串行大容量存儲(chǔ)器的c51 讀寫(xiě)源程序特點(diǎn)：占用io口線少，缺點(diǎn)：讀寫(xiě)時(shí)間比并行時(shí)間長(zhǎng)
標(biāo)簽： c51 串行 大容量存儲(chǔ)器 讀寫(xiě)
上傳時(shí)間： 2015-04-01
上傳用戶：xcy122677
ISP1581設(shè)計(jì)的大容量存儲(chǔ)器固件程序。 包含以下文件： d14.h i2c.c i2c.h init.c intrpt.c kernel.c
標(biāo)簽： intrpt kernel 1581 init
上傳時(shí)間： 2014-01-24
上傳用戶：wfeel
打開(kāi)壓縮文件后安裝.EXE文件,在安裝的目錄下有MPLAB MCC18的工程文件MassStorage,即USB大容量存儲(chǔ)器的源代碼，可以直接使用，具體請(qǐng)見(jiàn)源代碼上的注視。
標(biāo)簽： MassStorage MPLAB EXE MCC
上傳時(shí)間： 2013-12-29
上傳用戶：yd19890720
單片機(jī)訪問(wèn)大容量存儲(chǔ)器包括主程序頭文件等
標(biāo)簽： 單片機(jī) 訪問(wèn) 大容量存儲(chǔ)器 程序
上傳時(shí)間： 2013-12-22
上傳用戶：彭玖華
文中研究并實(shí)現(xiàn)了一種基于NAND型Flash的高速大容量固態(tài)存儲(chǔ)系統(tǒng),成果為實(shí)際研制應(yīng)用于星的基于閃存的大容量存儲(chǔ)器奠定了基礎(chǔ),具體較好的指導(dǎo)和借鑒意義。
標(biāo)簽： 閃存 大容量 存儲(chǔ)陣列
上傳時(shí)間： 2014-10-15
上傳用戶：guanliya
設(shè)計(jì)了基于MCS-51單片機(jī)的大容量（超64KB）數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展方案，采用具有19根地址線的大容量Flash芯片F(xiàn)29C51004作為擴(kuò)展存儲(chǔ)體。將數(shù)據(jù)線和地址線合并使用，對(duì)F29C51004進(jìn)行分頁(yè)訪問(wèn)，解決了單片機(jī)存儲(chǔ)單元及端口不足的問(wèn)題，釋放了I／O口。文中以擴(kuò)展8MB的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器為例，給出了...
標(biāo)簽： MCS 51 單片機(jī) 大容量
上傳時(shí)間： 2013-11-19
上傳用戶：mengmeng444425
大容量FLASH存儲(chǔ)器29C040的C51讀寫(xiě)程序
標(biāo)簽： 29C040 FLASH C51 大容量
上傳時(shí)間： 2015-04-04
上傳用戶：zhaoq123
本文主要解決在VXI總線模塊上實(shí)現(xiàn)大容量動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的技術(shù)難題，介紹了利用可編程邏輯器件實(shí)現(xiàn)數(shù)字信號(hào)處理器（DSP）與同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（SDRAM）之間的數(shù)據(jù)讀取邏輯的設(shè)計(jì)、編程思想，以及必要的硬件連接，編程方法等。
標(biāo)簽： VXI 總線 大容量 動(dòng)態(tài)
上傳時(shí)間： 2015-09-29
上傳用戶：wcl168881111111
這是128K字節(jié)的大容量鐵電存儲(chǔ)器的說(shuō)明書(shū)。
標(biāo)簽： 128K 字節(jié) 大容量 鐵電存儲(chǔ)器
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大容量串行flash存儲(chǔ)器AT45DB041的原理與應(yīng)用the_principium_nd_application_of_AT45DB041_a_great_capacity_flash_memorizer.pdf。文檔中包括at45db的讀寫(xiě)程序
標(biāo)簽： the_principium_nd_application_of_ a_great_capacity_flash_memori 041 flash
上傳時(shí)間： 2013-12-24
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