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大學(xué)(xué)計(jì)(jì)劃

  • 大動(dòng)態(tài)范圍AGC系統(tǒng)的構(gòu)建與仿真

    針對(duì)科研實(shí)踐中需要采集大動(dòng)態(tài)范圍模擬信號(hào)的問(wèn)題,構(gòu)建基于可變?cè)鲆娣糯笃?369的數(shù)字AGC系統(tǒng)。采用基于雙斜率濾波技術(shù)的設(shè)計(jì),給出AGC控制算法的實(shí)現(xiàn)流程,利用Matlab仿真引入算例證明算法的可行性,并討論算法中關(guān)鍵參數(shù)取值對(duì)控制精度的影響。實(shí)際系統(tǒng)達(dá)到50dB動(dòng)態(tài)范圍的設(shè)計(jì)目標(biāo)。

    標(biāo)簽: AGC 動(dòng)態(tài)范圍 仿真

    上傳時(shí)間: 2013-12-22

    上傳用戶:lx9076

  • 時(shí)鐘分相技術(shù)應(yīng)用

    摘要: 介紹了時(shí)鐘分相技術(shù)并討論了時(shí)鐘分相技術(shù)在高速數(shù)字電路設(shè)計(jì)中的作用。 關(guān)鍵詞: 時(shí)鐘分相技術(shù); 應(yīng)用 中圖分類號(hào): TN 79  文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A   文章編號(hào): 025820934 (2000) 0620437203 時(shí)鐘是高速數(shù)字電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵技術(shù)之一, 系統(tǒng)時(shí)鐘的性能好壞, 直接影響了整個(gè)電路的 性能。尤其現(xiàn)代電子系統(tǒng)對(duì)性能的越來(lái)越高的要求, 迫使我們集中更多的注意力在更高頻率、 更高精度的時(shí)鐘設(shè)計(jì)上面。但隨著系統(tǒng)時(shí)鐘頻率的升高。我們的系統(tǒng)設(shè)計(jì)將面臨一系列的問(wèn) 題。 1) 時(shí)鐘的快速電平切換將給電路帶來(lái)的串?dāng)_(Crosstalk) 和其他的噪聲。 2) 高速的時(shí)鐘對(duì)電路板的設(shè)計(jì)提出了更高的要求: 我們應(yīng)引入傳輸線(T ransm ission L ine) 模型, 并在信號(hào)的匹配上有更多的考慮。 3) 在系統(tǒng)時(shí)鐘高于100MHz 的情況下, 應(yīng)使用高速芯片來(lái)達(dá)到所需的速度, 如ECL 芯 片, 但這種芯片一般功耗很大, 再加上匹配電阻增加的功耗, 使整個(gè)系統(tǒng)所需要的電流增大, 發(fā) 熱量增多, 對(duì)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和集成度有不利的影響。 4) 高頻時(shí)鐘相應(yīng)的電磁輻射(EM I) 比較嚴(yán)重。 所以在高速數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)中對(duì)高頻時(shí)鐘信號(hào)的處理應(yīng)格外慎重, 盡量減少電路中高頻信 號(hào)的成分, 這里介紹一種很好的解決方法, 即利用時(shí)鐘分相技術(shù), 以低頻的時(shí)鐘實(shí)現(xiàn)高頻的處 理。 1 時(shí)鐘分相技術(shù) 我們知道, 時(shí)鐘信號(hào)的一個(gè)周期按相位來(lái)分, 可以分為360°。所謂時(shí)鐘分相技術(shù), 就是把 時(shí)鐘周期的多個(gè)相位都加以利用, 以達(dá)到更高的時(shí)間分辨。在通常的設(shè)計(jì)中, 我們只用到時(shí)鐘 的上升沿(0 相位) , 如果把時(shí)鐘的下降沿(180°相位) 也加以利用, 系統(tǒng)的時(shí)間分辨能力就可以 提高一倍(如圖1a 所示)。