靜電防護(hù)材料 2.4.1 與靜電防護(hù)材料有關(guān)的基本概念 2.4.2 靜電防護(hù)材料的主要參數(shù) 2.5 靜電防護(hù)器材 2.5.1 防靜電材料的制品 2.5.2 靜電消除器（消電器、電中和器或離子平衡器） 2.6 靜電防護(hù)的具體措施 2.6.1 建立靜電安全工作區(qū) 2.6.2 包裝、運(yùn)送和存儲(chǔ)工程的防靜電措施 2.6.3 靜電檢測(cè) 2.6.4 靜電防護(hù)的管理工作 第3章 抗靜電檢測(cè)及分析技術(shù) 3.1 抗靜電檢測(cè)的作用和意義 3.2 靜電放電的標(biāo)準(zhǔn)波形 3.3 抗ESD檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn) 3.3.1 電子元器件靜電放電靈敏度（ESDS）檢測(cè)及分類(lèi)的常用標(biāo)準(zhǔn) 3.3.2 標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法的主要內(nèi)容（以MIL-STD-883E 方法3015.7為例） 3.4 實(shí)際ESD檢測(cè)的結(jié)果統(tǒng)計(jì)及分析 3.4.1 試驗(yàn)條件 3.4.2 ESD評(píng)價(jià)試驗(yàn)結(jié)果分析 3.5 關(guān)于ESD檢測(cè)中經(jīng)常遇到的一些問(wèn)題 3.6 ESD損傷的失效定位分析技術(shù) 3.6.1 端口I－V特性檢測(cè) 3.6.2 光學(xué)顯微觀察 3.6.3 掃描電鏡分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光輻射顯微分析技術(shù) 3.6.6 分層剝離技術(shù) 3.6.7 小結(jié) 3.7 ESD和EOS的判別方法討論 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS對(duì)器件損傷的分析判別方法 第4 章 電子元器件抗ESD設(shè)計(jì)技術(shù) 4.1 元器件抗ESD設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 4.1.1抗ESD過(guò)電流熱失效設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 4.1.2抗場(chǎng)感應(yīng)ESD失效設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 4.2元器件基本抗ESD保護(hù)電路 4.2.1基本抗靜電保護(hù)電路 4.2.2對(duì)抗靜電保護(hù)電路的基本要求 4.2.3 混合電路抗靜電保護(hù)電路的考慮 4.2.4防靜電保護(hù)元器件 4.3 CMOS電路ESD失效模式和機(jī)理 4.4 CMOS電路ESD可靠性設(shè)計(jì)策略 4.4.1 設(shè)計(jì)保護(hù)電路轉(zhuǎn)移ESD大電流。 4.4.2 使輸入/輸出晶體管自身的ESD閾值達(dá)到最大。 4.5 CMOS電路基本ESD保護(hù)電路的設(shè)計(jì) 4.5.1 基本ESD保護(hù)電路單元 4.5.2 CMOS電路基本ESD保護(hù)電路 4.5.3 ESD設(shè)計(jì)的輔助工具－TLP測(cè)試 4.5.4 CMOS電路ESD保護(hù)設(shè)計(jì)方法 4.5.5 CMOS電路ESD保護(hù)電路示例 4.6 工藝控制和管理
上傳時(shí)間： 2013-07-13
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專(zhuān)輯類(lèi)-電子工藝-質(zhì)量及可靠性相關(guān)專(zhuān)輯-80冊(cè)-9020M 華為EMC資料-94頁(yè)-2.5M.PDF
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