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地線設(shè)(shè)計(jì)

  • 開關(guān)電源設(shè)計(jì)與開發(fā)

    開關(guān)電源設(shè)計(jì)與開發(fā) 資料

    標(biāo)簽： 開關(guān)電源設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間： 2014-12-24

    上傳用戶：38553903210

  • 使用簡(jiǎn)易閂鎖電路保護(hù)電源

    設(shè)計(jì)時(shí)需要過(guò)一款簡(jiǎn)單、低成本的閂鎖電路 (latch circuit) ？圖一顯示的就是這樣一款電路，基本上是一個(gè)可控矽整流器(SCR)，結(jié)合了一些離散組件，只需低成本的元件便可以提供電源故障保護(hù)。

    標(biāo)簽： 閂鎖電路 保護(hù)電源

    上傳時(shí)間： 2013-11-11

    上傳用戶：zq70996813

  • 可替代整合型MOSFET的獨(dú)立元件

    在電源設(shè)計(jì)中，工程人員時(shí)常會(huì)面臨控制 IC 驅(qū)動(dòng)電流不足的問(wèn)題，或者因?yàn)殚l極驅(qū)動(dòng)損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過(guò)大。為解決這些問(wèn)題，工程人員通常會(huì)採(cǎi)用外部驅(qū)動(dòng)器。目前許多半導(dǎo)體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動(dòng)器解決方案，但因?yàn)槌杀究剂浚こ處熗鶗?huì)選擇比較低價(jià)的獨(dú)立元件。

    標(biāo)簽： MOSFET 獨(dú)立元件

    上傳時(shí)間： 2013-11-19

    上傳用戶：阿譚電器工作室

  • PCB數(shù)字地和模擬地

    PCB數(shù)字地和模擬地

    標(biāo)簽： PCB 數(shù)字地 模擬

    上傳時(shí)間： 2013-10-26

    上傳用戶：許小華

  • 關(guān)于數(shù)字地與模擬地的隔離問(wèn)題

    關(guān)于數(shù)字地與模擬地的隔離問(wèn)題

    標(biāo)簽： 數(shù)字地 模擬 隔離

    上傳時(shí)間： 2013-11-16

    上傳用戶：tangsiyun

  • 開關(guān)電源設(shè)計(jì)實(shí)例和開關(guān)電源調(diào)試基礎(chǔ)

    開關(guān)電源設(shè)計(jì)資料

    標(biāo)簽： 開關(guān)電源 設(shè)計(jì)實(shí)例 調(diào)試

    上傳時(shí)間： 2013-11-08

    上傳用戶：李哈哈哈

  • 單相接地故障電壓

    單相接地故障電壓分析

    標(biāo)簽： 單相 接地故障 電壓

    上傳時(shí)間： 2014-12-24

    上傳用戶：chaisz

  • 小電流接地系統(tǒng)單相接地故障及選線

    闡述了接地故障的判別方法及對(duì)策,并在此基礎(chǔ)上研究了小電流接地系統(tǒng)單相接地的選線方案。實(shí)驗(yàn)證明,該系統(tǒng)可準(zhǔn)確地對(duì)單項(xiàng)接地故障進(jìn)行確認(rèn)并報(bào)警。

    標(biāo)簽： 小電流 單相 接地系統(tǒng) 接地故障

    上傳時(shí)間： 2014-12-24

    上傳用戶：alan-ee

  • 雷地通電源防雷器ESP415M2，ESP415M4

    1、殘壓低：在8/20US波形、3KA沖擊電流測(cè)試，殘壓低于700v。2、全保護(hù)模式，具有相對(duì)中、相對(duì)地、中對(duì)地全方位保護(hù)。3、設(shè)計(jì)壽命長(zhǎng)，可達(dá)20年，高級(jí)的失效前告警，環(huán)境溫度范圍寬，具有正常才華故障顯示，適合各種環(huán)境使用，便于維護(hù)。4、工作電壓寬，最高可達(dá)562V，特別適合電網(wǎng)不穩(wěn)定的現(xiàn)狀。5、創(chuàng)造性的Sovtrip多重?zé)崆谐夹g(shù)，預(yù)見(jiàn)到了未來(lái)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的要求，使有缺陷或異常的電源安全斷開。

    標(biāo)簽： 415M ESP 415 M2

    上傳時(shí)間： 2013-10-14

    上傳用戶：takako_yang

  • 同地彈現(xiàn)象的分析和講解

    地彈的形成：芯片內(nèi)部的地和芯片外的PCB地平面之間不可避免的會(huì)有一個(gè)小電感。這個(gè)小電感正是地彈產(chǎn)生的根源，同時(shí)，地彈又是與芯片的負(fù)載情況密切相關(guān)的。下面結(jié)合圖介紹一下地彈現(xiàn)象的形成。 簡(jiǎn)單的構(gòu)造如上圖的一個(gè)小“場(chǎng)景”，芯片A為輸出芯片，芯片B為接收芯片，輸出端和輸入端很近。輸出芯片內(nèi)部的CMOS等輸入單元簡(jiǎn)單的等效為一個(gè)單刀雙擲開關(guān)，RH和RL分別為高電平輸出阻抗和低電平輸出阻抗，均設(shè)為20歐。GNDA為芯片A內(nèi)部的地。GNDPCB為芯片外PCB地平面。由于芯片內(nèi)部的地要通過(guò)芯片內(nèi)的引線和管腳才能接到GNDPCB，所以就會(huì)引入一個(gè)小電感LG，假設(shè)這個(gè)值為1nH。CR為接收端管腳電容，這個(gè)值取6pF。這個(gè)信號(hào)的頻率取200MHz。雖然這個(gè)LG和CR都是很小的值，不過(guò)，通過(guò)后面的計(jì)算我們可以看到它們對(duì)信號(hào)的影響。先假設(shè)A芯片只有一個(gè)輸出腳，現(xiàn)在Q輸出高電平，接收端的CR上積累電荷。當(dāng)Q輸出變?yōu)榈碗娖降臅r(shí)候。CR、RL、LG形成一個(gè)放電回路。自諧振周期約為490ps，頻率為2GHz，Q值約為0.0065。使用EWB建一個(gè)仿真電路。（很老的一個(gè)軟件，很多人已經(jīng)不懈于使用了。不過(guò)我個(gè)人比較依賴它，關(guān)鍵是建模，模型參數(shù)建立正確的話仿真結(jié)果還是很可靠的，這個(gè)小軟件幫我發(fā)現(xiàn)和解決過(guò)很多實(shí)際模擬電路中遇到的問(wèn)題。這個(gè)軟件比較小，有比較長(zhǎng)的歷史，也比較成熟，很容易上手。建議電子初入門的同學(xué)還是熟悉一下。）因?yàn)橹魂P(guān)注下降沿，所以簡(jiǎn)單的構(gòu)建下面一個(gè)電路。起初輸出高電平，10納秒后輸出低電平。為方便起見(jiàn)，高電平輸出設(shè)為3.3V，低電平是0V。（實(shí)際200M以上芯片IO電壓會(huì)比較低，多采用1.5－2.5V。）

    標(biāo)簽： 分

    上傳時(shí)間： 2013-10-17

    上傳用戶：zhishenglu

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