同理, 將時(shí)鐘分為4 個(gè)相位(0°、90°、180°和270°) , 系統(tǒng)的時(shí)間分辨就 可以提高為原來(lái)的4 倍(如圖1b 所示)。 以前也有人嘗試過(guò)用專門的延遲線或邏輯門延時(shí)來(lái)達(dá)到時(shí)鐘分相的目的。用這種方法產(chǎn)生的相位差不夠準(zhǔn)確, 而且引起的時(shí)間偏移(Skew ) 和抖動(dòng) (J itters) 比較大, 無(wú)法實(shí)現(xiàn)高精度的時(shí)間分辨。 近年來(lái)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展, 使高質(zhì)量的分相功能在一 片芯片內(nèi)實(shí)現(xiàn)成為可能, 如AMCC 公司的S4405, CY2 PRESS 公司的CY9901 和CY9911, 都是性能優(yōu)異的時(shí)鐘 芯片。這些芯片的出現(xiàn), 大大促進(jìn)了時(shí)鐘分相技術(shù)在實(shí)際電 路中的應(yīng)用。我們?cè)谶@方面作了一些嘗試性的工作: 要獲得 良好的時(shí)間性能, 必須確保分相時(shí)鐘的Skew 和J itters 都 比較小。因此在我們的設(shè)計(jì)中, 通常用一個(gè)低頻、高精度的 晶體作為時(shí)鐘源, 將這個(gè)低頻時(shí)鐘通過(guò)一個(gè)鎖相環(huán)(PLL ) , 獲得一個(gè)較高頻率的、比較純凈的時(shí)鐘, 對(duì)這個(gè)時(shí)鐘進(jìn)行分相, 就可獲得高穩(wěn)定、低抖動(dòng)的分 相時(shí)鐘。 這部分電路在實(shí)際運(yùn)用中獲得了很好的效果。下面以應(yīng)用的實(shí)例加以說(shuō)明。2 應(yīng)用實(shí)例 2. 1 應(yīng)用在接入網(wǎng)中 在通訊系統(tǒng)中, 由于要減少傳輸 上的硬件開(kāi)銷, 一般以串行模式傳輸 圖3 時(shí)鐘分為4 個(gè)相位 數(shù)據(jù), 與其同步的時(shí)鐘信號(hào)并不傳輸。 但本地接收到數(shù)據(jù)時(shí), 為了準(zhǔn)確地獲取 數(shù)據(jù), 必須得到數(shù)據(jù)時(shí)鐘, 即要獲取與數(shù) 據(jù)同步的時(shí)鐘信號(hào)。在接入網(wǎng)中, 數(shù)據(jù)傳 輸?shù)慕Y(jié)構(gòu)如圖2 所示。 數(shù)據(jù)以68MBös 的速率傳輸, 即每 個(gè)bit 占有14. 7ns 的寬度, 在每個(gè)數(shù)據(jù) 幀的開(kāi)頭有一個(gè)用于同步檢測(cè)的頭部信息。我們要找到與它同步性好的時(shí)鐘信號(hào), 一般時(shí)間 分辨應(yīng)該達(dá)到1ö4 的時(shí)鐘周期。即14. 7ö 4≈ 3. 7ns, 這就是說(shuō), 系統(tǒng)時(shí)鐘頻率應(yīng)在300MHz 以 上, 在這種頻率下, 我們必須使用ECL inp s 芯片(ECL inp s 是ECL 芯片系列中速度最快的, 其 典型門延遲為340p s) , 如前所述, 這樣對(duì)整個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來(lái)很多的困擾。 我們?cè)谶@里使用鎖相環(huán)和時(shí)鐘分相技術(shù), 將一個(gè)16MHz 晶振作為時(shí)鐘源, 經(jīng)過(guò)鎖相環(huán) 89429 升頻得到68MHz 的時(shí)鐘, 再經(jīng)過(guò)分相芯片AMCCS4405 分成4 個(gè)相位, 如圖3 所示。 我們只要從4 個(gè)相位的68MHz 時(shí)鐘中選擇出與數(shù)據(jù)同步性最好的一個(gè)。