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大功率

  • 振華云科產品手冊

    中國振華集團云科電子有限公司 振華云科擁有從日本、美國等國家引進的先進自動化生產線,片式電阻器年產能達100多億只,建立了完善的進料檢驗、過程檢驗、出貨檢驗等檢測手段。主要產品涉及RMK1005、RMK1608、RMK2012、RMK3216、RMK3225、RMK5025、RMK6332型片式膜電阻器,RNK5084、RNK5085、RNK5086、RN5161、RN5101R、RN5102R、RN5103D、RN5041、RN5042型片式膜電阻網路,RM3263-3W、RM6332-4W、RM6363-6W大功率片式電阻器,RM6363型片式厚膜火工品電阻器,熔斷器,PPTC熱敏電阻器(PPTC可恢復保險絲),CEP系列靜電抑制器,單層片式瓷介電容器,微帶薄膜濾波器,電子漿料,貴金屬粉體等。振華云科先后向航空、航天、船舶、兵器、核工業(yè)、電子等領域提供上億只產品,被多家用戶評為優(yōu)秀供應商。

    標簽: 產品手冊 振華 云科 電阻 熔斷器 芯片電容 溫補衰減器

    上傳時間: 2018-04-16

    上傳用戶:gs001588

  • 大功率寬帶水聲發(fā)射機國產化項目報告

    寬帶功率放大器:該產品無論是在軍事領域還是民用領域都發(fā)揮著極其重要的作用,該領域相關產品已于2012年被美國國防部對中華人民共和國實施了軍事禁運。

    標簽: 大功率 聲發(fā)射機 國產化 寬帶 項目 報告

    上傳時間: 2019-04-11

    上傳用戶:yntoppower

  • 全球水聲功率放大器發(fā)展現狀及國產化進程報告

          聲吶系統(tǒng)在水中兵器領域以及海洋技術等領域至關重要。而大功率寬帶水聲線性功率放大器作為聲吶系統(tǒng)的重要組成部分,其性能直接決定了整個聲吶系統(tǒng)的性能指標。      與歐美發(fā)達國家相比,我國的水聲技術還相對落后,為遏制我國海軍水聲裝備的發(fā)展,歐美國家對一些高端的水聲設備(水聲功率放大器等)和技術采取了禁運等保護措施。

    標簽: 功率放大器 發(fā)展現狀 國產化 進程 報告

    上傳時間: 2019-04-11

    上傳用戶:yntoppower

  • 2SB772

    2SB772是PNP大功率三極管。 基本參數如下: 電流 - 集電極 (Ic)(最大):3A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大): 30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大): 1.1V @ 150mA, 3A 電流 - 集電極截止(最大): 100μA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE) :100 @ 100mA, 2V 功率 - 最大 :12.5W 頻率 - 轉換 :100MHz

    標簽: 2SB 772 SB

    上傳時間: 2021-06-25

    上傳用戶:xiangshuai

  • 開關電源熱設計討論總結

    散熱設計的一些基本原則   從有利于散熱的角度出發(fā),印制版最好是直立安裝,板與板之間的距離一般不應小于2cm,而且器件在印制版上的排列方式應遵循一定的規(guī)則:  ·對于采用自由對流空氣冷卻的設備,最好是將集成電路(或其它器件)按縱長方式排列,如圖3示;對于采用強制空氣冷卻的設備,最好是將集成電路(或其它器件)按橫長方式排列.   ·同一塊印制板上的器件應盡可能按其發(fā)熱量大小及散熱程度分區(qū)排列,發(fā)熱量小或耐熱性差的器件(如小信號晶體管、小規(guī)模集成電路、電解電容等)放在冷卻氣流的最上流(入口處),發(fā)熱量大或耐熱性好的器件(如功率晶體管、大規(guī)模集成電路等)放在冷卻氣流最下游.  ·在水平方向上,大功率器件盡量靠近印制板邊沿布置,以便縮短傳熱路徑;在垂直方向上,大功率器件盡量靠近印制板上方布置,以便減少這些器件工作時對其它器件溫度的影響.  ·對溫度比較敏感的器件最好安置在溫度最低的區(qū)域(如設備的底部),千萬不要將它放在發(fā)熱器件的正上方,多個器件最好是在水平面上交錯布局.

    標簽: 開關電源

    上傳時間: 2021-10-27

    上傳用戶:fliang

  • 先進的高壓大功率器件——原理 特性和應用

    本書共11章。 第1章簡要介紹了高電壓功率器件的可能應用, 定義了理想功率開關的電特性, 并與典型器件的電特性進行了比較。 第2章和第3章分析了硅基功率晶閘管和碳化硅基功率晶閘管。 第4章討論了硅門極關斷 (GTO) 晶閘管結構。 第5章致力于分析硅基IGBT結構, 以提供對比分析的標準。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的結構。 碳化硅MOSFET 和IGBT的結構設計重點在于保護柵氧化層, 以防止其提前擊穿。 另外, 必須屏蔽基區(qū),以避免擴展擊穿。 這些器件的導通電壓降由溝道電阻和緩沖層設計所決定。 第8章和第9章討論了金屬氧化物半導體控制晶閘(MCT) 結構和基極電阻控制晶閘管 (BRT) 結構, 后者利用MOS柵控制晶閘管的導通和關斷。 第10章介紹了發(fā)射極開關晶閘(EST), 該種結構也利用一種MOS柵結構來控制晶閘管的導通與關斷, 并可利用IGBT加工工藝來制造。 這種器件具有良好的安全工作區(qū)。本書最后一章比較了書中討論的所有高壓功率器件結構。本書的讀者對象包括在校學生、 功率器件設計制造和電力電子應用領域的工程技術人員及其他相關專業(yè)人員。 本書適合高等院校有關專業(yè)用作教材或專業(yè)參考書, 亦可被電力電子學界和廣大的功率器件和裝置生產企業(yè)的工程技術人員作為參考書之用。

