共模電感在日常生活中最常見(jiàn)的就是計(jì)算機(jī)應(yīng)用中，計(jì)算機(jī)內(nèi)部的主板上混合了各種高頻電路、數(shù)字電路和模擬電路，它們工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量高頻電磁波互相干擾，這就是EMI。EMI還會(huì)通過(guò)主板布線或外接線纜向外發(fā)射，造成電磁輻射污染，不但影響其他的電子設(shè)備正常工作，還對(duì)人體有害。
上傳時(shí)間： 2013-10-08
上傳用戶：Bunyan
本文介紹了Flat— Cell結(jié)構(gòu)和采用Flat— Cell技術(shù)的ROM設(shè)計(jì)方法。包括Flat—Cell的工藝技術(shù)、Flat—Cell基本電路結(jié)構(gòu)和ROM 放大器電路。
標(biāo)簽： FlatP_Cell ROM 分
上傳時(shí)間： 2013-11-15
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手機(jī)和mp3充電器原理與維修
上傳時(shí)間： 2014-11-26
上傳用戶：ryb
采用三維泊松方程和二維薛定諤方程自洽求解方法,建立量子點(diǎn)接觸器件（QPC）內(nèi)的電勢(shì)分布和二維電子氣層的電子密度分布的準(zhǔn)三維模型及模擬方法,并將模擬結(jié)果與傳統(tǒng)的Buttiker鞍型電勢(shì)分布進(jìn)行比較。
標(biāo)簽： 量子點(diǎn) 接觸器 電勢(shì) 數(shù)值
上傳時(shí)間： 2013-10-18
上傳用戶：ZOULIN58
本文介紹了O P207 雙極運(yùn)算放大器的60CoC射線、不同能量電子和質(zhì)子的輻照試驗(yàn)以及60CoC和電子輻射損傷在室溫和100℃高溫條件下的退火效應(yīng), 揭示了雙極運(yùn)算放大器電參數(shù)對(duì)不同射線的輻照響應(yīng)規(guī)律; 研究了不同輻射源對(duì)雙極運(yùn)算放大器的不同輻射損傷機(jī)理; 并對(duì)質(zhì)子輻照損傷程度與能量的依賴關(guān)系以及質(zhì)子輻照損傷同60CoC和電子輻照損傷的差異進(jìn)了探討. 結(jié)果表明, 界面態(tài)的產(chǎn)生是60CoC和電子輻照損傷的主要原因, 而位移效應(yīng)造成的體損傷在質(zhì)子輻照效應(yīng)中占有重要地位.
標(biāo)簽： 雙極 運(yùn)算放大器 輻射效應(yīng)
上傳時(shí)間： 2013-11-12
上傳用戶：gououo
在無(wú)線通信系統(tǒng)全面進(jìn)入3G并開(kāi)始邁向 4G的過(guò)程中，使用數(shù)字預(yù)失真技術(shù)（Digital Pre-distortion，以下簡(jiǎn)稱DPD）對(duì)發(fā)射機(jī)的功放進(jìn)行線性化是一門(mén)關(guān)鍵技術(shù)。功率放大器是通信系統(tǒng)中影響系統(tǒng)性能和覆蓋范圍的關(guān)鍵部件，非線性是功放的固有特性。非線性會(huì)引起頻譜增長(zhǎng)(spectral re-growth)，從而造成鄰道干擾，使帶外雜散達(dá)不到協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的要求。非線性也會(huì)造成帶內(nèi)失真，帶來(lái)系統(tǒng)誤碼率增大的問(wèn)題。
標(biāo)簽： DPD 數(shù)字預(yù)失真 算法 驗(yàn)證方案
上傳時(shí)間： 2013-10-19
上傳用戶：yy_cn
各研究機(jī)構(gòu)提出了像素補(bǔ)償電路用于改善OLED的均勻性和穩(wěn)定性等問(wèn)題,文中對(duì)目前采用有源OLED的α-Si TFT和p-Si TFT的各種像素補(bǔ)償電路進(jìn)行了分析。分析結(jié)果表明,文中設(shè)計(jì)方案取得了一定的效果,但尚存不足。
標(biāo)簽： AMOLED TFT 穩(wěn)定性 像素
上傳時(shí)間： 2013-11-21
上傳用戶：pioneer_lvbo
本教程旨在考察標(biāo)定運(yùn)算放大器的增益和帶寬的常用方法。需要指出的是，本討論適用于電壓反饋(VFB)型運(yùn)算放大器——電流反饋(CFB)型運(yùn)算放大器將在以后的教程(MT-034)中討論。
標(biāo)簽： 電壓反饋 增益 帶寬 運(yùn)算放大器
上傳時(shí)間： 2013-11-15
上傳用戶：大三三
本文介紹了一種基于SAA7113H 和HTV110 芯片的將模擬視頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為VGA 信號(hào)的電路，并給出了硬件連接圖和部分程序初始化設(shè)置值。
上傳時(shí)間： 2013-11-08
上傳用戶：linlin
MOS關(guān)模型 Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門(mén)電極的重疊，第二是耗盡區(qū)電容（非線性）。等效的Cgd電容是一個(gè)Vds電壓的函數(shù)。Cds：也是非線性的電容，它是體二極管的結(jié)電容，也是和電壓相關(guān)的。這些電容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss決定的。由于Cgd同時(shí)在輸入和輸出，因此等效值由于Vds電壓要比原來(lái)大很多，這個(gè)稱為米勒效應(yīng)。由于SPEC上面的值按照特定的條件下測(cè)試得到的，我們?cè)趯?shí)際應(yīng)用的時(shí)候需要修改Cgd的值。
標(biāo)簽： MOS 驅(qū)動(dòng) 功耗計(jì)算
上傳時(shí)間： 2013-12-09
上傳用戶：qlpqlq
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