選擇的依據(jù)是: 在每個(gè)數(shù)據(jù)幀的頭部(HEAD) 都有一個(gè)8bit 的KWD (KeyWord) (如圖1 所示) , 我們分別用 這4 個(gè)相位的時(shí)鐘去鎖存數(shù)據(jù), 如果經(jīng)某個(gè)時(shí)鐘鎖存后的數(shù)據(jù)在這個(gè)指定位置最先檢測(cè)出這 個(gè)KWD, 就認(rèn)為下一相位的時(shí)鐘與數(shù)據(jù)的同步性最好(相關(guān))。 根據(jù)這個(gè)判別原理, 我們?cè)O(shè)計(jì)了圖4 所示的時(shí)鐘分相選擇電路。 在板上通過(guò)鎖相環(huán)89429 和分相芯片S4405 獲得我們所要的68MHz 4 相時(shí)鐘: 用這4 個(gè) 時(shí)鐘分別將輸入數(shù)據(jù)進(jìn)行移位, 將移位的數(shù)據(jù)與KWD 作比較, 若至少有7bit 符合, 則認(rèn)為檢 出了KWD。將4 路相關(guān)器的結(jié)果經(jīng)過(guò)優(yōu)先判選控制邏輯, 即可輸出同步性最好的時(shí)鐘。這里, 我們運(yùn)用AMCC 公司生產(chǎn)的 S4405 芯片, 對(duì)68MHz 的時(shí)鐘進(jìn)行了4 分 相, 成功地實(shí)現(xiàn)了同步時(shí)鐘的獲取, 這部分 電路目前已實(shí)際地應(yīng)用在某通訊系統(tǒng)的接 入網(wǎng)中。 2. 2 高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用 高速、高精度的模擬- 數(shù)字變換 (ADC) 一直是高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的關(guān)鍵部 分。高速的ADC 價(jià)格昂貴, 而且系統(tǒng)設(shè)計(jì) 難度很高。以前就有人考慮使用多個(gè)低速 圖5 分相技術(shù)應(yīng)用于采集系統(tǒng) ADC 和時(shí)鐘分相, 用以替代高速的ADC, 但由 于時(shí)鐘分相電路產(chǎn)生的相位不準(zhǔn)確, 時(shí)鐘的 J itters 和Skew 比較大(如前述) , 容易產(chǎn)生較 大的孔徑晃動(dòng)(Aperture J itters) , 無(wú)法達(dá)到很 好的時(shí)間分辨。 現(xiàn)在使用時(shí)鐘分相芯片, 我們可以把分相 技術(shù)應(yīng)用在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中: 以4 分相后 圖6 分相技術(shù)提高系統(tǒng)的數(shù)據(jù)采集率 的80MHz 采樣時(shí)鐘分別作為ADC 的 轉(zhuǎn)換時(shí)鐘, 對(duì)模擬信號(hào)進(jìn)行采樣, 如圖5 所示。 在每一采集通道中, 輸入信號(hào)經(jīng)過(guò) 緩沖、調(diào)理, 送入ADC 進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換, 采集到的數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器(M EM )。各個(gè) 采集通道采集的是同一信號(hào), 不過(guò)采樣 點(diǎn)依次相差90°相位。通過(guò)存儲(chǔ)器中的數(shù) 據(jù)重組, 可以使系統(tǒng)時(shí)鐘為80MHz 的采 集系統(tǒng)達(dá)到320MHz 數(shù)據(jù)采集率(如圖6 所示)。 3 總結(jié) 靈活地運(yùn)用時(shí)鐘分相技術(shù), 可以有效地用低頻時(shí)鐘實(shí)現(xiàn)相當(dāng)于高頻時(shí)鐘的時(shí)間性能, 并 避免了高速數(shù)字電路設(shè)計(jì)中一些問(wèn)題, 降低了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的難度。