    標簽: 大功率器件

    上傳時間: 2021-11-02

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  • 基于TMS320F2812 光伏并網發(fā)電模擬裝置PROTEL設計原理圖+PCB+軟件源碼+WORD論

    基于TMS320F2812 光伏并網發(fā)電模擬裝置PROTEL設計原理圖+PCB+軟件源碼+WORD論文文檔,硬件采用2層板設計,PROTEL99SE 設計的工程文件,包括完整的原理圖和PCB文件,可以做為你的學習設計參考。 摘要:本文實現了一個基于TMS320F2812 DSP芯片的光伏并網發(fā)電模擬裝置,采用直流穩(wěn)壓源和滑動變阻器來模擬光伏電池。通過TMS320F2812 DSP芯片ADC模塊實時采樣模擬電網電壓的正弦參考信號、光伏電池輸出電壓、負載電壓電流反饋信號等。經過數據處理后,用PWM模塊產生實時的SPWM 波,控制MOSFET逆變全橋輸出正弦波。本文用PI控制算法實現了輸出信號對給定模擬電網電壓的正弦參考信號的頻率和相位跟蹤,用恒定電壓法實現了光伏電池最大功率點跟蹤(MPPT),從而達到模擬并網的效果。另外本裝置還實現了光伏電池輸出欠壓、負載過流保護功能以及光伏電池輸出欠壓、過流保護自恢復功能、聲光報警功能、孤島效應的檢測、保護與自恢復功能。系統(tǒng)測試結果表明本設計完全滿定設計要求。關鍵詞:光伏并網,MPPT,DSP  Photovoltaic Grid-connected generation simulator Zhangyuxin,Tantiancheng,Xiewuyang(College of Electrical Engineering, Chongqing University)Abstract: This paper presents a photovoltaic grid-connected generation simulator which is based on TMS320F2812 DSP, with a DC voltage source and a variable resistor to simulate the characteristic of photovoltaic cells. We use the internal AD converter to real-time sampling the referenced grid voltage signal, outputting voltage of photovoltaic, feedback outputting voltage and current signal. The PWM module generates SVPWM according to the calculation of the real-time sampling data, to control the full MOSFET inverter bridge output sine wave. We realized that the output voltage of the simulator can track the frequency and phase of the referenced grid voltage with PI regulation, and the maximum photovoltaic power tracking with constant voltage regulation, thereby achieved the purpose of grid-connected simulation. Additionally, this device has the over-voltage and over-current protection, audible and visual alarm, islanding detecting and protection, and it can recover automatically. The testing shows that our design is feasible.Keywords: Photovoltaic Grid-connected,MPPT,DSP 目錄引言 11. 方案論證 11.1. 總體介紹 11.2. 光伏電池模擬裝置 11.3. DC-AC逆變橋 11.4. MOSFET驅動電路方案 21.5. 逆變電路的變頻控制方案 22. 理論分析與計算 22.1. SPWM產生 22.1.1. 規(guī)則采樣法 22.1.2. SPWM 脈沖的計算公式 32.1.3. SPWM 脈沖計算公式中的參數計算 32.1.4. TMS320F2812 DSP控制器的事件管理單元 42.1.5. 軟件設計方法 62.2. MPPT的控制方法與參數計算 72.3. 同頻、同相的控制方法和參數計算 8

    標簽: tms320f2812 光伏 并網發(fā)電 模擬 protel pcb

    上傳時間: 2021-11-02

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  • 汽車直流繼電器HFE82V-200W 數據手冊

    新能源汽車用大電流大功率直流繼電器技術手冊 變頻器可用

    標簽: 直流繼電器

    上傳時間: 2021-11-03

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  • HX3330B

    HX3330B 是一款內置 100V 功率 NMOS 高效率高 精度開關升壓型大功率 LED 恒流驅動芯片。HX3330B 采用固定關斷時間的鋒值電流控制方式,關斷時間 可以通過外部電容進行調節(jié),工作頻率可以根據用 戶要求而改變。 HX3330B 通過調節(jié)外置的電流采樣電阻,能控 制高亮度的 LED 燈的驅動電流,使 LED 燈亮度達到 預期恒定亮度。 HX3330B 在 EN 端加 PWM 信號,可以進行 LED 燈 調光。HX3330B 內部還集成了 VDD 穩(wěn)壓管,軟啟動 及過溫保護電路燈,減少外圍元件并提高了系統(tǒng)的 可靠性。HX3330B 并采用了 ESOP8 封裝。散熱片內置接 SW 腳。

    標簽: HX3330B

    上傳時間: 2021-11-05

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  • USB PD3.1快充標準 2021年5月最新版

    USB PD3.1正式發(fā)布,上述文檔是此標準的詳細內容5月25日,USB-IF協(xié)會推出了USB Type-C線纜和接口標準v2.1版本,其中更新了有關供電能力的章節(jié)。USB PD3.1規(guī)范將原來的USB PD3.0內容歸到標準功率范圍(Standard Power Range,簡稱SPR)里面,最大功率保持100W不變;同時增加了擴展功率范圍(Extended Power Range,簡稱EPR),最大功率由100W擴展到240W。

    標簽: Type-C pd3.1 快充 USB-IF協(xié)會

    上傳時間: 2021-11-13

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