    標(biāo)簽: 時(shí)鐘 分相 技術(shù)應(yīng)用

    上傳時(shí)間: 2013-12-17

    上傳用戶:xg262122

  • pcb layout規(guī)則

    LAYOUT REPORT .............. 1   目錄.................. 1     1. PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)......... 2     2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用............ 2     3. 基準(zhǔn)點(diǎn) (光學(xué)點(diǎn)) -for SMD:........... 4     4. 標(biāo)記 (LABEL ING)......... 5     5. VIA HOLE PAD................. 5     6. PCB Layer 排列方式...... 5     7.零件佈置注意事項(xiàng) (PLACEMENT NOTES)............... 5     8. PCB LAYOUT 設(shè)計(jì)............ 6     9. Transmission Line ( 傳輸線 )..... 8     10.General Guidelines – 跨Plane.. 8     11. General Guidelines – 繞線....... 9     12. General Guidelines – Damping Resistor. 10     13. General Guidelines - RJ45 to Transformer................. 10     14. Clock Routing Guideline........... 12     15. OSC & CRYSTAL Guideline........... 12     16. CPU

    標(biāo)簽: layout pcb

    上傳時(shí)間: 2013-12-20

    上傳用戶:康郎

  • IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介)

    半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛,圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見(jiàn)的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí),晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。

    標(biāo)簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時(shí)間: 2014-01-20

    上傳用戶:蒼山觀海

  • 高電壓降壓型轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)高功率LED

    凌力爾特公司提供了一個(gè)規(guī)模龐大且不斷成長(zhǎng)的高電壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器繫列,這些器件是專為驅(qū)動(dòng)高功率 LED 而設(shè)計(jì)的。

    標(biāo)簽: LED 高電壓 降壓型轉(zhuǎn)換器 驅(qū)動(dòng)高功率

    上傳時(shí)間: 2013-11-12

    上傳用戶:playboys0

  • 四相升壓型轉(zhuǎn)換器提供348W功率而無(wú)需采用散熱器

    在汽車、工業(yè)和電信行業(yè)的設(shè)計(jì)師當(dāng)中,使用高功率升壓型轉(zhuǎn)換器的現(xiàn)像正變得越來(lái)越普遍。當(dāng)需要 300W 或更高的功率時(shí),必須在功率器件中實(shí)現(xiàn)高效率 (低功率損耗),以免除增設(shè)龐大散熱器和采用強(qiáng)迫通風(fēng)冷卻的需要

    標(biāo)簽: 348W 升壓型轉(zhuǎn)換器 功率 散熱器

    上傳時(shí)間: 2014-12-01

    上傳用戶:lhc9102

  • XL4016高效率,大電流,單片集成降壓型開(kāi)關(guān)電源芯片

    XL4016高效率,大電流,單片集成降壓型開(kāi)關(guān)電源芯片,測(cè)試板加芯片資料

    標(biāo)簽: 4016 XL 高效率 大電流

    上傳時(shí)間: 2014-12-24

    上傳用戶:Shaikh

  • 可替代整合型MOSFET的獨(dú)立元件

    在電源設(shè)計(jì)中,工程人員時(shí)常會(huì)面臨控制 IC 驅(qū)動(dòng)電流不足的問(wèn)題,或者因?yàn)殚l極驅(qū)動(dòng)損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過(guò)大。為解決這些問(wèn)題,工程人員通常會(huì)採(cǎi)用外部驅(qū)動(dòng)器。目前許多半導(dǎo)體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動(dòng)器解決方案,但因?yàn)槌杀究剂?,工程師往往?huì)選擇比較低價(jià)的獨(dú)立元件。

    標(biāo)簽: MOSFET 獨(dú)立元件

    上傳時(shí)間: 2013-11-19

    上傳用戶:阿譚電器工作室

  • 250W大電流輸出開(kāi)關(guān)電源電路

    大電流輸出開(kāi)關(guān)電源電路

    標(biāo)簽: 250W 大電流 輸出開(kāi)關(guān) 電源電路

    上傳時(shí)間: 2013-11-16

    上傳用戶:lhll918

  • 基于PCC的大系統(tǒng)與微電網(wǎng)靜態(tài)建模仿真

    基于PCC的大系統(tǒng)與微電網(wǎng)靜態(tài)建模仿真

    標(biāo)簽: PCC 微電網(wǎng) 建模

    上傳時(shí)間: 2013-10-29

    上傳用戶:hjshhyy

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